IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 20.39 грн |
33+ | 19.03 грн |
100+ | 17.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR5305PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRFR5305/PBF |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRFR5305PBF | IRFR5305PBF Транзисторы |
на замовлення 109 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||
IRFR5305PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
товар відсутній |
||
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |