IRFP260NPBF
Код товару: 47253
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності: 17 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
- 30 шт - очікується 20.09.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 162.00 грн |
| 10+ | 150.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRFP260NPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP260N Код товару: 18423
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 50 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/254 Монтаж: THT |
у наявності: 86 шт
|
|
| IRFP260N Код товару: 18423
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/254
Монтаж: THT
у наявності: 86 шт
- 86 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 138.00 грн |
| 10+ | 130.00 грн |
| 100+ | 119.00 грн |
Інші пропозиції IRFP260NPBF за ціною від 130.54 грн до 294.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 9244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 24324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 24328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFP260NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 7469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 145.82 грн |
| 500+ | 137.59 грн |
| 1000+ | 130.54 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 148.21 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 148.21 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 278.67 грн |
| 25+ | 220.32 грн |
| 50+ | 200.08 грн |
| 100+ | 158.32 грн |
| 500+ | 135.31 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 278.67 грн |
| 65+ | 220.32 грн |
| 71+ | 200.08 грн |
| 100+ | 158.32 грн |
| 500+ | 135.31 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 287.19 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 24324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 290.63 грн |
| 63+ | 224.95 грн |
| 70+ | 202.82 грн |
| 100+ | 158.52 грн |
| 500+ | 134.84 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 24328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 291.28 грн |
| 25+ | 225.45 грн |
| 50+ | 203.26 грн |
| 100+ | 158.87 грн |
| 500+ | 135.13 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 294.46 грн |
| 10+ | 211.63 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 7469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1N4007 Код товару: 176822
22
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 41113 шт
- 31691 шт - склад
- 940 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2955 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1156 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4371 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
- 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 27+ | 0.76 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.41 грн |
| 10uF 25V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 19008
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 8371 шт
- 8003 шт - склад
- 204 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 86 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 41 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 998 шт
- 998 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.95 грн |
| 1000+ | 0.75 грн |
| R16 5 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15) Код товару: 28628
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 кОм
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 mm
Потужність: 0,06 Вт
Шток: 15 мм
Характеристика: Лінійний
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 кОм
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 mm
Потужність: 0,06 Вт
Шток: 15 мм
Характеристика: Лінійний
у наявності: 257 шт
- 186 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 42 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 11 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується 06.10.2026
на замовлення: 91 шт
- 91 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 11.60 грн |
| 100+ | 9.80 грн |
| TL431ILP Код товару: 30497
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: TO-92
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність 1%
Напруга: 0...36 В
Темп. діапазон: -40…+85°С
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: TO-92
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність 1%
Напруга: 0...36 В
Темп. діапазон: -40…+85°С
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 22 шт
- 12 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31676
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 6,3x11 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 6,3x11 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 200 шт
- 182 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10100 шт
- 100 шт - очікується
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |














