Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6675BZ
FDS6675BZ

FDS6675BZ ON Semiconductor

fds6675bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6675BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS6675BZ за ціною від 21.24 грн до 94.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.86 грн
5000+22.15 грн
7500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
488+25.60 грн
509+24.52 грн
511+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 488
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.15 грн
5000+26.04 грн
7500+25.18 грн
12500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
457+27.29 грн
459+27.20 грн
487+25.64 грн
488+24.66 грн
500+22.79 грн
1000+21.85 грн
3000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 457
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.12 грн
5000+27.94 грн
7500+27.01 грн
12500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+30.55 грн
25+29.14 грн
100+26.49 грн
250+24.46 грн
500+23.45 грн
1000+23.41 грн
3000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
823+37.90 грн
1000+34.95 грн
10000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 823
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
823+37.90 грн
1000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 823
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.85 грн
500+32.07 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.73 грн
10+39.91 грн
50+32.31 грн
100+29.54 грн
250+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ
Код товару: 57036
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ON fds6675bz52181.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.48 грн
6+54.28 грн
10+47.90 грн
50+38.77 грн
100+35.45 грн
250+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.32 грн
50+54.58 грн
100+40.85 грн
500+32.07 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 11229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.97 грн
10+54.73 грн
100+33.76 грн
500+27.52 грн
1000+25.39 грн
2500+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 10988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.58 грн
10+57.26 грн
100+37.86 грн
500+27.71 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ Виробник : ON-Semicoductor FDS6675BZ-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.