Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC637BNZ
FDC637BNZ

FDC637BNZ ON Semiconductor

fdc637bnz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.66 грн
6000+11.04 грн
9000+10.94 грн
15000+10.44 грн
21000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637BNZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.

Інші пропозиції FDC637BNZ за ціною від 10.70 грн до 780.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.15 грн
9000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+12.33 грн
9000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+19.48 грн
1000+17.49 грн
3000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.88 грн
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI FDC637BNZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.45 грн
14+30.86 грн
17+25.58 грн
100+13.17 грн
500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi FDC637BNZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.89 грн
50+21.80 грн
100+18.01 грн
500+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi / Fairchild FDC637BNZ-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 14868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi FDC637BNZ-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI 2304615.pdf Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi FDC637BNZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ ONS/FAI FDC637BNZ.pdf N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.15 грн
9000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.38 грн
6000+12.33 грн
9000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
727+19.48 грн
1000+17.49 грн
3000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+35.88 грн
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.45 грн
14+30.86 грн
17+25.58 грн
100+13.17 грн
500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.16 грн
11+29.89 грн
50+21.80 грн
100+18.01 грн
500+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 14868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ 2304615.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ.pdf
Виробник: ONS/FAI
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.