Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6675BZ
FDS6675BZ

FDS6675BZ ON Semiconductor

fds6675bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6675BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6675BZ за ціною від 20.87 грн до 90.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.33 грн
5000+21.77 грн
7500+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.68 грн
5000+23.39 грн
7500+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.52 грн
5000+25.13 грн
7500+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.92 грн
5000+29.24 грн
7500+28.92 грн
10000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
379+32.19 грн
380+32.09 грн
432+28.23 грн
434+27.10 грн
500+24.80 грн
1000+23.52 грн
3000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+33.06 грн
21+29.89 грн
25+29.80 грн
100+25.28 грн
250+23.30 грн
500+22.11 грн
1000+21.84 грн
3000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
357+34.16 грн
395+30.83 грн
500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.69 грн
500+29.05 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
743+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 743
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 21.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.92 грн
10+40.98 грн
30+29.97 грн
83+28.36 грн
1000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 10955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+48.16 грн
100+34.58 грн
500+27.23 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ
Код товару: 57036
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ON fds6675bz52181.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 21.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.11 грн
10+51.06 грн
30+35.96 грн
83+34.04 грн
1000+33.58 грн
2500+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.28 грн
50+54.91 грн
100+38.69 грн
500+29.05 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 21640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.76 грн
10+59.00 грн
100+35.37 грн
500+27.96 грн
1000+25.91 грн
2500+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ Виробник : ON-Semicoductor FDS6675BZ-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.