Продукція > ONSEMI > FDD18N20LZ
FDD18N20LZ

FDD18N20LZ onsemi

fdd18n20lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 19336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.04 грн
5000+ 49.16 грн
12500+ 47.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD18N20LZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 89, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції FDD18N20LZ за ціною від 50.46 грн до 127.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Виробник : ONSEMI 2552622.pdf Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Виробник : ONSEMI 2552622.pdf Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 16
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+109.39 грн
10+ 98.3 грн
100+ 76.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Виробник : onsemi fdd18n20lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 19336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.6 грн
10+ 94.09 грн
100+ 74.89 грн
500+ 59.47 грн
1000+ 50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDD18N20LZ_D-2311968.pdf MOSFET 200V NChannel UniFET
на замовлення 66352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.6 грн
10+ 105.32 грн
100+ 73.13 грн
500+ 61.27 грн
1000+ 53.04 грн
2500+ 52.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Виробник : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Виробник : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Виробник : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній