Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6310P
FDC6310P

FDC6310P ON Semiconductor

3673739252950919fdc6310p.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6310P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC6310P за ціною від 14.13 грн до 71.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.05 грн
6000+15.31 грн
12000+15.16 грн
18000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : onsemi fdc6310p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
549+22.58 грн
621+19.94 грн
628+19.74 грн
685+17.43 грн
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 549
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1349+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 1349
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1349+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 1349
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.72 грн
27+31.95 грн
100+22.79 грн
500+18.77 грн
1000+16.37 грн
5000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.57 грн
22+32.89 грн
100+22.72 грн
500+20.67 грн
1000+18.69 грн
3000+16.95 грн
6000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : onsemi fdc6310p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.22 грн
10+41.21 грн
100+21.45 грн
500+17.82 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6310P-D.PDF MOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 4591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.28 грн
10+37.41 грн
100+19.09 грн
500+17.41 грн
1000+16.72 грн
3000+15.50 грн
6000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P Виробник : ONSEMI fdc6310p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.