IRF540ZPBF
Код товару: 42002
3
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0266 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 31.00 грн |
| 10+ | 28.10 грн |
| 100+ | 25.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540ZPBF IR
- MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.0265ohm
- Power Dissipation:92W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:36A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
- Power Dissipation Pd:92W
- Pulse Current Idm:140A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF540ZPBF за ціною від 35.80 грн до 225.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 1198 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 37878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 40233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 40233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm |
на замовлення 4044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg |
на замовлення 14996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.36 грн |
| 10+ | 45.58 грн |
| 50+ | 36.32 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 109.78 грн |
| 100+ | 98.41 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 129+ | 109.78 грн |
| 144+ | 98.41 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 37878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.50 грн |
| 50+ | 74.08 грн |
| 100+ | 66.41 грн |
| 500+ | 49.70 грн |
| 1000+ | 45.64 грн |
| 2000+ | 42.22 грн |
| 5000+ | 37.90 грн |
| 10000+ | 35.80 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 224.10 грн |
| 130+ | 108.72 грн |
| 145+ | 97.46 грн |
| 500+ | 74.93 грн |
| 1000+ | 63.71 грн |
| 2000+ | 56.59 грн |
| 5000+ | 51.64 грн |
| 10000+ | 48.80 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 225.23 грн |
| 50+ | 109.26 грн |
| 100+ | 97.95 грн |
| 500+ | 75.32 грн |
| 1000+ | 64.04 грн |
| 2000+ | 56.88 грн |
| 5000+ | 51.90 грн |
| 10000+ | 49.04 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 4044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
на замовлення 14996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| L7812CV Код товару: 29158
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 2 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: THT
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 2 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: THT
у наявності: 3195 шт
- 3037 шт - склад
- 54 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 75 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10.50 грн |
| 10+ | 9.40 грн |
| 100+ | 8.50 грн |
| 1000+ | 7.90 грн |
| MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (конденсатор плівковий) Код товару: 2705
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 1 мкФ
Ном.напруга, В: 250 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 20 мм
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 10,5x18x24 мм
Part Number: MER105K2EBA
УКТЗЕД: 8532 29 00 00
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 1 мкФ
Ном.напруга, В: 250 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 20 мм
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 10,5x18x24 мм
Part Number: MER105K2EBA
УКТЗЕД: 8532 29 00 00
у наявності: 102 шт
- 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 53 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.70 грн |
| 100+ | 6.10 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |
| IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1510 шт
- 1474 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 9969
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 769 шт
- 769 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 40000 шт
- 40000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 10000+ | 0.30 грн |
| 2N7000 Код товару: 20638
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1658 шт
- 1658 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |












