на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN336P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDN336P за ціною від 7.97 грн до 44.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 9480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDN336P Код товару: 135239 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |