на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 29.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6898A ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS6898A за ціною від 13.09 грн до 624 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS6898A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6898A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 58095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 |
на замовлення 21224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : Fairchild |
2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 9,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10; Qg, нКл = 23 @ 4,5 В; Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,9; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A Код товару: 46542 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |