Продукція > ONSEMI > FDC6310P
FDC6310P

FDC6310P onsemi

FDC6310P-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6310P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6310P за ціною від 16.31 грн до 72.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6310P FDC6310P ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.61 грн
6000+17.62 грн
12000+17.44 грн
18000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
549+25.97 грн
621+22.93 грн
628+22.70 грн
685+20.05 грн
1000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 549 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1349+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 1349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1349+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 1349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.51 грн
22+35.31 грн
100+24.39 грн
500+22.20 грн
1000+20.07 грн
3000+18.20 грн
6000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P onsemi FDC6310P-D.PDF Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.19 грн
10+41.97 грн
50+30.94 грн
100+25.69 грн
500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P onsemi FDC6310P-D.PDF MOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+72.61 грн
10+35.24 грн
100+27.13 грн
500+20.92 грн
1000+20.04 грн
3000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ONSEMI ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ONSEMI ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.61 грн
6000+17.62 грн
12000+17.44 грн
18000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
549+25.97 грн
621+22.93 грн
628+22.70 грн
685+20.05 грн
1000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 549 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1349+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 1349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1349+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 1349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.51 грн
22+35.31 грн
100+24.39 грн
500+22.20 грн
1000+20.07 грн
3000+18.20 грн
6000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P-D.PDF
FDC6310P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.19 грн
10+41.97 грн
50+30.94 грн
100+25.69 грн
500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P-D.PDF
FDC6310P
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.61 грн
10+35.24 грн
100+27.13 грн
500+20.92 грн
1000+20.04 грн
3000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6310P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6310P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.