FDMC86244 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86244 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86244 за ціною від 27.26 грн до 131.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC86244 | On Semiconductor |
MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 Транзистори |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86244 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86244 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86244 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V |
на замовлення 5219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86244 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMC86244 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMC86244 | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75, Qg, нКл = 5,9 @ 10 В, Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Id2 = 9,4 А,... Транзистори Корпус: POWER-33 Од.кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| FDMC86244 |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 Транзистори
MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 Транзистори
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.36 грн |
| FDMC86244 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 482+ | 73.44 грн |
| 535+ | 66.10 грн |
| 1000+ | 60.96 грн |
| FDMC86244 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 482+ | 73.44 грн |
| 535+ | 66.10 грн |
| 1000+ | 60.96 грн |
| FDMC86244 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 5219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.73 грн |
| 10+ | 80.74 грн |
| 100+ | 54.23 грн |
| 500+ | 40.24 грн |
| 1000+ | 36.81 грн |
| FDMC86244 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC86244 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC86244 |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75, Qg, нКл = 5,9 @ 10 В, Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Id2 = 9,4 А,... Транзистори Корпус: POWER-33 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75, Qg, нКл = 5,9 @ 10 В, Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Id2 = 9,4 А,... Транзистори Корпус: POWER-33 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.26 грн |





