Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN336P
FDN336P

FDN336P ON Semiconductor

fdn336p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN336P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN336P за ціною від 8.12 грн до 44.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.40 грн
6000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.12 грн
6000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI FAIRS23417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.80 грн
6000+10.03 грн
9000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.13 грн
500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi / Fairchild FDN336P_D-2312957.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.86 грн
12+28.29 грн
100+17.05 грн
500+13.35 грн
1000+11.10 грн
3000+9.51 грн
45000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+37.45 грн
16+24.04 грн
50+19.35 грн
71+12.47 грн
195+11.79 грн
1000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI fdn336p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.83 грн
50+27.68 грн
100+18.89 грн
500+13.76 грн
1500+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.17 грн
12+27.44 грн
100+19.24 грн
500+13.71 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.94 грн
10+29.95 грн
50+23.22 грн
71+14.97 грн
195+14.15 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P
Код товару: 135239
Додати до обраних Обраний товар

fdn336p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P Виробник : ON-Semicoductor fdn336p-d.pdf P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.