Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS6675BZ ON

FDS6675BZ ON

Name: FDS6675BZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: 13645542-5
Price: 12944.09 UAH
Availability: InStock

Код товару: 57036

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції FDS6675BZ за ціною від 24.07 грн до 106.80 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDS6675BZ

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
367+	35.27 грн
371+	34.92 грн
408+	31.72 грн
412+	30.28 грн
500+	26.27 грн
1000+	24.07 грн

Мінімальне замовлення: 367

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 125000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	39.05 грн
5000+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
823+	39.33 грн
1000+	36.26 грн

Мінімальне замовлення: 823

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 34500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
823+	39.33 грн
1000+	36.26 грн
10000+	32.33 грн

Мінімальне замовлення: 823

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
326+	39.77 грн
500+	36.48 грн
1000+	33.17 грн
2500+	30.98 грн
5000+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 326

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON-Semiconductor

Код виробника: FDS6675BZ RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	42.12 грн
500+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 125000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	43.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	43.33 грн
20+	37.79 грн
25+	37.41 грн
100+	32.77 грн
250+	30.04 грн
500+	27.02 грн
1000+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	44.52 грн
500+	31.34 грн
1000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ONSEMI

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 21.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar

на замовлення 1938 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	84.25 грн
7+	62.58 грн
10+	54.51 грн
50+	38.61 грн
100+	33.65 грн
500+	29.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	89.62 грн
10+	54.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : onsemi

MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET

на замовлення 10868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	99.47 грн
10+	53.68 грн
100+	34.87 грн
500+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	106.80 грн
50+	59.27 грн
100+	44.52 грн
500+	31.34 грн
1000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON-Semiconductor

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	39.93 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON-Semiconductor

Код виробника: FDS6675BZ Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 2500 шт

на замовлення 122500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	43.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON-Semiconductor

Код виробника: FDS6675BZ Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 2500 шт

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	43.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : Fairchild/ON Semiconductor

P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2470 @ 15, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDS6675BZ

Виробник : onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

MCP6002-I/MS
Код товару: 213166

Додати до обраних Обраний товар

MCP6001-1R-1U-2-4-1-MHz-Low-Power-Op-Amp-DS20001733L.pdf

Мікросхеми > Операційні підсилювачі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

LB1836M
Код товару: 174858

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Мікросхеми > Драйвери двигунів
Корпус: MFP-14
Vc, V: 2 ... 9 V
Примітка: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 2-CH BRUSH MOTOR
Робоча температура, °С: -40 ... +85°C

у наявності: 43 шт

26 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
1+	44.00 грн
10+	39.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697

9 Додати до обраних Обраний товар

irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD

у наявності: 7554 шт

7304 шт - склад
210 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків

Кількість	Ціна
5+	4.00 грн
10+	3.50 грн
100+	2.90 грн
1000+	2.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

74HC123D.652
Код товару: 36603

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-16
Опис: Monostable Multi-vibrator DUAL RETRIG
Монтаж: SMD
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40…+125°C

товару немає в наявності

Кількість	Ціна
1+	20.00 грн
10+	9.90 грн
100+	8.70 грн

В кошику од. на суму грн.