
FDC6301N onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 7.56 грн |
6000+ | 7.15 грн |
9000+ | 7.05 грн |
15000+ | 6.58 грн |
21000+ | 6.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6301N onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDC6301N за ціною від 7.05 грн до 411.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 23995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 9Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 9Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |