Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6675BZ
FDS6675BZ

FDS6675BZ ON Semiconductor

fds6675bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6675BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS6675BZ за ціною від 22.15 грн до 98.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.93 грн
5000+23.10 грн
7500+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
488+26.08 грн
509+24.98 грн
511+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 488
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.66 грн
5000+26.54 грн
7500+25.66 грн
12500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
457+27.81 грн
459+27.71 грн
487+26.12 грн
488+25.12 грн
500+23.22 грн
1000+22.26 грн
3000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 457
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.67 грн
5000+28.47 грн
7500+27.52 грн
12500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.13 грн
25+29.69 грн
100+26.99 грн
250+24.92 грн
500+23.89 грн
1000+23.85 грн
3000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
823+38.61 грн
1000+35.60 грн
10000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 823
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
823+38.61 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 823
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.60 грн
500+33.45 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.42 грн
50+56.92 грн
100+42.60 грн
500+33.45 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 11229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.14 грн
10+57.08 грн
100+35.20 грн
500+28.70 грн
1000+26.48 грн
2500+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ
Код товару: 57036
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ON fds6675bz52181.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 10988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.63 грн
10+59.71 грн
100+39.48 грн
500+28.90 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ Виробник : ON-Semiconductor FDS6675BZ-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ Виробник : ONSEMI FDS6675BZ-D.PDF FDS6675BZ SMD P channel transistors
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.30 грн
31+38.75 грн
84+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.