Продукція > ONSEMI > FDG6301N
FDG6301N

FDG6301N onsemi

fdg6301n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.88 грн
6000+9.03 грн
9000+8.38 грн
30000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6301N onsemi

Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDG6301N за ціною від 9.99 грн до 29.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDG6301N FDG6301N ON Semiconductor fdg6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N ON Semiconductor fdg6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N onsemi fdg6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.72 грн
13+24.17 грн
100+16.77 грн
500+12.29 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N onsemi / Fairchild FDG6301N_D-2312371.pdf MOSFETs SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N ONSEMI ONSM-S-A0013669802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N ONSEMI fdg6301n-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N ONN fdg6301n-d.pdf
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N fdg6301n-d.pdf
FDG6301N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N fdg6301n-d.pdf
FDG6301N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N fdg6301n-d.pdf
FDG6301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.72 грн
13+24.17 грн
100+16.77 грн
500+12.29 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N_D-2312371.pdf
FDG6301N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N ONSM-S-A0013669802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDG6301N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N fdg6301n-d.pdf
FDG6301N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N fdg6301n-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.