Продукція > ONSEMI > FDC640P
FDC640P

FDC640P onsemi

fdc640p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC640P onsemi

Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm.

Інші пропозиції FDC640P за ціною від 17.12 грн до 72.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+23.24 грн
619+22.87 грн
629+22.51 грн
640+21.34 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.61 грн
33+23.24 грн
100+22.06 грн
250+20.10 грн
500+18.97 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.01 грн
25+30.61 грн
100+28.53 грн
500+24.39 грн
1000+21.10 грн
3000+19.04 грн
6000+18.27 грн
9000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+43.73 грн
100+28.67 грн
500+20.81 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P onsemi / Fairchild FDC640P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 10249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
609+23.24 грн
619+22.87 грн
629+22.51 грн
640+21.34 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+23.61 грн
33+23.24 грн
100+22.06 грн
250+20.10 грн
500+18.97 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1183+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1183+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.01 грн
25+30.61 грн
100+28.53 грн
500+24.39 грн
1000+21.10 грн
3000+19.04 грн
6000+18.27 грн
9000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+43.73 грн
100+28.67 грн
500+20.81 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P-D.PDF
FDC640P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 10249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC640P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC640P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.