Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF540ZPBF
IRF540ZPBF

IRF540ZPBF

irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
Код товару: 42002
3 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0266 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF540ZPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.0265ohm
  • Power Dissipation:92W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:36A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
  • Power Dissipation Pd:92W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF540ZPBF за ціною від 35.88 грн до 158.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.50 грн
10+45.68 грн
50+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.37 грн
50+75.88 грн
100+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.37 грн
187+75.88 грн
200+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.41 грн
50+77.33 грн
100+71.98 грн
500+56.68 грн
1000+48.08 грн
2000+42.80 грн
5000+36.99 грн
10000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.90 грн
182+77.78 грн
196+72.40 грн
500+57.01 грн
1000+48.36 грн
2000+43.05 грн
5000+37.20 грн
10000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 41822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.86 грн
50+74.25 грн
100+66.55 грн
500+49.81 грн
1000+45.74 грн
2000+42.32 грн
5000+37.98 грн
10000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
на замовлення 27268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.50 грн
10+45.68 грн
50+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.37 грн
50+75.88 грн
100+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
174+81.37 грн
187+75.88 грн
200+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+83.41 грн
50+77.33 грн
100+71.98 грн
500+56.68 грн
1000+48.08 грн
2000+42.80 грн
5000+36.99 грн
10000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
169+83.90 грн
182+77.78 грн
196+72.40 грн
500+57.01 грн
1000+48.36 грн
2000+43.05 грн
5000+37.20 грн
10000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 41822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.86 грн
50+74.25 грн
100+66.55 грн
500+49.81 грн
1000+45.74 грн
2000+42.32 грн
5000+37.98 грн
10000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
на замовлення 27268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 2705
Додати до обраних Обраний товар
MER_070523.pdf
MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 1 мкФ
Ном.напруга, В: 250 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 20 мм
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 10,5x18x24 мм
Part Number: MER105K2EBA
УКТЗЕД: 8532 29 00 00
у наявності: 46 шт
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 01.11.2026
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.50 грн
10+6.70 грн
100+6.10 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 9969
1 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 669 шт
  • 669 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується 06.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
10000+0.30 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
Код товару: 20638
3 Додати до обраних Обраний товар
2N7000-D.PDF
2N7000
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1612 шт
  • 1612 шт - склад
на замовлення: 50 шт
  • 50 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0078 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 88 шт
  • 88 шт - склад
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+50.00 грн
10+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TL072CP
Код товару: 24233
7 Додати до обраних Обраний товар
tl071.pdf?HQS=dis-dk-null-digikeymode-dsf-pf-null-wwe&ts=1721694323530
TL072CP
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8
Напруга живлення Vc, В: ±18 В
Смуга пропускання BW, МГц: 3 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 3 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 13 В/µs
Температурний діапазон: -40...+85°С
Додаткові параметри: JFET-вхід, к-сть каналів: 2
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
  • 108 шт - склад
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується 13.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.