FDS6898A
Код товару: 46542
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS6898A за ціною від 13.73 грн до 624.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS6898A | Fairchild |
2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6898A | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOICMounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6898A | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 9.4A On-state resistance: 21mΩ Gate charge: 23nC Gate-source voltage: ±12V Technology: PowerTrench® Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1686 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6898A | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOICPart Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 19890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS6898A | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
на замовлення 12966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDS6898A | Fairchild/ON Semiconductor |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| FDS6898A |
![]() |
Виробник: Fairchild
2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a
кількість в упаковці: 100 шт
2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.73 грн |
| FDS6898A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.03 грн |
| 5000+ | 29.54 грн |
| 7500+ | 28.39 грн |
| 12500+ | 26.57 грн |
| FDS6898A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 78.58 грн |
| 7+ | 60.36 грн |
| 10+ | 55.30 грн |
| 50+ | 44.94 грн |
| 100+ | 41.12 грн |
| 500+ | 39.63 грн |
| FDS6898A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.89 грн |
| 10+ | 73.87 грн |
| 100+ | 49.37 грн |
| 500+ | 36.46 грн |
| 1000+ | 33.28 грн |
| FDS6898A |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
MOSFETs SO-8
на замовлення 12966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS6898A |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 624.00 грн |
| 10+ | 111.06 грн |
| 100+ | 95.20 грн |
З цим товаром купують
| LM96000CIMT/NOPB мікросхема Код товару: 203792
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





