FDB2532 ON Semiconductor
на замовлення 52800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 125.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB2532 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDB2532 за ціною від 122.64 грн до 368.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 52800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
на замовлення 15883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench |
на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
FDB2532 SMD N channel transistors |
на замовлення 223 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDB2532 Код товару: 61087
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|