FESB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 5798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.56 грн |
| 10+ | 109.26 грн |
| 100+ | 77.52 грн |
| 500+ | 65.59 грн |
| 1000+ | 56.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FESB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції FESB16DT-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FESB16DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263ABPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |