Продукція > ONSEMI > FDC637BNZ
FDC637BNZ

FDC637BNZ onsemi

fdc637bnz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.03 грн
6000+8.63 грн
9000+8.56 грн
15000+7.94 грн
21000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637BNZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.

Інші пропозиції FDC637BNZ за ціною від 8.23 грн до 42.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor 3670266092054523fdc637bnz.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.21 грн
6000+9.66 грн
9000+9.57 грн
15000+9.13 грн
21000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.83 грн
6000+10.79 грн
9000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.93 грн
6000+10.35 грн
9000+10.25 грн
15000+9.79 грн
21000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.42 грн
6000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2195+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2195+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2195+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.27 грн
23+17.82 грн
25+16.07 грн
100+11.53 грн
500+9.47 грн
1000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.73 грн
14+22.21 грн
15+19.28 грн
100+13.84 грн
500+11.36 грн
1000+10.50 грн
3000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : onsemi fdc637bnz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 26092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.48 грн
12+27.44 грн
100+18.92 грн
500+13.49 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ONSEMI 2304615.pdf Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.72 грн
31+27.93 грн
100+18.93 грн
500+13.76 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : onsemi / Fairchild FDC637BNZ-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 14868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.94 грн
12+29.77 грн
100+17.95 грн
500+13.82 грн
1000+12.22 грн
3000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdc637bnz-d.pdf N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ Виробник : ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.