FDS6898A
Код товару: 46542
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS6898A за ціною від 13.72 грн до 624.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6898A | Виробник : Fairchild |
2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6898A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 21mΩ Drain current: 9.4A Gate charge: 23nC Gate-source voltage: ±12V Technology: PowerTrench® Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
на замовлення 12966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6898A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 19890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS6898A | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| LM96000CIMT/NOPB мікросхема Код товару: 203792
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.