FDC658P

FDC658P ON Semiconductor


fdc658p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC658P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC658P за ціною від 16.91 грн до 78.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi fdc658p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.60 грн
6000+20.13 грн
9000+19.30 грн
15000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1206+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 1206
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.86 грн
500+25.00 грн
1500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+44.85 грн
279+43.78 грн
374+32.60 грн
386+30.41 грн
500+25.00 грн
1000+21.47 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.63 грн
15+41.64 грн
25+40.65 грн
100+29.19 грн
250+26.15 грн
500+22.28 грн
1000+19.94 грн
3000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.76 грн
50+45.12 грн
100+31.86 грн
500+25.00 грн
1500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.53 грн
15+42.54 грн
25+42.12 грн
50+38.91 грн
100+27.48 грн
250+25.87 грн
500+22.79 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi / Fairchild fdc658p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.46 грн
10+52.67 грн
100+31.78 грн
500+25.91 грн
1000+23.56 грн
3000+20.33 грн
6000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : onsemi fdc658p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 16496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+52.06 грн
100+35.44 грн
500+25.84 грн
1000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P Виробник : ONSEMI fdc658p-d.pdf FDC658P SMD P channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.42 грн
47+23.12 грн
128+21.83 грн
3000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P Виробник : ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.