Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC658P
FDC658P

FDC658P ON Semiconductor

fdc658p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC658P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC658P за ціною від 19.02 грн до 88.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi fdc658p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.38 грн
6000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1206+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 1206
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.70 грн
500+26.44 грн
1500+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+45.82 грн
279+44.73 грн
374+33.31 грн
386+31.08 грн
500+25.54 грн
1000+21.94 грн
3000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.87 грн
50+47.72 грн
100+33.70 грн
500+26.44 грн
1500+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.96 грн
9+49.17 грн
10+44.40 грн
50+33.72 грн
100+29.92 грн
250+25.72 грн
500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.27 грн
10+53.28 грн
50+40.47 грн
100+35.91 грн
250+30.86 грн
500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.22 грн
15+49.10 грн
25+47.92 грн
100+34.42 грн
250+30.83 грн
500+26.27 грн
1000+23.50 грн
3000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi / Fairchild FDC658P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.85 грн
10+47.41 грн
100+30.82 грн
500+24.92 грн
1000+22.36 грн
3000+20.57 грн
6000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+64.29 грн
15+50.15 грн
25+49.66 грн
50+45.87 грн
100+32.39 грн
250+30.50 грн
500+26.86 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi fdc658p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 8798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.18 грн
10+53.29 грн
100+35.10 грн
500+25.60 грн
1000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.