Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS6675BZ ON
FDS6675BZ

FDS6675BZ ON

fds6675bz52181.pdf
Код товару: 57036
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6675BZ за ціною від 20.75 грн до 102.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.29 грн
5000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.65 грн
371+38.26 грн
408+34.76 грн
412+33.18 грн
500+28.79 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.94 грн
5000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ON-Semiconductor info-tfds6675bz.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
823+43.09 грн
1000+39.74 грн
10000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 823 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
823+43.09 грн
1000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 823 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+43.57 грн
500+39.97 грн
1000+36.34 грн
2500+33.94 грн
5000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.97 грн
500+30.96 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.31 грн
20+38.65 грн
25+38.26 грн
100+33.52 грн
250+30.72 грн
500+27.64 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.22 грн
7+61.82 грн
10+53.85 грн
50+38.14 грн
100+33.24 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.36 грн
100+37.94 грн
500+27.77 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 12973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+60.42 грн
100+35.14 грн
500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI FDS6675BZ-D.PDF Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.29 грн
50+55.98 грн
100+41.80 грн
500+29.39 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
FDS6675BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+23.29 грн
5000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
367+38.65 грн
371+38.26 грн
408+34.76 грн
412+33.18 грн
500+28.79 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+39.94 грн
5000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ info-tfds6675bz.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
823+43.09 грн
1000+39.74 грн
10000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 823 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
823+43.09 грн
1000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 823 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
326+43.57 грн
500+39.97 грн
1000+36.34 грн
2500+33.94 грн
5000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ 2284482.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.97 грн
500+30.96 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+44.31 грн
20+38.65 грн
25+38.26 грн
100+33.52 грн
250+30.72 грн
500+27.64 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+83.22 грн
7+61.82 грн
10+53.85 грн
50+38.14 грн
100+33.24 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
FDS6675BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.75 грн
10+57.36 грн
100+37.94 грн
500+27.77 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
FDS6675BZ
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 12973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.26 грн
10+60.42 грн
100+35.14 грн
500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+102.29 грн
50+55.98 грн
100+41.80 грн
500+29.39 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MCP6002-I/MS
Код товару: 213166
Додати до обраних Обраний товар
description MCP6001-1R-1U-2-4-1-MHz-Low-Power-Op-Amp-DS20001733L.pdf
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LB1836M
Код товару: 174858
Додати до обраних Обраний товар
lb1836m-d.pdf
LB1836M
Виробник: ON
Мікросхеми > Драйвери двигунів
Корпус: MFP-14
Vc, V: 2...9 V
Примітка: Контролери та драйвери двигунів / руху / запалювання, 2-канальний драйвер колекторного двигуна
Робоча температура, °С: -40...+85 °C
у наявності: 43 шт
  • 26 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697
10 Додати до обраних Обраний товар
irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4658 шт
  • 4657 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 600 шт
  • 600 шт - очікується
КількістьЦіна
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+2.90 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123D.652
Код товару: 36603
Додати до обраних Обраний товар
74HC_HCT123-224993.pdf
74HC123D.652
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-16
Опис: Monostable Multi-vibrator DUAL RETRIG
Монтаж: SMD
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40…+125°C
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+9.90 грн
100+8.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.