Продукція > ONSEMI > FDC637BNZ
FDC637BNZ

FDC637BNZ onsemi

fdc637bnz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.43 грн
6000+9.01 грн
9000+8.87 грн
15000+8.27 грн
21000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637BNZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.

Інші пропозиції FDC637BNZ за ціною від 8.83 грн до 53.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor 3670266092054523fdc637bnz.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.68 грн
6000+10.64 грн
9000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2621+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 2621
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2621+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 2621
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.34 грн
6000+11.29 грн
9000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.86 грн
6000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI 2304615.pdf Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.19 грн
31+26.90 грн
100+18.24 грн
500+13.26 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : onsemi fdc637bnz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 57452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
11+29.12 грн
100+19.02 грн
500+13.56 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : onsemi / Fairchild fdc637bnz-d.pdf MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 28286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.82 грн
11+32.74 грн
100+18.39 грн
500+14.05 грн
1000+12.73 грн
3000+8.98 грн
9000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdc637bnz-d.pdf N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI FDC637BNZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI FDC637BNZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.