FDB2532 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 133.98 грн |
| 1600+ | 127.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB2532 onsemi
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDB2532 за ціною від 126.07 грн до 370.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
на замовлення 2143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB2532 Код товару: 61087
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|