Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6675BZ
FDS6675BZ

FDS6675BZ ON Semiconductor

fds6675bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6675BZ ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6675BZ за ціною від 18.96 грн до 73.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.47 грн
5000+ 21.67 грн
10000+ 20.85 грн
15000+ 19.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.23 грн
5000+ 23.37 грн
10000+ 22.49 грн
15000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 28745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.15 грн
500+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+41.83 грн
25+ 37.6 грн
30+ 27.68 грн
80+ 26.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6675BZ_D-2313154.pdf MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 38582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.83 грн
10+ 38.83 грн
100+ 26.5 грн
500+ 23.71 грн
1000+ 21.58 грн
2500+ 20.04 грн
5000+ 19.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
260+45.05 грн
262+ 44.6 грн
340+ 34.34 грн
344+ 32.78 грн
500+ 26.34 грн
1000+ 21.39 грн
3000+ 20.42 грн
Мінімальне замовлення: 260
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+49.05 грн
14+ 41.83 грн
25+ 41.42 грн
100+ 30.75 грн
250+ 28.19 грн
500+ 23.48 грн
1000+ 19.86 грн
3000+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.2 грн
25+ 46.85 грн
30+ 33.21 грн
80+ 31.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.79 грн
10+ 50.22 грн
100+ 34.75 грн
500+ 27.25 грн
1000+ 23.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 28745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+73.51 грн
14+ 56.85 грн
100+ 39.15 грн
500+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS6675BZ Виробник : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003584944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS6675BZ FDS6675BZ
Код товару: 57036 		Виробник : ON fds6675bz52181.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44
товар відсутній
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6675BZ FDS6675BZ Виробник : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній