на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6310P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDC6310P за ціною від 11.87 грн до 39.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6310P | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6310P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6310P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6310P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6310P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6310P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6310P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench |
на замовлення 5703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6310P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 133945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6310P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6310P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDC6310P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 184mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC6310P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 184mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |