Продукція > ON SEMICONDUCTOR / FAIRCHILD > FDC6392S
FDC6392S

FDC6392S ON Semiconductor / Fairchild

FDC6392S-1305506.pdf Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6392S ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDC6392S за ціною від 21.70 грн до 21.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6392S Виробник : ONSEMI FAIRS16964-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDC6392S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392S Виробник : FAI FDC6392S.pdf SOT-163
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392S Виробник : FAIRCHILD FDC6392S.pdf 05+ SOT163
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392S Виробник : FAIRCHILD FDC6392S.pdf SOT163
на замовлення 189790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392S FDC6392S Виробник : ON Semiconductor 3658876173253893fdc6392s.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392S FDC6392S Виробник : onsemi FDC6392S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392S FDC6392S Виробник : onsemi FDC6392S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.