Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

IRFP260NPBF

irfp260npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628a2ef1fe4
Код товару: 47253
Виробник: IR
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності 131 шт:
79 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+162 грн
10+ 150.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRFP260NPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP260N IRFP260N
Код товару: 18423 		Виробник : IR irfp260n.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+138 грн
10+ 130 грн

Інші пропозиції IRFP260NPBF за ціною від 62.46 грн до 351.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 234nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+162.86 грн
5+ 135.96 грн
8+ 104.05 грн
22+ 98.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 234nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
On-state resistance: 40mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.43 грн
5+ 169.43 грн
8+ 124.86 грн
22+ 118.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies irfp260npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628a2ef1fe4 Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.7 грн
25+ 205.22 грн
100+ 175.91 грн
500+ 146.74 грн
1000+ 125.65 грн
2000+ 118.31 грн
5000+ 111.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP260N_DataSheet_v01_01_EN-3363258.pdf MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.12 грн
10+ 286.42 грн
25+ 198.45 грн
100+ 170.48 грн
400+ 129.19 грн
1200+ 121.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+337.51 грн
49+ 238.3 грн
59+ 200.37 грн
100+ 182.89 грн
200+ 168.48 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+351.86 грн
10+ 295.08 грн
100+ 195.73 грн
500+ 178.28 грн
1000+ 161.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP260NPBF Виробник : Infineon irfp260npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628a2ef1fe4 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.28 грн
10+ 103.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

1N5349B
Код товару: 36545		 description 1n5345b-1n5388b.pdf
1N5349B
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-201
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 100mA
Потужність, Pd: 5 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
у наявності: 1323 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+9 грн
10+ 6.6 грн
100+ 5.6 грн
1 kOhm 5% 5W вивів. (MOR500SJTB-1KR-Hitano) (резистори метало-оксидні)
Код товару: 50096		 MOR_080911.pdf
1 kOhm 5% 5W вивів. (MOR500SJTB-1KR-Hitano) (резистори метало-оксидні)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
у наявності: 554 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4 грн
10+ 3.5 грн
100+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
BZX55-C12
Код товару: 26387		 BZX55.pdf
BZX55-C12
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 3534 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.3 грн
100+ 1 грн
1000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
PC123
Код товару: 32962		 PC123%20Series.pdf
PC123
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 70 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 123 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+6.5 грн
10+ 5.8 грн
4700uF 50V ECR 22x41mm (ECR472M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3028		 ECR_081225.pdf
4700uF 50V ECR 22x41mm (ECR472M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4700 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 22х41mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 268 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+46 грн
10+ 41.5 грн
100+ 37.9 грн