на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC637BNZ ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.
Інші пропозиції FDC637BNZ за ціною від 7.98 грн до 47.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC637BNZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC637BNZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC637BNZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC637BNZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC637BNZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC637BNZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC637BNZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 |
на замовлення 28354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDC637BNZ | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDC637BNZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC637BNZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDC637BNZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Case: SuperSOT-6 Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 41mΩ Drain current: 6.2A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC637BNZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Case: SuperSOT-6 Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 41mΩ Drain current: 6.2A Drain-source voltage: 20V |
товар відсутній |