FDC6301N onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.32 грн |
| 6000+ | 7.81 грн |
| 9000+ | 7.56 грн |
| 15000+ | 6.90 грн |
| 21000+ | 6.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6301N onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDC6301N за ціною від 7.16 грн до 45.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SuperSOT-6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Gate charge: 0.7nC On-state resistance: 9Ω Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V Power dissipation: 0.9W Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SuperSOT-6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Gate charge: 0.7nC On-state resistance: 9Ω Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V Power dissipation: 0.9W Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3011 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 25499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6301N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V |
на замовлення 5266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDC6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |

