Продукція > ONSEMI > FDC6301N
FDC6301N

FDC6301N onsemi

fdc6301n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.66 грн
6000+7.25 грн
9000+7.15 грн
15000+6.67 грн
21000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6301N onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDC6301N за ціною від 7.14 грн до 417.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.04 грн
6000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.65 грн
6000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.68 грн
6000+10.63 грн
9000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.66 грн
13+25.11 грн
100+15.92 грн
500+11.34 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi / Fairchild fdc6301n-d.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 8095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.70 грн
12+29.44 грн
100+12.58 грн
1000+11.24 грн
3000+7.74 грн
9000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 0.22A
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+300.52 грн
10+31.01 грн
50+21.30 грн
89+12.37 грн
244+11.63 грн
1000+11.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 0.22A
Case: SuperSOT-6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.