Продукція > ONSEMI > FDC6301N
FDC6301N

FDC6301N onsemi

fdc6301n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.43 грн
6000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6301N onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDC6301N за ціною від 7.31 грн до 49.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.65 грн
6000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.27 грн
6000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.68 грн
6000+10.63 грн
9000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.22A
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 9Ω
Drain-source voltage: 25V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.03 грн
17+24.52 грн
50+18.17 грн
99+9.52 грн
270+8.97 грн
1500+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 7782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.02 грн
13+24.67 грн
100+15.76 грн
500+11.17 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.22A
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 9Ω
Drain-source voltage: 25V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.04 грн
10+30.55 грн
50+21.80 грн
99+11.42 грн
270+10.76 грн
1500+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi / Fairchild fdc6301n-d.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 8095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.85 грн
12+30.13 грн
100+12.87 грн
1000+11.50 грн
3000+7.92 грн
9000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.