IRF540ZPBF


irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
Код товару: 42002
3 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0266 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
  • 125 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF540ZPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.0265ohm
  • Power Dissipation:92W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:36A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
  • Power Dissipation Pd:92W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF540ZPBF за ціною від 48.56 грн до 240.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
7+66.25 грн
10+52.92 грн
20+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.46 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.34 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.77 грн
7+66.25 грн
10+52.92 грн
20+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+138.46 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+155.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+155.34 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.17 грн
10+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+240.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

STP55NF06
Код товару: 1982
2 Додати до обраних Обраний товар
description STP55NF06_.pdf
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,018 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/44
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 167 шт
  • 141 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+23.50 грн
10+22.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 2705
Додати до обраних Обраний товар
MER_070523.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 1 мкФ
Ном.напруга, В: 250 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 20 мм
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 10,5x18x24 мм
Part Number: MER105K2EBA
УКТЗЕД: 8532 29 00 00
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 01.11.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+20 грн
3+7.50 грн
10+6.70 грн
100+6.10 грн
1000+5.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 352 шт
  • 289 шт - склад
  • 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 9969
1 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 19 шт
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100000 шт
  • 40000 шт - очікується 06.10.2026
  • 60000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
19+1.05 грн
30+0.90 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
10000+0.30 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
6 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 6941 шт
  • 5119 шт - склад
  • 230 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 682 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 910 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 41000 шт
  • 1000 шт - очікується
  • 40000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.