FDC6392S ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6392S ON Semiconductor / Fairchild
Description: 2.2A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDC6392S за ціною від 26.15 грн до 26.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6392S | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDC6392S - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FDC6392S | Виробник : FAI |
SOT-163 |
на замовлення 4087 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FDC6392S | Виробник : FAIRCHILD |
05+ SOT163 |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FDC6392S | Виробник : FAIRCHILD |
SOT163 |
на замовлення 189790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
FDC6392S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FDC6392S | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: 2.2A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V |
товар відсутній |