на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6301N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 0, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDG6301N за ціною від 7.68 грн до 37.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG6301N | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6301N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6301N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6301N | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6301N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 65472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6301N | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6301N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SC70-6 N-CH 25V |
на замовлення 82622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6301N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDG6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDG6301N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |