на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 21.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6675BZ ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS6675BZ за ціною від 18.96 грн до 72.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
на замовлення 28745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 21.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET |
на замовлення 38582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 21.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V |
на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
на замовлення 28745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDS6675BZ Код товару: 57036 |
Виробник : ON |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 11 А Rds(on),Om: 0,015 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |