FDC653N

FDC653N ON Semiconductor


fdc653ncn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC653N ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDC653N за ціною від 14.12 грн до 52.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC653N FDC653N Виробник : ONSEMI FAIRS25139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDC653N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC653N FDC653N Виробник : onsemi fdc653n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.68 грн
6000+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC653N FDC653N Виробник : ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC653N FDC653N Виробник : ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC653N FDC653N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014515303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.49 грн
500+ 21.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC653N FDC653N Виробник : ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.27 грн
6000+ 26.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC653N FDC653N Виробник : ONSEMI FDC653N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 56mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+37.8 грн
25+ 26.22 грн
41+ 19.7 грн
113+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC653N FDC653N Виробник : onsemi fdc653n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.94 грн
10+ 36.63 грн
100+ 25.36 грн
500+ 19.88 грн
1000+ 16.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC653N FDC653N Виробник : ONSEMI FDC653N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 56mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+45.36 грн
25+ 32.68 грн
41+ 23.64 грн
113+ 22.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDC653N FDC653N Виробник : onsemi / Fairchild FDC653N_D-2311964.pdf MOSFET SSOT-6 N-CH 30V
на замовлення 67563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.7 грн
10+ 36.3 грн
100+ 23.71 грн
500+ 20.24 грн
1000+ 16.18 грн
3000+ 14.45 грн
6000+ 14.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC653N FDC653N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014515303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.52 грн
18+ 43.85 грн
100+ 27.49 грн
500+ 21.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDC653N Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdc653n-d.pdf N-CH 30V 5A SSOT-6
на замовлення 35 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDC653N FDC653N Виробник : ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC653N FDC653N Виробник : ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній