на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC653N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC653N за ціною від 17.51 грн до 40.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC653N | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC653N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC653N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V |
на замовлення 30804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC653N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V |
на замовлення 59219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDC653N | Виробник : ONSEMI |
FDC653N SMD N channel transistors |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC653N | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
N-CH 30V 5A SSOT-6 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |