Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF 3710PBF | IR | 09+ TSOP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF-3100 100 10% | Vishay | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF-46 22K 10%TR | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF014NTR | на замовлення 1509 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF01BH100J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 720mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 50MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 370 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 720mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 50MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 370 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH100K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH101J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 13MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 100 µH Current Rating (Amps): 165 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH101K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 13MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 100 µH Current Rating (Amps): 165 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH101K | Vishay | RF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH102J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 26Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 1.4MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 1 mH Current Rating (Amps): 60 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH102K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 26Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 1.4MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 1 mH Current Rating (Amps): 60 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH102K | Vishay | RF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH120K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12UH 350MA 800 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 800mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 40MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 12 µH Current Rating (Amps): 350 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH121K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 120UH 160MA 3.8 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 3.8Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 5.4MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 120 µH Current Rating (Amps): 160 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH150K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 335MA 880 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 880mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 35MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 15 µH Current Rating (Amps): 335 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH151J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150UH 150MA 4.4 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 4.4Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 4.75MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 150 µH Current Rating (Amps): 150 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH180K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 30MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 315 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH181J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 5Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 4.35MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Part Status: Obsolete Inductance: 180 µH Current Rating (Amps): 140 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH181K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 5Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 4.35MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Part Status: Obsolete Inductance: 180 µH Current Rating (Amps): 140 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH1R0J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 150mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 25MHz Frequency - Self Resonant: 180MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 25 MHz Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 815 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH1R0K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 150mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 25MHz Frequency - Self Resonant: 180MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 25 MHz Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 815 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH1R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 180mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 165MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 1.2 µH Current Rating (Amps): 740 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH1R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 180mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 165MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 1.2 µH Current Rating (Amps): 740 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH1R5J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 700MA 200MOHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 200mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 150MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 1.5 µH Current Rating (Amps): 700 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH1R8J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 230mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 125MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 1.8 µH Current Rating (Amps): 655 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH1R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 230mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 125MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 1.8 µH Current Rating (Amps): 655 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH220J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 25MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 285 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 25MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 285 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH221J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 4MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 220 µH Current Rating (Amps): 130 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH221K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 4MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 220 µH Current Rating (Amps): 130 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH270K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 270MA 1.35 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1.35Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 20MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 27 µH Current Rating (Amps): 270 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH271K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 270UH 120MA 6.5 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 6.5Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 3.7MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 270 µH Current Rating (Amps): 120 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH2R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 250mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 115MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 630 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH2R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 250mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 115MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 630 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH330J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 24MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 33 µH Current Rating (Amps): 255 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH330K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 24MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 33 µH Current Rating (Amps): 255 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH331K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330UH 100MA 9.5 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 9.5Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 3.4MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 330 µH Current Rating (Amps): 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH3R3K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 575MA 300MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 300mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 90MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 575 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH3R9K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 555MA 320MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 320mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 80MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 3.9 µH Current Rating (Amps): 555 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 20MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 47 µH Current Rating (Amps): 205 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 2.55MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 470 µH Current Rating (Amps): 90 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH4R7J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 350mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 75MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 530 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH4R7K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 4.7uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH4R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 350mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 75MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 530 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH560K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56UH 195MA 2.6 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 2.6Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 18MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 56 µH Current Rating (Amps): 195 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH561K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560UH 85MA 13 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 13Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 2.35MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 560 µH Current Rating (Amps): 85 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH5R6K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 400mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 65MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 5.6 µH Current Rating (Amps): 500 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH680J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 15MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 68 µH Current Rating (Amps): 185 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH680K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 15MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 68 µH Current Rating (Amps): 185 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH681J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 18Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 2MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 680 µH Current Rating (Amps): 75 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH681K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 18Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 2MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 680 µH Current Rating (Amps): 75 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH6R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 450mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 60MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 6.8 µH Current Rating (Amps): 470 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH820J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 14MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 82 µH Current Rating (Amps): 175 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH820K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 14MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 82 µH Current Rating (Amps): 175 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BH8R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 8.2UH 425MA 550MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 550mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 55MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 8.2 µH Current Rating (Amps): 425 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01BHR39M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 390NH 1A 90 MOHM TH Tolerance: ±20% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 90mOhm Max Q @ Freq: 40 @ 25MHz Frequency - Self Resonant: 320MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 25 MHz Inductance: 390 nH Current Rating (Amps): 1 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01EB100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01EB101K | Vishay | RF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01EB220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01EB220K | Vishay | RF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 285mA 1.2Ohm DCR AXL Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01EB470K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-1 47 10% EB e2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01EB470K | Vishay | RF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01EBR47M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER102K | Vishay | RF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER180K | Vishay | RF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER180K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 18uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER390K | Vishay | RF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 240mA 1.7Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER470K | Vishay | RF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER471K | Vishay | RF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 90mA 11.6Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ER471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 2.55MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Inductance: 470 µH Current Rating (Amps): 90 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ERR47M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ES101K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ES2R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ESR10K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100NH 1.35A 60 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01EV6R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU100J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU180K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-1 18 10% R36 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU180K | Vishay | RF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU2R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU680J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU680K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01RU6R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01SH100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01SH2R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01SH470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01SH471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01SH6R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01SHR10K | Vishay Dale | Description: IRF-1 .1 10% RJ1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ST100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ST180K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 30MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 315 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ST2R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ST471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF01ST6R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH101K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 10% 100uH Axial Leaded | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH103J06 | Vishay | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH150K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 720mOhm Max Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 40MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 15 µH Current Rating (Amps): 460 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH180K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 770mOhm Max Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 34MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 430 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH181K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 180UH 165MA 4.6 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 4.6Ohm Max Q @ Freq: 70 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 3.3MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Part Status: Obsolete Inductance: 180 µH Current Rating (Amps): 165 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH220J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 840mOhm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 30MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 410 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 840mOhm Max Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 30MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 410 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH220K | Vishay | RF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 410mA 840mOhm DCR AXL Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH221K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH270K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH2R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 720MA 300MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH330K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 33uH 10% Axial Leaded | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH331J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH331K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH332J02 | Vishay | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH390K | Vishay | RF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH390K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39UH 350MA 1.12 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH470J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1.22Ohm Max Q @ Freq: 45 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 13MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Inductance: 47 µH Current Rating (Amps): 340 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH470K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 47uH 10% Axial Leaded | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH4R7K | Vishay | RF Choke Wirewound 4.7uH 10% 7.9MHz 70Q-Factor Ferrite 620mA 390mOhm DCR AXL Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH4R7K04 | Vishay | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH5R6K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 590MA 430MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 430mOhm Max Q @ Freq: 70 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 74MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Inductance: 5.6 µH Current Rating (Amps): 590 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH5R6K | Vishay | Fixed Inductors 5.6uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH6R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 550MA 480MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 480mOhm Max Q @ Freq: 75 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 68MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 6.8 µH Current Rating (Amps): 550 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH820K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 1.62Ohm Max Q @ Freq: 35 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 10.3MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 82 µH Current Rating (Amps): 290 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH821K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BH8R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 8.2UH 530MA 520MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 520mOhm Max Q @ Freq: 80 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 53MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 8.2 µH Current Rating (Amps): 530 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BHR47K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BHR56K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560NH 1.1A 150 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03BHR82K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820NH 980MA 170MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03EB100K | Vishay | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03EB220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03EB3R3K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 670MA 340MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 340mOhm Max Q @ Freq: 65 @ 7.9MHz Frequency - Self Resonant: 94MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 670 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03EB471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03EB821K | Vishay | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03EBR47M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER100K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER100K | Vishay | RF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER100K | Vishay | RF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R | на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF03ER100K | Vishay | RF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R | на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF03ER102K | Vishay | RF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 100mA 14Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER150K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 720mOhm Max Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 40MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 15 µH Current Rating (Amps): 460 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER221K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max Q @ Freq: 70 @ 790kHz Frequency - Self Resonant: 3MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 790 kHz Part Status: Obsolete Inductance: 220 µH Current Rating (Amps): 155 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER330K | Vishay | RF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER390K | Vishay | RF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER391K | Vishay | RF Choke Wirewound 390uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 133mA 7Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER470K | Vishay | RF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 45Q-Factor Ferrite 340mA 1.22Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER471K | Vishay | RF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 126mA 7.7Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER820K | Vishay | RF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ER821K | Vishay | RF Choke Wirewound 820uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 105mA 10.5Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ERR22M | Vishay | RF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ERR47M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03EV100K | Vishay | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03EV471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03NF101K03 | Vishay | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU100K | Vishay | RF inductors - Leaded IRF-3 10 10% R36 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU102K | Vishay | RF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 100mA 14Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU1R5K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 830MA 230MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU270K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU2R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 750MA 280MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU330K | Vishay | RF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU680K | Vishay | RF Choke Wirewound 68uH 10% 2.5MHz 40Q-Factor Ferrite 305mA 1.47Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU680K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 305MA 1.47 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU820K | Vishay | RF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU820K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RU821K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03RUR22M | Vishay | RF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03SH270K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03SH470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03SH471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03SH820K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03SH821K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ST180K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 770mOhm Max Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz Frequency - Self Resonant: 34MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz Part Status: Obsolete Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 430 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ST270K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ST471K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ST820K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF03ST821K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF044 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF044 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF044IRF045 | IR\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF044PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF054 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF054 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF054 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF054PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF0612HI2 | L3 Narda-MITEQ | Description: MIXER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF06SDF2 | IOR | 2007 | на замовлення 493 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1 1 10% | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1 100 5% | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 100uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1 1K 10% | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1 2.2 10% | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1 22 10% | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1 4.7 10%TR | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1 47 10%TR | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg | на замовлення 4118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Packaging: Tube | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B201 Код товару: 172773
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100B202 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 221W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 221W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 Код товару: 167969
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 97 A Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77 Монтаж: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100DM116XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100DM116XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100DM116XTMA1 | Infineon Technologies | IRF100DM116XTMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100DM116XTMA1 | Infineon Technologies | SP001511076 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218 | Infineon Technologies | IRF100P218 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 3008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | SP005537804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P218XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218XKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218XKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 555 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218XKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P218XKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P219 | Infineon Technologies | IRF100P219 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P219 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100P219XKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P219XKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P219XKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P219XKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100P219XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100PW219XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100S201 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 255nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg | на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100S201 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 255nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF101018 | IOR | SO-223 | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010E | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 345 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010E Код товару: 24949
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 84 A Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130 Монтаж: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010E | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010E | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010E | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ELPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 12523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC | на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | International Rectifier Corporation | TO-220 | на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 86.6nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF Код товару: 72223
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 84 A Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3210/ Монтаж: THT | у наявності 192 шт: 105 шт - склад24 шт - РАДІОМАГ-Київ 19 шт - РАДІОМАГ-Львів 19 шт - РАДІОМАГ-Харків 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 86.6nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ES | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ES | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ESPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 59A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 330A Mounting: SMD Case: D2PAK | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 59A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 330A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 21400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRPBF | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF1010ESTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ESTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZ | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | на замовлення 7609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZS | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZSPBF | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF1010EZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZSTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZSTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZSTRLP | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZSTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010EZSTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZSTRLP | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC | на замовлення 2980 шт: термін постачання 153-162 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010EZSTRLP | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010N | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010N | IR | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1010N | IRC | 07+; | на замовлення 9840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010N | Infineon / IR | MOSFETs MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010N | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010N | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010N TO220 | на замовлення 467 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF1010NL | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF1010NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NLPBF | IR | 03+ SOP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF Код товару: 26804
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 85 A Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120 Монтаж: THT | у наявності 270 шт: 215 шт - склад15 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 10 шт - РАДІОМАГ-Одеса 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 80nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 80nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NS | MOSFET 55V 60A (290A pulse), N Channel DPAK | на замовлення 165 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||
| IRF1010NS | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NS-TO263 | TI | 10+ | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSPBF Код товару: 154257
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1010NSPBF// | IR | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1010NSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRL | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 60A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 180W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 0.12µC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC | на замовлення 7693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF Код товару: 196974
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 60A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 180W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 0.12µC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010NSTRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010Z | IR | MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V TO-220-3 | на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010Z | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRF1010Z TIRF1010z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZPBF | International Rectifier | Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | на замовлення 3116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1010ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018E | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018E | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018E | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018E-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Equivalent: IRF1018E; SP001574502; IRF1018E-ML MOSLEADER TIRF1018e MOS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | IRF1018EPBF THT N channel transistors | на замовлення 1749 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF Код товару: 98648
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 79 A Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46 Монтаж: THT | у наявності 28 шт: 4 шт - склад10 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Львів 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 49500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg | на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ES Код товару: 99459
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 60 V Idd,A: 79 A Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ES | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ES-GURT | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESL | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESPBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC | на замовлення 869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1018ESPBF - IRF1018E - HEXFET POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 56A Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg | на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 56A Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF Код товару: 203741
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 31865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1059MS | IOR | 2007 | на замовлення 6265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1059MSPBF | IOR | 2007 | на замовлення 7481 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1059TRPBF | IOR | 2006 | на замовлення 9745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | IRF1104PBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 104 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | на замовлення 8228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 18390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC | на замовлення 5911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1104PBF Код товару: 28062
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 100 A Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93 Монтаж: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104PBF.. | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1104STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF110J | IR | 00+ TO-220 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF11N50 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF11N50APBF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF120 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF120 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF120 | IR/MOT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF120 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF120CECC | International Rectifier | Description: MOSFET 100V 9.2A Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF120PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF121 | IR/MOT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF121-0001 | Harris Corporation | Description: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF122 | IR/MOT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF122 | International Rectifier | Description: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk | на замовлення 731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF123 | IR/MOT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF123 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF12543G1 | IOR | 01+ | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1282 | IOR | 02+ SMD-8 | на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1282TRPBF | IR | 09+ | на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF130 | Semelab | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF130 | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF130 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF130 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1302HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1302PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1302S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1302S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1302SHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF130PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF130SMD05DSG.01 | Welwyn Components / TT Electronics | MOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF131 | IR/MOT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1310 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310N Код товару: 26596
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1310N | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310N-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1310N; SP001553864; IRF1310N-ML MOSLEADER TIRF1310 MOS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 42A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 73.3nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 42A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 73.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC | на замовлення 3349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) Код товару: 34256
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110 Монтаж: THT | у наявності 176 шт: 116 шт - склад14 шт - РАДІОМАГ-Київ 25 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NS | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NS | IR | 03+ | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NS | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSHR | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) | на замовлення 8701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSPBF Код товару: 150473
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1310NSPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSPBF-INF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 259200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 259200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | на замовлення 9089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC | на замовлення 13779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRPBF | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1310NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310NSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310STRLPBF | IR | 09+ | на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1310ZPBF Код товару: 117648
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1311 | International Rectifier Corporation | СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА | на замовлення 33 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312 кількість в упаковці: 44 шт | на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1312HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312L | на замовлення 1862 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF1312PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312PBF Код товару: 40543
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1312PBF | Infineon / IR | MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312S | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1312S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312SHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312SHR | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312SPbF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312STRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1312STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF132 | IR/MOT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1324 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324 | International Rectifier | Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Technology: HEXFET® Drain current: 353A On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 24V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 0.0012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 24V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF Код товару: 94346
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 24 V Idd,A: 249 A Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160 Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Technology: HEXFET® Drain current: 353A On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 24V | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg | на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324S Код товару: 99460
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 24 V Idd,A: 240 A Rds(on), Ohm: 0,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7700/180 Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| IRF1324S | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1324S-7P | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324S-7PPBF Код товару: 98274
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| IRF1324S-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324S-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324STRL-7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324STRL-7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1324STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF133 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF133 | IR/MOT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 135V Drain current: 91A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 441W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.27µC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 512A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 135V Drain current: 91A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 441W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.27µC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 512A | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 Код товару: 142696
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135B203 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135S203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135S203 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135S203 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135S203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135S203 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg | на замовлення 754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135S203 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135S203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135S203 | INFINEON TECHNOLOGIES | IRF135S203 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135S203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135S203 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135S203 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135SA204 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135SA204 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135SA204 | Infineon | на замовлення 204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF135SA204 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF135SA204 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135SA204 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135SA204 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135SA204 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF135SA204 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF140 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF140 | Semelab / TT Electronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF140 | IR/MOT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF140 | Semelab | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF140 | Semelab (TT electronics) | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404 | Infineon / IR | MOSFETs MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 18800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 160nC On-state resistance: 4mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 97872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 285234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 160nC On-state resistance: 4mΩ Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 11896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC | на замовлення 3862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 285234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V | на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF Код товару: 31360
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 202 A Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160 Монтаж: THT | у наявності 3 шт: 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпроочікується 603 шт: 600 шт - очікується 18.05.20253 шт - очікується |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404PBF-EL | International Rectifier | Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404STR | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC | на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF Код товару: 169012
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 722 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404Z | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZGPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF Код товару: 26520
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm Монтаж: THT | у наявності 25 шт: 13 шт - склад12 шт - РАДІОМАГ-Київ очікується 150 шт: 150 шт - очікується 03.05.2025 |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 3.7mΩ Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | International Rectifier Corporation | TO-220AB | на замовлення 150 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg | на замовлення 7803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 3.7mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) | на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF1404ZS | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 98 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZS Код товару: 99461
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 40 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 2,7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4340/100 Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 745 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | на замовлення 2276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg | на замовлення 3308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405 | IR | 2004 TO220 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1405; SP001574466; IRF1405-ML MOSLEADER TIRF1405 MOS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 131A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 16465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 133A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF Код товару: 27155
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 169 A Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm Монтаж: THT | у наявності 197 шт: 151 шт - склад8 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Одеса 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC | на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 133A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | на замовлення 12145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 14012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405PBF; 133A; 55V; 200W; 0.0053R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) | на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF1405S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405SPBF | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC | на замовлення 13497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 131A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 131A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405Z | IR | 09+ SOP20 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZL | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1405ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZL-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(7+Tab) TO-263CA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZL-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO263CA-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263CA-7 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | IRF1405ZPBF Транзисторы Прочие | на замовлення 1099 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 150A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | IRF1405ZPBF Транзисторы Прочие | на замовлення 952 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 150A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF Код товару: 35347
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170 Монтаж: THT | у наявності 5 шт: 5 шт - склад |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZPBFAKSA1 | Infineon Technologies | SP005729366 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZS | IR | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1405ZS | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZS-7P | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF1405ZS-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZS-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSPBF | Infineon / IR | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 120nC | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSPBF | IR | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1405ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRL-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRLPB Код товару: 196482
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRLPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 75 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4780 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 4,9 мОм @ 75 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 230; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK | на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 151888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRLPBF | International Rectifier | Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRLPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1405ZSTRLPBF - IRF1405 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 151888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRRPBF | International Rectifier Corporation | N-CH 55V 75A D2PAK | на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZTRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1405ZTRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407-HXY | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407L | IR | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407LPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | на замовлення 11009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF Код товару: 24062
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 75 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160 Монтаж: THT | у наявності 155 шт: 134 шт - склад6 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | International Rectifier | Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) | на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF1407S | IR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1407S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407S Код товару: 52433
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1407S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF Код товару: 107266
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC | на замовлення 2591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | на замовлення 11404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1407STRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1407STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF141 | International Rectifier | Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF142 | International Rectifier | Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF142 | IR/MOT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF143 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF150 | Semelab | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150 | Semelab / TT Electronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150 | Semelab (TT electronics) | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503 Код товару: 124973
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1503HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503PBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503SHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1503SPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503SPBF | Infineon | на замовлення 3630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1503SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF1503STRLHR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503STRLPBF | Infineon | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1503STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503STRR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF1503STRRPBF Код товару: 125066
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF1503STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies | N-channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies | N-channel MOSFET | на замовлення 2722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies | SP001511080 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies | N-channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150N | IR | TO-3P 09+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF150N | IR | DC9837 SOP; | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |