FESB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.77 грн |
| 10+ | 87.06 грн |
| 100+ | 69.31 грн |
| 500+ | 55.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FESB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції FESB16DT-E3/45 за ціною від 44.82 грн до 119.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FESB16DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 16 Amp 200 Volt 35ns |
на замовлення 9833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FESB16DT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 16A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 0.975V; tube Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 16A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 175pF Case: D2PAK Max. forward voltage: 0.975V Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 500µA Kind of package: tube |
товар відсутній |