FDC637BNZ

FDC637BNZ ON Semiconductor


fdc637bnz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637BNZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.

Інші пропозиції FDC637BNZ за ціною від 7.98 грн до 47.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor 3670266092054523fdc637bnz.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : onsemi fdc637bnz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.13 грн
6000+ 9.81 грн
9000+ 9.34 грн
15000+ 8.27 грн
21000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.98 грн
6000+ 13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : onsemi / Fairchild FDC637BNZ_D-2312189.pdf MOSFET 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.81 грн
12+ 28.33 грн
100+ 17.17 грн
500+ 13.4 грн
1000+ 10.94 грн
3000+ 9.2 грн
9000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI 2304615.pdf Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+37.47 грн
27+ 31.13 грн
100+ 19.34 грн
500+ 14.04 грн
1000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : onsemi fdc637bnz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 28354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.81 грн
11+ 28.6 грн
100+ 18.37 грн
500+ 13.1 грн
1000+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC637BNZ Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdc637bnz-d.pdf N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI FDC637BNZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Case: SuperSOT-6
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 41mΩ
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI FDC637BNZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Case: SuperSOT-6
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 41mΩ
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 20V
товар відсутній