Продукція > ONSEMI > FDMC86244
FDMC86244

FDMC86244 onsemi

fdmc86244-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.66 грн
6000+ 30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86244 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC86244 за ціною від 22.48 грн до 96.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : onsemi fdmc86244-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.4 грн
10+ 64.1 грн
100+ 49.86 грн
500+ 39.66 грн
1000+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86244_D-2312361.pdf MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 12150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.79 грн
10+ 71.91 грн
100+ 48.21 грн
500+ 40.89 грн
1000+ 33.3 грн
3000+ 31.37 грн
6000+ 29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : ONSEMI 2304473.pdf Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+96.37 грн
10+ 74.7 грн
100+ 54.09 грн
500+ 42.59 грн
1000+ 30.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDMC86244 Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 2,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75; Qg, нКл = 5,9 @ 10 В; Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Id2 = 9,4 А; POWER-33
на замовлення 58 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+25.94 грн
26+ 24.21 грн
100+ 22.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDMC86244 Виробник : On Semiconductor fdmc86244-d.pdf MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86244 Виробник : ONSEMI fdmc86244-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 9.4A; Idm: 12A; 26W; WDFN8
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 254mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.9nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC86244 Виробник : ONSEMI fdmc86244-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 9.4A; Idm: 12A; 26W; WDFN8
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 254mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.9nC
товар відсутній