FDD18N20LZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 57.41 грн |
| 5000+ | 53.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD18N20LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDD18N20LZ за ціною від 58.93 грн до 213.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD18N20LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD18N20LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD18N20LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD18N20LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD18N20LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD18N20LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD18N20LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V NChannel UniFET |
на замовлення 56561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD18N20LZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs 200V NChannel UniFET |
на замовлення 53531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD18N20LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V |
на замовлення 8331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD18N20LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD18N20LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDD18N20LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |