FDMC86244 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 36.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86244 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMC86244 за ціною від 22.48 грн до 133.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86244 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86244 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86244 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V |
на замовлення 6324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMC86244 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 2,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75; Qg, нКл = 5,9 @ 10 В; Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Id2 = 9,4 А; POWER-33 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDMC86244 | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMC86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDMC86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMC86244 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 9.4A; Idm: 12A; 26W; WDFN8 Case: WDFN8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 9.4A On-state resistance: 254mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDMC86244 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 9.4A; Idm: 12A; 26W; WDFN8 Case: WDFN8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 9.4A On-state resistance: 254mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |