Інші пропозиції FDN336P за ціною від 8.12 грн до 43.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN336P | Виробник : ON-Semiconductor |
 P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN336P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN336P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN336P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN336P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN336P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 12453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN336P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDN336P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |