IRF540ZPBF
Код товару: 42002
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності 249 шт:
192 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 31.00 грн |
| 10+ | 28.10 грн |
| 100+ | 25.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540ZPBF IR
- MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.0265ohm
- Power Dissipation:92W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:36A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
- Power Dissipation Pd:92W
- Pulse Current Idm:140A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF540ZPBF за ціною від 27.23 грн до 65.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26.5mΩ Gate charge: 42nC |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 44263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26.5mΩ Gate charge: 42nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF540ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 1N4007 Код товару: 176822
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 11457 шт
9164 шт - склад
358 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1414 шт - РАДІОМАГ-Харків
517 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
358 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1414 шт - РАДІОМАГ-Харків
517 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
81000 шт
1000 шт - очікується
80000 шт - очікується 27.11.2025
80000 шт - очікується 27.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| NE555P Код товару: 26138
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1949 шт
1853 шт - склад
67 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
67 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| 10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2210
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 28265 шт
19452 шт - склад
4290 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
4500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4290 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
4500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.15 грн |
| 10000+ | 0.12 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 57644 шт
48511 шт - склад
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
690 шт - РАДІОМАГ-Харків
4048 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
690 шт - РАДІОМАГ-Харків
4048 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |









