Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC637BNZ
FDC637BNZ

FDC637BNZ ON Semiconductor

fdc637bnz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.63 грн
6000+11.02 грн
9000+10.90 грн
15000+10.41 грн
21000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637BNZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.

Інші пропозиції FDC637BNZ за ціною від 9.38 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
6000+11.02 грн
9000+10.91 грн
15000+10.41 грн
21000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
6000+12.31 грн
9000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+19.44 грн
1000+17.45 грн
3000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi FDC637BNZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.62 грн
10+30.50 грн
100+19.60 грн
500+13.97 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi FDC637BNZ-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi / Fairchild FDC637BNZ-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 14868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI 2304615.pdf Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi FDC637BNZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ ONS/FAI FDC637BNZ.pdf N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.64 грн
6000+11.02 грн
9000+10.91 грн
15000+10.41 грн
21000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.35 грн
6000+12.31 грн
9000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
727+19.44 грн
1000+17.45 грн
3000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.62 грн
10+30.50 грн
100+19.60 грн
500+13.97 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 14868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ 2304615.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ.pdf
Виробник: ONS/FAI
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.