Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6310P
FDC6310P

FDC6310P ON Semiconductor

fdc6310p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.79 грн
6000+14.18 грн
12000+14.04 грн
18000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6310P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6310P за ціною від 13.72 грн до 72.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor 3673739252950919fdc6310p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : onsemi fdc6310p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.80 грн
6000+15.10 грн
12000+14.94 грн
18000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1610+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1610
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1610+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1610
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
549+22.25 грн
621+19.65 грн
628+19.46 грн
685+17.19 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 549
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+23.38 грн
29+20.88 грн
30+20.67 грн
100+17.60 грн
250+16.13 грн
500+14.18 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.57 грн
500+21.07 грн
1000+16.69 грн
5000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.58 грн
23+36.89 грн
100+26.57 грн
500+21.07 грн
1000+16.69 грн
5000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : onsemi / Fairchild fdc6310p-d.pdf MOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.83 грн
10+40.44 грн
100+24.42 грн
500+19.57 грн
1000+18.02 грн
3000+16.55 грн
6000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : onsemi fdc6310p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.42 грн
10+37.40 грн
100+23.14 грн
500+18.03 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ONSEMI fdc6310p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ONSEMI fdc6310p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.