Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC640P
FDC640P

FDC640P ON Semiconductor

fdc640p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC640P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDC640P за ціною від 10.32 грн до 46.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.17 грн
9000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC640P FDC640P Виробник : onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.62 грн
6000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.17 грн
9000+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
773+15.1 грн
Мінімальне замовлення: 773
FDC640P FDC640P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.79 грн
500+ 18.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.63 грн
23+ 25.86 грн
25+ 25.56 грн
100+ 19.63 грн
250+ 17.47 грн
500+ 14.54 грн
1000+ 11.85 грн
3000+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDC640P FDC640P Виробник : onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 6642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.77 грн
10+ 30.82 грн
100+ 21.41 грн
500+ 15.69 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC640P FDC640P Виробник : onsemi / Fairchild FDC640P_D-2311877.pdf MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 14161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.43 грн
10+ 34.63 грн
100+ 20.95 грн
500+ 16.34 грн
1000+ 13.31 грн
3000+ 11.2 грн
9000+ 10.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC640P FDC640P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+46.49 грн
20+ 38.29 грн
100+ 25.79 грн
500+ 18.8 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDC640P FDC640P Виробник : ONSEMI FDC640P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC640P FDC640P Виробник : ONSEMI FDC640P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
товар відсутній