на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC658P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC658P за ціною від 12.58 грн до 56.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDC658P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-6 P-CH -30V |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V |
на замовлення 20449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC658P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |