Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC640P
FDC640P

FDC640P ON Semiconductor

fdc640p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC640P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC640P за ціною від 16.54 грн до 75.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC640P FDC640P Виробник : onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1412+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 1412
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
459+26.55 грн
499+24.41 грн
518+23.53 грн
581+20.23 грн
1000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.62 грн
500+23.35 грн
1500+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+37.55 грн
22+31.67 грн
25+28.45 грн
100+25.22 грн
250+22.51 грн
500+19.26 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+63.38 грн
17+42.00 грн
100+31.12 грн
500+24.67 грн
1000+20.79 грн
3000+19.09 грн
6000+18.21 грн
9000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.27 грн
50+45.94 грн
100+31.62 грн
500+23.35 грн
1500+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : onsemi / Fairchild FDC640P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 10926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.31 грн
10+47.36 грн
100+28.11 грн
500+22.49 грн
1000+20.36 грн
3000+17.63 грн
6000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.62 грн
10+45.83 грн
100+31.58 грн
500+23.52 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3841FF295E28&compId=FDC640P.pdf?ci_sign=e62acd6897641b8745afb63ed3ad2ad103632860 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3841FF295E28&compId=FDC640P.pdf?ci_sign=e62acd6897641b8745afb63ed3ad2ad103632860 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.