Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDG6301N
FDG6301N

FDG6301N ON Semiconductor

fdg6301n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6301N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDG6301N за ціною від 7.72 грн до 33.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDG6301N FDG6301N Виробник : ON Semiconductor fdg6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : ON Semiconductor fdg6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : onsemi fdg6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.92 грн
6000+9.06 грн
9000+8.42 грн
30000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : ONSEMI FDG6301N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+26.05 грн
19+20.79 грн
25+18.97 грн
79+11.49 грн
218+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : onsemi fdg6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.83 грн
13+24.26 грн
100+16.83 грн
500+12.33 грн
1000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : ONSEMI FDG6301N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.26 грн
11+25.90 грн
25+22.77 грн
79+13.79 грн
218+12.97 грн
1000+12.79 грн
3000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : onsemi / Fairchild FDG6301N_D-2312371.pdf MOSFETs SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.10 грн
13+27.71 грн
100+16.76 грн
500+12.99 грн
1000+10.67 грн
3000+8.49 грн
9000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : ON Semiconductor fdg6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : ON Semiconductor fdg6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N Виробник : ON Semiconductor fdg6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.