FDN336P

FDN336P ONSEMI


FAIRS23417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN336P ONSEMI

Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN336P за ціною від 7.99 грн до 59.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.56 грн
6000+9.81 грн
9000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.75 грн
6000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.52 грн
6000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.72 грн
500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi / Fairchild FDN336P_D-2312957.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.86 грн
12+26.62 грн
100+16.04 грн
500+12.56 грн
1000+10.45 грн
3000+8.94 грн
45000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.25 грн
12+26.85 грн
100+18.82 грн
500+13.42 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI fdn336p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+42.38 грн
50+29.55 грн
100+21.27 грн
500+15.02 грн
1500+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P Виробник : ON-Semiconductor fdn336p-d.pdf P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P Виробник : ONSEMI fdn336p-d.pdf FDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.37 грн
72+16.27 грн
198+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P
Код товару: 135239
Додати до обраних Обраний товар

fdn336p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.