IRF540ZPBF
Код товару: 42002
Виробник: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності 193 шт:
193 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 31 грн |
10+ | 28.1 грн |
100+ | 25.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540ZPBF IR
- MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.0265ohm
- Power Dissipation:92W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:36A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
- Power Dissipation Pd:92W
- Pulse Current Idm:140A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF540ZPBF за ціною від 23.01 грн до 85.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 92W Technology: HEXFET® On-state resistance: 26.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg |
на замовлення 14178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 92W Technology: HEXFET® On-state resistance: 26.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 785 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 40708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
NE555P Код товару: 26138 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2282 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.8 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 39032 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |
22 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-22R-Hitano) Код товару: 11070 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 22 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 22 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 297 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |
200 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-200R-Hitano) (S) Код товару: 13743 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 200 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 200 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 3631 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CF1/4W-1K ) Код товару: 13760 |
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
очікується:
25000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |