Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD18N20LZ
FDD18N20LZ

FDD18N20LZ ON Semiconductor

fdd18n20lz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+126.11 грн
500+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD18N20LZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 89W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції FDD18N20LZ за ціною від 59.16 грн до 195.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD18N20LZ FDD18N20LZ ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.65 грн
250+91.29 грн
500+89.52 грн
1000+84.61 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ onsemi FDD18N20LZ-D.PDF Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.28 грн
10+121.33 грн
100+83.32 грн
500+62.93 грн
1000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ onsemi FDD18N20LZ-D.PDF MOSFETs 200V NChannel UniFET
на замовлення 51266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ ONSEMI 2552622.pdf Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ ONSEMI 2552622.pdf Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ fdd18n20lz-d.pdf
FDD18N20LZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+126.11 грн
500+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ fdd18n20lz-d.pdf
FDD18N20LZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+148.65 грн
250+91.29 грн
500+89.52 грн
1000+84.61 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ-D.PDF
FDD18N20LZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.28 грн
10+121.33 грн
100+83.32 грн
500+62.93 грн
1000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ-D.PDF
FDD18N20LZ
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V NChannel UniFET
на замовлення 51266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ 2552622.pdf
FDD18N20LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ 2552622.pdf
FDD18N20LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.