Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB2532
FDB2532

FDB2532 ON Semiconductor

fdp2532-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+116.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB2532 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB2532 за ціною від 114.15 грн до 380.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+129.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+140.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+161.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+175.60 грн
250+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+177.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+237.43 грн
300+232.13 грн
800+204.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+240.54 грн
10+191.25 грн
25+189.36 грн
100+144.77 грн
250+132.70 грн
500+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+259.04 грн
60+203.92 грн
100+155.91 грн
250+142.91 грн
500+122.93 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.19 грн
10+198.60 грн
100+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi / Fairchild FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.98 грн
10+223.89 грн
100+149.93 грн
250+146.95 грн
500+146.20 грн
800+145.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+380.74 грн
10+259.40 грн
50+224.26 грн
100+175.60 грн
250+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 Виробник : ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.49 грн
5+227.51 грн
14+215.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532
Код товару: 61087
Додати до обраних Обраний товар

FDP2532-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.