FDC6301N

FDC6301N ON Semiconductor


fdc6301n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6301N ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDC6301N за ціною від 6.26 грн до 32.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.17 грн
6000+ 7.54 грн
9000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : ONSEMI FDC6301N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+14.04 грн
30+ 11.65 грн
89+ 9.14 грн
245+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDC6301N FDC6301N Виробник : ONSEMI FDC6301N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+16.85 грн
25+ 14.52 грн
89+ 10.97 грн
245+ 10.37 грн
3000+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 14834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.26 грн
13+ 22.61 грн
100+ 13.58 грн
500+ 11.79 грн
1000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6301N_D-2312159.pdf MOSFET SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 34937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.55 грн
13+ 25.12 грн
100+ 12.19 грн
1000+ 8.32 грн
3000+ 6.66 грн
9000+ 6.33 грн
24000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній