Продукція > ONSEMI > FDMC86244
FDMC86244

FDMC86244 onsemi

fdmc86244-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86244 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDMC86244 за ціною від 31.47 грн до 131.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : ONSEMI 2304473.pdf Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.27 грн
10+83.85 грн
100+60.40 грн
500+47.47 грн
1000+33.56 грн
5000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86244_D-1807772.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.14 грн
10+81.70 грн
25+70.32 грн
100+48.69 грн
250+48.47 грн
500+38.97 грн
1000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : onsemi fdmc86244-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 6324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.88 грн
10+80.58 грн
100+54.10 грн
500+40.14 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 2,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75; Qg, нКл = 5,9 @ 10 В; Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Id2 = 9,4 А; POWER-33
на замовлення 58 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 Виробник : On Semiconductor fdmc86244-d.pdf MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 FDMC86244 Виробник : ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 Виробник : ONSEMI fdmc86244-d.pdf FDMC86244 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.