IRFP260NPBF
Код товару: 47253
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності: 17 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 162.00 грн |
| 10+ | 150.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRFP260NPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP260N Код товару: 18423
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 50 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/254 Монтаж: THT |
у наявності: 94 шт
|
|
| IRFP260N Код товару: 18423
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 94 шт
- 94 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 138.00 грн |
| 10+ | 130.00 грн |
| 100+ | 119.00 грн |
Інші пропозиції IRFP260NPBF за ціною від 98.34 грн до 291.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 9244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 14191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 25176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 25178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 666 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
на замовлення 4447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 7103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 146.15 грн |
| 500+ | 137.90 грн |
| 1000+ | 130.83 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 148.54 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 148.54 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 275.56 грн |
| 25+ | 127.89 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 52+ | 275.56 грн |
| 111+ | 127.89 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 14191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.80 грн |
| 25+ | 157.54 грн |
| 50+ | 141.64 грн |
| 100+ | 120.36 грн |
| 500+ | 98.34 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 25176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 290.84 грн |
| 118+ | 120.86 грн |
| 119+ | 119.64 грн |
| 120+ | 114.22 грн |
| 500+ | 104.70 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 25178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 290.90 грн |
| 25+ | 120.89 грн |
| 50+ | 119.67 грн |
| 100+ | 114.24 грн |
| 500+ | 104.72 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 291.72 грн |
| 10+ | 209.66 грн |
| 25+ | 187.86 грн |
| 50+ | 171.92 грн |
| 100+ | 157.67 грн |
| 400+ | 134.18 грн |
| 500+ | 130.83 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 7103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| BT151-500R (JCT151-500R) Код товару: 32575
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP/JJM
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-220
Напруга в закритому стані Uзакр, В: 500 В
Струм у відкритому стані Iвідкр, мА: 15 мА
Максимальний струм Imax, А: 12 А
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-220
Напруга в закритому стані Uзакр, В: 500 В
Струм у відкритому стані Iвідкр, мА: 15 мА
Максимальний струм Imax, А: 12 А
у наявності: 413 шт
- 388 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 8 шт
- 8 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 11.60 грн |
| 100+ | 10.20 грн |
| 1000+ | 8.60 грн |
| 10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103) Код товару: 162061
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 кОм
Опис: Резистор змінний дротяний лінійний; потужність = 2W (при +70°С), точність: ± 5%, макс. напр. = 500V; -55...+125°C; кріплення в корпус, різьба 3/8", посадковий отв.10мм.
Вид: Поворотний багатооборотний
Розміри: D=22 mm
Потужність: 2 Вт
Характеристика: Лінійний
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 кОм
Опис: Резистор змінний дротяний лінійний; потужність = 2W (при +70°С), точність: ± 5%, макс. напр. = 500V; -55...+125°C; кріплення в корпус, різьба 3/8", посадковий отв.10мм.
Вид: Поворотний багатооборотний
Розміри: D=22 mm
Потужність: 2 Вт
Характеристика: Лінійний
у наявності: 43 шт
- 25 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 300 шт
- 300 шт - очікується 22.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 148.00 грн |
| 10+ | 137.00 грн |
| 100+ | 129.00 грн |
| Зарядний пристрій для Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C) Код товару: 165115
63
Додати до обраних
Обраний товар
|
Блоки та елементи живлення > Зарядні модулі, балансири та BMS
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: type "C. Струм: 1А
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Максимальний струм: 1 А
27x17x4 мм
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: type "C. Струм: 1А
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Максимальний струм: 1 А
27x17x4 мм
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
у наявності: 5809 шт
- 5029 шт - склад
- 486 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 288 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 16.70 грн |
| 100+ | 14.34 грн |
| 1000+ | 11.95 грн |
| 1N4742A Код товару: 211241
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Semtech
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 21 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0,045...0,085 %/°С
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 21 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0,045...0,085 %/°С
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 27.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 11+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |
| 5,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-5R1) Код товару: 11174
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 5,1 Ом
Потужність: 5 Вт
Точність: ±5%
U роб.макс., В: 750 В
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: вивідні, цементні, дротяні
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 5,1 Ом
Потужність: 5 Вт
Точність: ±5%
U роб.макс., В: 750 В
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: вивідні, цементні, дротяні
у наявності: 500 шт
- 500 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.60 грн |













