Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6898A
FDS6898A

FDS6898A ON Semiconductor

fds6898a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6898A ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS6898A за ціною від 13.12 грн до 624 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6898A FDS6898A Виробник : onsemi FDS6898A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.71 грн
5000+ 28.16 грн
12500+ 26.86 грн
25000+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6898A FDS6898A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584060-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6898A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6898A FDS6898A Виробник : ONSEMI FDS6898A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.25 грн
21+ 42.72 грн
57+ 40.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS6898A FDS6898A Виробник : onsemi FDS6898A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 58095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.67 грн
10+ 58.49 грн
100+ 45.49 грн
500+ 36.19 грн
1000+ 29.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6898A FDS6898A Виробник : ONSEMI FDS6898A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79 грн
5+ 68.84 грн
21+ 51.26 грн
57+ 48.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6898A FDS6898A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6898A_D-2312911.pdf MOSFETs SO-8
на замовлення 21224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+82.58 грн
10+ 66.91 грн
100+ 45.28 грн
500+ 38.26 грн
1000+ 30.65 грн
2500+ 30.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6898A Виробник : Fairchild FDS6898A.pdf 2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6898A Виробник : Fairchild/ON Semiconductor FDS6898A.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 9,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10; Qg, нКл = 23 @ 4,5 В; Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,9; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 93.04 грн
100+ 86.39 грн
FDS6898A FDS6898A
Код товару: 46542 		FDS6898A.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FDS6898A FDS6898A Виробник : ON Semiconductor 3676869606892399fds6898a.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6898A FDS6898A Виробник : ON Semiconductor fds6898a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6898A FDS6898A Виробник : ON Semiconductor fds6898a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній