Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN336P
FDN336P

FDN336P ON Semiconductor

fdn336p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN336P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDN336P за ціною від 7.28 грн до 42.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+8.77 грн
15000+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.29 грн
6000+ 8.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.3 грн
6000+ 8.5 грн
9000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 18560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.08 грн
12+ 22.71 грн
100+ 15.78 грн
500+ 11.57 грн
1000+ 9.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+30.03 грн
23+ 25.64 грн
25+ 25.38 грн
100+ 18.6 грн
250+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.14 грн
500+ 27.44 грн
1000+ 24.77 грн
3000+ 24.21 грн
6000+ 23.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+35.09 грн
25+ 16.9 грн
70+ 11.15 грн
191+ 10.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+41.27 грн
24+ 30.72 грн
100+ 30.14 грн
500+ 27.44 грн
1000+ 24.77 грн
3000+ 24.21 грн
6000+ 23.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN336P FDN336P Виробник : ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.1 грн
25+ 21.06 грн
70+ 13.38 грн
191+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN336P Виробник : ON-Semicoductor fdn336p-d.pdf P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN336P FDN336P Виробник : ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN336P FDN336P Виробник : onsemi / Fairchild FDN336P_D-2312957.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
товар відсутній
FDN336P
Код товару: 135239 		fdn336p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній