Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC658P
FDC658P

FDC658P ON Semiconductor

fdc658p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC658P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDC658P за ціною від 11.92 грн до 38.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
668+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 668
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.41 грн
27+ 21.72 грн
100+ 17.93 грн
250+ 16.5 грн
500+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.26 грн
23+ 32.49 грн
100+ 24.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi / Fairchild FDC658P_D-2312060.pdf MOSFET SSOT-6 P-CH -30V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.51 грн
10+ 31.01 грн
100+ 20.72 грн
500+ 17.2 грн
1000+ 14.95 грн
3000+ 13.35 грн
6000+ 12.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi fdc658p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.08 грн
10+ 31.55 грн
100+ 21.85 грн
500+ 17.14 грн
1000+ 14.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI FDC658P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -4A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi fdc658p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товар відсутній
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI FDC658P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -4A
Kind of channel: enhanced
товар відсутній