Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

IRFP260NPBF

infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
Код товару: 47253
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності: 28 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+162.00 грн
10+150.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRFP260NPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP260N IRFP260N
Код товару: 18423
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irfp260n.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
  • 100 шт - склад
1+138.00 грн
10+130.00 грн
100+119.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260N
Код товару: 18423
2 Додати до обраних Обраний товар
description irfp260n.pdf
IRFP260N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
  • 100 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+138.00 грн
10+130.00 грн
100+119.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFP260NPBF за ціною від 111.47 грн до 518.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+217.56 грн
500+206.98 грн
1000+195.22 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.08 грн
25+237.80 грн
100+196.71 грн
500+183.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.08 грн
60+237.80 грн
100+196.71 грн
500+183.15 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+287.76 грн
10+206.82 грн
25+185.31 грн
50+169.59 грн
100+155.53 грн
400+132.36 грн
500+129.05 грн
800+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 14291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.94 грн
25+202.34 грн
100+166.59 грн
500+129.48 грн
1000+120.86 грн
2000+113.62 грн
5000+111.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 16013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+516.20 грн
48+296.93 грн
100+244.48 грн
500+195.25 грн
1000+168.75 грн
2000+152.29 грн
5000+151.89 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 16013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.79 грн
25+298.42 грн
100+245.71 грн
500+196.24 грн
1000+169.60 грн
2000+153.05 грн
5000+152.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP260N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+217.56 грн
500+206.98 грн
1000+195.22 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+254.08 грн
25+237.80 грн
100+196.71 грн
500+183.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+254.08 грн
60+237.80 грн
100+196.71 грн
500+183.15 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.76 грн
10+206.82 грн
25+185.31 грн
50+169.59 грн
100+155.53 грн
400+132.36 грн
500+129.05 грн
800+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 14291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.94 грн
25+202.34 грн
100+166.59 грн
500+129.48 грн
1000+120.86 грн
2000+113.62 грн
5000+111.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 16013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+516.20 грн
48+296.93 грн
100+244.48 грн
500+195.25 грн
1000+168.75 грн
2000+152.29 грн
5000+151.89 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 16013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+518.79 грн
25+298.42 грн
100+245.71 грн
500+196.24 грн
1000+169.60 грн
2000+153.05 грн
5000+152.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF Infineon_IRFP260N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BT151-500R (JCT151-500R)
Код товару: 32575
2 Додати до обраних Обраний товар
BT151-500Rdsa.pdf
BT151-500R (JCT151-500R)
Виробник: NXP/JJM
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-220
Напруга в закритому стані Uзакр, В: 500 В
Струм у відкритому стані Iвідкр, мА: 15 мА
Максимальний струм Imax, А: 12 А
у наявності: 129 шт
  • 100 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 300 шт
  • 300 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+13.50 грн
10+11.60 грн
100+10.20 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103)
Код товару: 162061
1 Додати до обраних Обраний товар
kls4-3540s-dats.jpg
10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103)
Виробник: KLS
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 кОм
Опис: Резистор змінний дротяний лінійний; потужність = 2W (при +70°С), точність: ± 5%, макс. напр. = 500V; -55...+125°C; кріплення в корпус, різьба 3/8", посадковий отв.10мм.
Вид: Поворотний багатооборотний
Розміри: D=22 mm
Потужність: 2 Вт
Характеристика: Лінійний
у наявності: 63 шт
  • 38 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 300 шт
  • 300 шт - очікується 22.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+148.00 грн
10+137.00 грн
100+129.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 162988
2 Додати до обраних Обраний товар
91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 647 шт
  • 617 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.90 грн
100+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Зарядний пристрій для Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Код товару: 165115
60 Додати до обраних Обраний товар
Зарядний пристрій для Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Блоки та елементи живлення > Зарядні модулі, балансири та BMS
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: type "C. Струм: 1А
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Максимальний струм: 1 А
27x17x4 мм
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
товару немає в наявності
очікується: 6000 шт
  • 6000 шт - очікується 01.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+16.70 грн
100+14.34 грн
1000+11.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N4742A
Код товару: 211241
2 Додати до обраних Обраний товар
1N4728SEMTECH.pdf
1N4742A
Виробник: Semtech
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 21 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0,045...0,085 %/°С
у наявності: 845 шт
  • 739 шт - склад
  • 66 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.