Продукція > ONSEMI > FDB2532
FDB2532

FDB2532 onsemi

FDP2532-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+131.20 грн
1600+125.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB2532 onsemi

Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDB2532 за ціною від 120.85 грн до 383.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+134.54 грн
1600+128.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+143.64 грн
1600+137.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+163.46 грн
250+148.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+171.68 грн
1600+170.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+183.94 грн
1600+182.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+192.32 грн
75+173.34 грн
100+168.17 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+193.44 грн
75+173.95 грн
76+172.22 грн
100+150.85 грн
250+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.25 грн
10+186.37 грн
25+184.52 грн
100+161.63 грн
250+135.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+209.00 грн
300+203.93 грн
800+194.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+270.83 грн
10+213.48 грн
50+195.16 грн
100+163.46 грн
250+148.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi 5C71B921DDFCC5CCD32ECB6539B1867C264D8E91B77B219B9C42194F9FEC2274.pdf MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.52 грн
10+215.14 грн
100+138.60 грн
800+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.95 грн
10+223.08 грн
100+159.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 Виробник : ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 581 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.41 грн
6+231.76 грн
14+218.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532
Код товару: 61087
Додати до обраних Обраний товар

FDP2532-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.