IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon


irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 200 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+20.39 грн
33+ 19.03 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon

Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR5305PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR5305/PBF
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff IRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Виробник : Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR5305_DataSheet_v01_01_EN-1732717.pdf MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Виробник : Infineon (IRF) irfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній