Продукція > IRF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF 3710PBFIR09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF-3100 100 10%VishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF-46 22K 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF014NTR
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF01BH100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товар відсутній
IRF01BH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товар відсутній
IRF01BH101JVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF01BH101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF01BH101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01BH102JVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товар відсутній
IRF01BH102KVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товар відсутній
IRF01BH102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01BH120KVishay DaleDescription: FIXED IND 12UH 350MA 800 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 800mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 12 µH
Current Rating (Amps): 350 mA
товар відсутній
IRF01BH121KVishay DaleDescription: FIXED IND 120UH 160MA 3.8 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.8Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 5.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 120 µH
Current Rating (Amps): 160 mA
товар відсутній
IRF01BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 335MA 880 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 880mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 335 mA
товар відсутній
IRF01BH151JVishay DaleDescription: FIXED IND 150UH 150MA 4.4 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.4Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 150 µH
Current Rating (Amps): 150 mA
товар відсутній
IRF01BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товар відсутній
IRF01BH181JVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товар відсутній
IRF01BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товар відсутній
IRF01BH1R0JVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товар відсутній
IRF01BH1R0KVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товар відсутній
IRF01BH1R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товар відсутній
IRF01BH1R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товар відсутній
IRF01BH1R5JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 700MA 200MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 150MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 700 mA
товар відсутній
IRF01BH1R8JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товар відсутній
IRF01BH1R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товар відсутній
IRF01BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товар відсутній
IRF01BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товар відсутній
IRF01BH221JVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товар відсутній
IRF01BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товар відсутній
IRF01BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 270MA 1.35 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.35Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 270 mA
товар відсутній
IRF01BH271KVishay DaleDescription: FIXED IND 270UH 120MA 6.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 6.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.7MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 270 µH
Current Rating (Amps): 120 mA
товар відсутній
IRF01BH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товар відсутній
IRF01BH2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товар відсутній
IRF01BH330JVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товар відсутній
IRF01BH330KVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товар відсутній
IRF01BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 100MA 9.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 9.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 330 µH
Current Rating (Amps): 100 mA
товар відсутній
IRF01BH3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 575MA 300MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 300mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 90MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 575 mA
товар відсутній
IRF01BH3R9KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.9UH 555MA 320MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 80MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.9 µH
Current Rating (Amps): 555 mA
товар відсутній
IRF01BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 205 mA
товар відсутній
IRF01BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товар відсутній
IRF01BH4R7JVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF01BH4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF01BH560KVishay DaleDescription: FIXED IND 56UH 195MA 2.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 18MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 56 µH
Current Rating (Amps): 195 mA
товар відсутній
IRF01BH561KVishay DaleDescription: FIXED IND 560UH 85MA 13 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 13Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 560 µH
Current Rating (Amps): 85 mA
товар відсутній
IRF01BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 65MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 5.6 µH
Current Rating (Amps): 500 mA
товар відсутній
IRF01BH680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товар відсутній
IRF01BH680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товар відсутній
IRF01BH681JVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товар відсутній
IRF01BH681KVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товар відсутній
IRF01BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 450mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 60MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 470 mA
товар відсутній
IRF01BH820JVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товар відсутній
IRF01BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товар відсутній
IRF01BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 425MA 550MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 425 mA
товар відсутній
IRF01BHR39MVishay DaleDescription: FIXED IND 390NH 1A 90 MOHM TH
Tolerance: ±20%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 90mOhm Max
Q @ Freq: 40 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 320MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 390 nH
Current Rating (Amps): 1 A
товар відсутній
IRF01EB100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01EB101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товар відсутній
IRF01EB220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 285mA 1.2Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EB470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ER100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ER180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 240mA 1.7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 90mA 11.6Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ES101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
товар відсутній
IRF01ES2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01ESR10KVishay DaleDescription: FIXED IND 100NH 1.35A 60 MOHM TH
товар відсутній
IRF01EV6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01RU220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01SH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01SHR10KVishay DaleDescription: IRF-1 .1 10% RJ1
товар відсутній
IRF01ST100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товар відсутній
IRF01ST2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01ST6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH101KVishay / DaleFixed Inductors 10% 100uH Axial Leaded
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товар відсутній
IRF03BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товар відсутній
IRF03BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 165MA 4.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.6Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF03BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товар відсутній
IRF03BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товар відсутній
IRF03BH220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 410mA 840mOhm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF03BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH2R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.7UH 720MA 300MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH330KVishay / DaleFixed Inductors 33uH 10% Axial Leaded
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH331JVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH390KVishay DaleDescription: FIXED IND 39UH 350MA 1.12 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF03BH470JVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH470KVishay / DaleFixed Inductors 47uH 10% Axial Leaded
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH5R6KVishayFixed Inductors 5.6uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF03BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 590MA 430MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 550MA 480MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Q @ Freq: 75 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 68MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 550 mA
товар відсутній
IRF03BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.62Ohm Max
Q @ Freq: 35 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 10.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 290 mA
товар відсутній
IRF03BH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 530MA 520MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 520mOhm Max
Q @ Freq: 80 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 53MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF03BHR47KVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03BHR56KVishay DaleDescription: FIXED IND 560NH 1.1A 150 MOHM TH
товар відсутній
IRF03BHR82KVishay DaleDescription: FIXED IND 820NH 980MA 170MOHM TH
товар відсутній
IRF03EB100KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
товар відсутній
IRF03EB3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 670MA 340MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 340mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 94MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 670 mA
товар відсутній
IRF03EB471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03EB821KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+16.52 грн
35+ 16.27 грн
50+ 15.45 грн
100+ 14.07 грн
250+ 13.29 грн
500+ 13.07 грн
1000+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRF03ER150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товар відсутній
IRF03ER221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 155 mA
товар відсутній
IRF03ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER391KVishayRF Choke Wirewound 390uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 133mA 7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 45Q-Factor Ferrite 340mA 1.22Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 126mA 7.7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03ERR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03EV100KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EV471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU1R5KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 830MA 230MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 750MA 280MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 305MA 1.47 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU680KVishayRF Choke Wirewound 68uH 10% 2.5MHz 40Q-Factor Ferrite 305mA 1.47Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU820KVishayRF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03RUR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03SH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товар відсутній
IRF03ST270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03ST820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03ST821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF044Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF044Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF044IRF045IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF044PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF054Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF054Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF054PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF0612HI2L3 Narda-MITEQDescription: MIXER
товар відсутній
IRF06SDF2IOR2007
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1 100 5%Vishay / DaleRF inductors - Leaded 100uH 5%
товар відсутній
IRF1 47 10%TRVishay / DaleFixed Inductors
товар відсутній
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+147.64 грн
76+ 137.04 грн
100+ 114.05 грн
200+ 104.86 грн
1000+ 87.62 грн
Мінімальне замовлення: 71
IRF100B201Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 14001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.33 грн
10+ 131.56 грн
100+ 97.78 грн
250+ 97.14 грн
500+ 88.83 грн
1000+ 79.89 грн
2000+ 76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B201
Код товару: 172773		Транзистори > Польові N-канальні
очікується 8 шт:
8 шт - очікується
IRF100B201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.82 грн
10+ 145.39 грн
100+ 115.72 грн
500+ 91.89 грн
1000+ 77.97 грн
2000+ 74.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF100B201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 441W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.3 грн
105+ 99.63 грн
250+ 95.64 грн
500+ 88.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF100B202Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.1 грн
10+ 98.48 грн
100+ 69.02 грн
500+ 56.75 грн
1000+ 46.97 грн
2000+ 43.78 грн
5000+ 42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B202
Код товару: 167969		Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF100B202Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.76 грн
10+ 99.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF100B202INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 221W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.54 грн
10+ 96.79 грн
100+ 78.15 грн
500+ 59.65 грн
1000+ 39.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+54.95 грн
199+ 52.48 грн
250+ 50.38 грн
500+ 46.83 грн
1000+ 41.95 грн
2500+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 190
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF100B202International RectifierDescription: IRF100B202 - 12V-300V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.4 грн
10+ 69.52 грн
100+ 60.77 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 44.05 грн
2000+ 40.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF100B202INFINEON TECHNOLOGIESIRF100B202 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.78 грн
16+ 57.52 грн
42+ 54.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesSP001511076
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesIRF100DM116XTMA1
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P218Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesSP005537804
товар відсутній
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
1+609.91 грн
10+ 535.79 грн
100+ 386.01 грн
400+ 341.28 грн
1200+ 299.74 грн
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P218XKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 100V; 341A; Idm: 836A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 341A
Pulsed drain current: 836A
Power dissipation: 556W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 555 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100P218XKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 100V; 341A; Idm: 836A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 341A
Pulsed drain current: 836A
Power dissipation: 556W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P219Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+597.92 грн
20+ 540.34 грн
25+ 513.15 грн
50+ 446.61 грн
100+ 394.95 грн
250+ 351.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.92 грн
10+ 540.34 грн
25+ 513.15 грн
50+ 446.61 грн
100+ 394.95 грн
250+ 351.94 грн
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
1+542.81 грн
10+ 471.85 грн
100+ 340 грн
400+ 297.82 грн
1200+ 263.31 грн
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+700.22 грн
21+ 510.13 грн
50+ 452.66 грн
100+ 410.07 грн
200+ 357.59 грн
800+ 319.8 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товар відсутній
IRF100P219AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 341
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.17 грн
5+ 534.83 грн
10+ 482.5 грн
50+ 409.42 грн
100+ 342.29 грн
250+ 298.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товар відсутній
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 441W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.51 грн
800+ 97.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.68 грн
1600+ 96.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+188.24 грн
10+ 168.16 грн
25+ 167.95 грн
100+ 134.84 грн
250+ 123.79 грн
500+ 105.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100S201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+145.87 грн
75+ 139.69 грн
100+ 117.59 грн
500+ 105.71 грн
1000+ 93.15 грн
3200+ 85.63 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.38 грн
1600+ 88.83 грн
2400+ 84.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 441W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.36 грн
10+ 169.91 грн
25+ 144.82 грн
100+ 110.51 грн
800+ 97.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+188.24 грн
62+ 167.95 грн
100+ 134.84 грн
250+ 123.79 грн
500+ 105.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.17 грн
10+ 152.87 грн
25+ 125.26 грн
100+ 107.37 грн
250+ 100.98 грн
500+ 93.31 грн
800+ 78.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+107.22 грн
Мінімальне замовлення: 1600
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.22 грн
10+ 150.99 грн
100+ 123.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1010Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IRF101018IORSO-223
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EInternational RectifierN-MOSFET 84A 60V 200W 0.012Ω IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010E
Код товару: 24949		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1010EInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1010ELInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ELPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.18 грн
10+ 70.37 грн
100+ 54.76 грн
500+ 43.56 грн
1000+ 35.49 грн
2000+ 33.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 170W
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
On-state resistance: 12mΩ
Gate charge: 86.6nC
на замовлення 140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+62.22 грн
10+ 54.32 грн
20+ 43.94 грн
55+ 41.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+52.16 грн
234+ 44.57 грн
500+ 41.13 грн
1000+ 34.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+52.16 грн
100+ 44.57 грн
500+ 39.66 грн
1000+ 31.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EPBF
Код товару: 72223		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 248 шт:
138 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
49 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+54 грн
10+ 49 грн
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+63.04 грн
178+ 58.61 грн
211+ 49.34 грн
223+ 45.01 грн
Мінімальне замовлення: 165
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+47.45 грн
13+ 45.3 грн
100+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1010EPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 84 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 10 В; Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
товар відсутній
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.95 грн
10+ 80.85 грн
100+ 53.11 грн
500+ 44.99 грн
1000+ 36.62 грн
2000+ 34.89 грн
5000+ 33.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 170W
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
On-state resistance: 12mΩ
Gate charge: 86.6nC
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.09 грн
7+ 49.93 грн
10+ 45.27 грн
20+ 36.61 грн
55+ 34.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+45.3 грн
262+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 230
IRF1010EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.03 грн
10+ 101.09 грн
100+ 78.15 грн
500+ 59.85 грн
1000+ 42.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+51.57 грн
12+ 48.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+73.64 грн
166+ 62.83 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010EPBFInternational Rectifier CorporationTO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1010ESIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1010ESTRLInternational RectifierN-MOSFET 84A 60V 200W 0.012Ω IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 330A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
On-state resistance: 12mΩ
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.59 грн
18+ 41.28 грн
49+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+71.7 грн
153+ 68.34 грн
171+ 61.01 грн
200+ 56.61 грн
1600+ 47.83 грн
3200+ 44.71 грн
Мінімальне замовлення: 146
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.62 грн
10+ 88.93 грн
100+ 62.44 грн
250+ 58.99 грн
500+ 52.6 грн
800+ 43.59 грн
4800+ 42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.16 грн
10+ 126.18 грн
100+ 83.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.7 грн
10+ 82.88 грн
100+ 65.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.96 грн
1600+ 47.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+61.27 грн
172+ 60.66 грн
189+ 55.09 грн
250+ 51.57 грн
500+ 43.04 грн
Мінімальне замовлення: 170
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 330A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
On-state resistance: 12mΩ
на замовлення 771 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.73 грн
5+ 70.52 грн
18+ 49.53 грн
49+ 46.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.12 грн
10+ 61.27 грн
25+ 60.66 грн
100+ 53.12 грн
250+ 47.75 грн
500+ 41.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ESTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate charge: 58nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.69 грн
10+ 54.32 грн
19+ 47.13 грн
51+ 44.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+61.5 грн
203+ 51.26 грн
500+ 47.04 грн
1000+ 39.36 грн
2000+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 170
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 10876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.01 грн
10+ 88.74 грн
100+ 69.19 грн
500+ 53.64 грн
1000+ 42.35 грн
2000+ 39.53 грн
5000+ 36.93 грн
10000+ 35.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+93.11 грн
10+ 81.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.9 грн
10+ 103.96 грн
100+ 78.86 грн
500+ 60.45 грн
1000+ 39.39 грн
3000+ 38.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.18 грн
10+ 65.51 грн
100+ 54.61 грн
500+ 48.32 грн
1000+ 38.82 грн
2000+ 35.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 119000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate charge: 58nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.92 грн
10+ 45.27 грн
19+ 39.28 грн
51+ 37.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.53 грн
10+ 72.47 грн
100+ 52.47 грн
500+ 46.85 грн
1000+ 40.9 грн
2000+ 39.75 грн
5000+ 37.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010EZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSPBF
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+94.51 грн
112+ 93.56 грн
138+ 75.62 грн
250+ 66.86 грн
500+ 58.45 грн
1000+ 45.13 грн
Мінімальне замовлення: 111
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.08 грн
10+ 97.01 грн
100+ 67.11 грн
250+ 61.8 грн
500+ 55.98 грн
800+ 44.86 грн
4800+ 42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+113.15 грн
10+ 94.51 грн
25+ 93.56 грн
100+ 72.92 грн
250+ 61.91 грн
500+ 56.11 грн
1000+ 45.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 140W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.47 грн
800+ 54.66 грн
1600+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.2 грн
10+ 106.11 грн
100+ 70.47 грн
800+ 54.66 грн
1600+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010NIRC07+;
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NInfineon / IRMOSFET MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB
товар відсутній
IRF1010N TO220
на замовлення 467 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF1010NL
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NLPBFIR03+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+65.57 грн
199+ 52.44 грн
500+ 49.14 грн
1000+ 39.31 грн
2000+ 32.99 грн
Мінімальне замовлення: 159
IRF1010NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+119.73 грн
10+ 98.22 грн
100+ 73.13 грн
500+ 56.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 80nC
Drain current: 72A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.56 грн
10+ 64.58 грн
14+ 55.26 грн
37+ 51.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 80nC
Drain current: 72A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.43 грн
10+ 77.49 грн
14+ 66.31 грн
37+ 62.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.79 грн
10+ 76.43 грн
100+ 59.48 грн
500+ 47.32 грн
1000+ 38.54 грн
2000+ 36.28 грн
5000+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.35 грн
10+ 70.67 грн
100+ 56.51 грн
500+ 51.07 грн
1000+ 39.23 грн
2000+ 34.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
4+99.17 грн
10+ 84.52 грн
100+ 60.65 грн
500+ 50.36 грн
1000+ 40.39 грн
2000+ 37.83 грн
5000+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NPBF
Код товару: 26804		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності 152 шт:
115 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+150.3 грн
Мінімальне замовлення: 70
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NSтранзистор HEXFET Power MOSFET. N-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. D2PAK
на замовлення 165 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+108.97 грн
IRF1010NSInternational RectifierN-MOSFET 85A 55V 180W 0.011Ω IRF1010NS TIRF1010ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010NS-TO263TI10+
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
товар відсутній
IRF1010NSPBF
Код товару: 154257		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1010NSPBF//IR
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSTRLIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.31 грн
1600+ 51.24 грн
2400+ 48.3 грн
4800+ 46.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.61 грн
1600+ 55.23 грн
2400+ 52.06 грн
4800+ 50.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.61 грн
10+ 71.91 грн
25+ 71.53 грн
100+ 62.81 грн
250+ 57.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.01 грн
10+ 108.77 грн
100+ 76.05 грн
250+ 70.3 грн
500+ 65.19 грн
800+ 50.49 грн
4800+ 47.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.14 грн
10+ 92.54 грн
100+ 73.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+71.91 грн
146+ 71.53 грн
160+ 65.14 грн
250+ 62.18 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Kind of package: reel
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 120nC
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Kind of package: reel
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 120nC
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ZIRMOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V TO-220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+373.38 грн
IRF1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZInfineonN-MOSFET 75A 55V 140W 0.0075Ω IRF1010Z TIRF1010z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+51.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.86 грн
10+ 82.68 грн
100+ 72.21 грн
500+ 62.29 грн
1000+ 56.63 грн
2000+ 51.94 грн
5000+ 50.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010ZPBFInternational RectifierDescription: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 320
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+81.52 грн
136+ 76.71 грн
156+ 66.99 грн
500+ 57.79 грн
1000+ 52.54 грн
2000+ 48.19 грн
5000+ 46.85 грн
Мінімальне замовлення: 128
IRF1010ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+122.6 грн
10+ 109.69 грн
100+ 88.18 грн
500+ 67.9 грн
1000+ 48.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.39 грн
10+ 93.34 грн
100+ 70.3 грн
250+ 67.74 грн
500+ 61.23 грн
1000+ 56.18 грн
2000+ 53.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.76 грн
1600+ 57.25 грн
2400+ 53.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.44 грн
10+ 124.03 грн
100+ 90.33 грн
800+ 71.9 грн
1600+ 65.14 грн
3200+ 63.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.1 грн
2400+ 50.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRLPBFInternational RectifierDescription: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.98 грн
10+ 104.65 грн
100+ 84.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 140W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.33 грн
800+ 71.9 грн
1600+ 65.14 грн
3200+ 63.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.31 грн
2400+ 54.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1018EInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1018EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Substitute: IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IRF1018EPBF
Код товару: 98648		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності 84 шт:
55 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44 грн
10+ 39.6 грн
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.43 грн
10+ 66.77 грн
100+ 52.07 грн
500+ 40.37 грн
1000+ 31.87 грн
2000+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+35.74 грн
305+ 34.14 грн
318+ 32.77 грн
500+ 30.46 грн
1000+ 27.28 грн
2500+ 25.42 грн
5000+ 24.74 грн
10000+ 24.13 грн
Мінімальне замовлення: 292
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+43.77 грн
14+ 42.08 грн
100+ 38.15 грн
500+ 30.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+38.28 грн
330+ 31.56 грн
338+ 30.86 грн
500+ 25.41 грн
1000+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 272
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.37 грн
8+ 44.6 грн
23+ 31.29 грн
63+ 29.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+42.76 грн
269+ 38.79 грн
500+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 244
IRF1018EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.37 грн
10+ 83.16 грн
100+ 61.3 грн
500+ 50.26 грн
1000+ 34.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 5561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+60.99 грн
10+ 55.34 грн
100+ 40.33 грн
500+ 36.17 грн
1000+ 32.21 грн
2000+ 29.97 грн
5000+ 28.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 877 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.85 грн
5+ 55.58 грн
23+ 37.55 грн
63+ 35.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+52.91 грн
12+ 49.63 грн
100+ 42.89 грн
500+ 32.57 грн
1000+ 29.86 грн
2000+ 26.78 грн
10000+ 25.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1018ES
Код товару: 99459		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
товар відсутній
IRF1018ES-GURTInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.9 грн
1600+ 38.28 грн
3200+ 35.62 грн
4800+ 32.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.26 грн
21+ 35.95 грн
56+ 33.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 755 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.55 грн
5+ 61.39 грн
21+ 43.14 грн
56+ 40.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.92 грн
10+ 83.88 грн
100+ 54.06 грн
800+ 39.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+73.91 грн
143+ 73.11 грн
180+ 58 грн
200+ 53.79 грн
500+ 47.6 грн
1000+ 42.44 грн
2000+ 40.62 грн
6400+ 39.94 грн
12800+ 38.95 грн
Мінімальне замовлення: 141
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.19 грн
2400+ 41.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 12704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+92.64 грн
10+ 79.89 грн
100+ 62.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.9 грн
2400+ 39.55 грн
3200+ 37.26 грн
6400+ 35.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.1 грн
1600+ 44.19 грн
2400+ 41.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+99.59 грн
10+ 89.22 грн
25+ 88.33 грн
100+ 67.53 грн
250+ 61.91 грн
500+ 55.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 110W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.06 грн
800+ 39.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+101.4 грн
10+ 86.73 грн
100+ 58.41 грн
500+ 47.36 грн
800+ 36.75 грн
2400+ 36.17 грн
4800+ 34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.42 грн
1600+ 40.61 грн
2400+ 37.9 грн
5600+ 33.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+89.22 грн
118+ 88.33 грн
149+ 70.04 грн
250+ 66.86 грн
500+ 57.5 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRF1059MSIOR2007
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1059MSPBFIOR2007
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1059TRPBFIOR2006
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104International RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1104Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товар відсутній
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+81.6 грн
10+ 76.73 грн
100+ 52.76 грн
500+ 48.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1104PBFIRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF1104PBF
Код товару: 28062		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 11004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.75 грн
10+ 98.73 грн
100+ 78.56 грн
500+ 62.38 грн
1000+ 52.93 грн
2000+ 50.28 грн
5000+ 47.6 грн
10000+ 46.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 164
IRF1104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.58 грн
10+ 105.39 грн
25+ 85.32 грн
100+ 61.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+70.32 грн
10+ 67.59 грн
100+ 51.35 грн
500+ 48.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 6466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.2 грн
10+ 83.79 грн
100+ 63.01 грн
500+ 55.35 грн
1000+ 51.13 грн
2000+ 50.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+70.32 грн
154+ 67.59 грн
203+ 51.35 грн
500+ 48.68 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+102.04 грн
10+ 87.08 грн
13+ 71.9 грн
34+ 67.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.5 грн
5+ 81.88 грн
10+ 72.56 грн
13+ 59.92 грн
34+ 56.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1104PBFInternational RectifierDescription: IRF1PLAN<=40V
Packaging: Tube
товар відсутній
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+67.58 грн
162+ 64.56 грн
250+ 61.97 грн
500+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 154
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1104PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRF1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF110JIR00+ TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF11N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF11N50APBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товар відсутній
IRF120Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF120Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+127.34 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF120IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF120CECCInternational RectifierDescription: MOSFET 100V 9.2A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRF120PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF121IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF121-0001Harris CorporationDescription: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.3 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF122Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 341
IRF122IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF122International RectifierDescription: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 341
IRF123IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF123International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 442
IRF12543G1IOR01+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1282IOR02+ SMD-8
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1282TRPBFIR09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF130SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF130Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF130IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF130Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF1302HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1302PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1302SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
товар відсутній
IRF1302SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF130PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFET PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товар відсутній
IRF131IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NInternational RectifierN-MOSFET 42A 100V 160W 0.036Ω IRF1310 TIRF1310
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1310N
Код товару: 26596		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1310NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+115.82 грн
99+ 106.09 грн
121+ 86.47 грн
200+ 77.93 грн
1000+ 63.94 грн
2000+ 57.29 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 6166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.81 грн
10+ 77.91 грн
100+ 55.79 грн
250+ 55.22 грн
500+ 47.55 грн
1000+ 44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.15 грн
6+ 65.24 грн
10+ 57.92 грн
16+ 47.93 грн
42+ 45.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 93 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.78 грн
4+ 81.3 грн
10+ 69.5 грн
16+ 57.52 грн
42+ 54.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+98.3 грн
10+ 86.15 грн
100+ 75.88 грн
500+ 65.43 грн
1000+ 52.85 грн
2000+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.61 грн
10+ 130.48 грн
25+ 118.29 грн
100+ 97.86 грн
500+ 74.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+92.35 грн
129+ 80.94 грн
146+ 71.29 грн
500+ 61.48 грн
1000+ 49.65 грн
2000+ 45.71 грн
Мінімальне замовлення: 113
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.3 грн
10+ 89.34 грн
100+ 71.13 грн
500+ 56.48 грн
1000+ 47.92 грн
2000+ 45.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності 299 шт:
259 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 36.9 грн
IRF1310NSIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSIR03+
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.63 грн
25+ 65.18 грн
100+ 48.54 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 33.43 грн
2500+ 30.91 грн
5000+ 29.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NSPBF
Код товару: 150473		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+161.67 грн
10+ 143.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1310NSPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.14 грн
10+ 138.37 грн
25+ 116.86 грн
100+ 87.88 грн
800+ 79.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 111200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.15 грн
1600+ 65.26 грн
2400+ 61.44 грн
4800+ 58.65 грн
5600+ 53.12 грн
9600+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+95.48 грн
115+ 91.07 грн
129+ 81.25 грн
200+ 75.36 грн
1600+ 63.7 грн
Мінімальне замовлення: 109
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.41 грн
1600+ 59.16 грн
2400+ 56.2 грн
5600+ 50.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.65 грн
10+ 116.55 грн
25+ 115.39 грн
100+ 92.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 24120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.7 грн
10+ 115.39 грн
100+ 80.53 грн
250+ 76.05 грн
500+ 68.38 грн
800+ 55.28 грн
2400+ 54.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.37 грн
1600+ 61.87 грн
2400+ 58.34 грн
4800+ 56.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 160W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.88 грн
800+ 79.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+127.65 грн
90+ 116.55 грн
91+ 115.39 грн
109+ 92.8 грн
Мінімальне замовлення: 82
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.36 грн
1600+ 58.12 грн
2400+ 54.81 грн
4800+ 52.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.28 грн
10+ 103.59 грн
100+ 82.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 111200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.15 грн
1600+ 65.26 грн
2400+ 61.44 грн
4800+ 58.65 грн
5600+ 53.12 грн
9600+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310ZPBF
Код товару: 117648		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1311International Rectifier CorporationСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1312International RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
44+60.4 грн
Мінімальне замовлення: 44
IRF1312HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312L
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312PBF
Код товару: 40543		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1312PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1312PBFInfineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC
товар відсутній
IRF1312PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
товар відсутній
IRF1312SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1312SIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312SHRInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
IRF1312SPbFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1312STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1312STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF132IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1324Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IRF1324International RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 353A 300W 0,0015Ω IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+73.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF1324LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1324PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 0.0012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.48 грн
10+ 164.9 грн
25+ 148.41 грн
100+ 122.49 грн
500+ 93.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+140.14 грн
103+ 101 грн
116+ 90.37 грн
250+ 83.68 грн
500+ 73.99 грн
1000+ 61.63 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRF1324PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.42 грн
10+ 101.42 грн
100+ 83.08 грн
1000+ 70.94 грн
2000+ 70.3 грн
5000+ 68.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+176.37 грн
5+ 151.82 грн
9+ 108.03 грн
23+ 102.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.97 грн
5+ 121.83 грн
9+ 90.03 грн
23+ 85.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+107.86 грн
99+ 105.21 грн
117+ 89.29 грн
500+ 78.52 грн
1000+ 72.62 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+149.73 грн
10+ 137.71 грн
100+ 116.4 грн
500+ 95.95 грн
1000+ 76.13 грн
2000+ 63.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1324PBF
Код товару: 94346		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 24 V
Idd,A: 249 A
Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+97.95 грн
Мінімальне замовлення: 107
IRF1324PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.68 грн
10+ 145.73 грн
100+ 117.13 грн
500+ 90.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+98.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1324S
Код товару: 99460		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 24 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 0,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7700/180
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1324S-7PInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1324S-7PPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1324S-7PPBF
Код товару: 98274		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324STRL-7PPInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF1324STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF133Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IRF133IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+134.85 грн
82+ 127.76 грн
100+ 112.17 грн
500+ 95.53 грн
1000+ 78.6 грн
2000+ 71.19 грн
Мінімальне замовлення: 78
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF135B203INFINEON TECHNOLOGIESIRF135B203 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+157.44 грн
10+ 95.86 грн
25+ 90.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+136.57 грн
Мінімальне замовлення: 77
IRF135B203Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.49 грн
10+ 152.87 грн
100+ 108.65 грн
500+ 90.75 грн
1000+ 84.36 грн
3000+ 71.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135B203
Код товару: 142696		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+154.09 грн
10+ 143.42 грн
100+ 122.17 грн
500+ 101.64 грн
1000+ 82.09 грн
2000+ 73.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF135B203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.89 грн
10+ 159.04 грн
100+ 127.84 грн
500+ 98.57 грн
1000+ 81.67 грн
2000+ 76.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+134.85 грн
10+ 127.76 грн
100+ 112.17 грн
500+ 95.53 грн
1000+ 78.6 грн
2000+ 71.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF135B203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135
Dauer-Drainstrom Id: 129
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 441
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 441
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.99 грн
10+ 172.78 грн
100+ 141.24 грн
500+ 109.84 грн
1000+ 88.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.62 грн
10+ 184.87 грн
100+ 148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135S203Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.32 грн
10+ 177.86 грн
100+ 124.62 грн
500+ 102.26 грн
800+ 85 грн
2400+ 79.25 грн
4800+ 76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135S203INFINEON TECHNOLOGIESIRF135S203 SMD N channel transistors
товар відсутній
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF135SA204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+177.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135SA204Infineon
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF135SA204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF135SA204Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.61 грн
10+ 512.27 грн
100+ 368.76 грн
500+ 321.47 грн
IRF140IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF140Semelab / TT ElectronicsMOSFET POWER
товар відсутній
IRF140Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF140SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF1404International RectifierN-MOSFET 202A 40V 333W 0.004? IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404International RectifierN-MOSFET 202A 40V 333W 0.004? IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 650 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404Infineon / IRMOSFET MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
товар відсутній
IRF1404LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+152.05 грн
10+ 132.96 грн
100+ 112.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.83 грн
9+ 87.21 грн
23+ 82.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+142.73 грн
84+ 124.82 грн
100+ 105.18 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.6 грн
10+ 166.1 грн
100+ 115.04 грн
250+ 110.56 грн
500+ 95.86 грн
1000+ 80.53 грн
2000+ 75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.05 грн
10+ 143.2 грн
100+ 113.97 грн
500+ 90.5 грн
1000+ 76.79 грн
2000+ 72.95 грн
5000+ 69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.1 грн
10+ 174.93 грн
25+ 157.73 грн
100+ 130.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+172.06 грн
3+ 149.33 грн
9+ 104.65 грн
23+ 99.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1404PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ ; TO-220
товар відсутній
IRF1404PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.79 грн
10+ 103.63 грн
100+ 73.5 грн
250+ 71.58 грн
500+ 62.44 грн
1000+ 53.05 грн
2000+ 52.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+93.06 грн
128+ 81.89 грн
151+ 69.33 грн
250+ 63.94 грн
500+ 54.14 грн
1000+ 42.32 грн
2000+ 41.91 грн
Мінімальне замовлення: 112
IRF1404PBF
Код товару: 31360		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності 429 шт:
263 шт - склад
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Одеса
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 3 шт:
3 шт - очікується
1+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 298956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+42.23 грн
253+ 41.22 грн
254+ 41.11 грн
Мінімальне замовлення: 247
IRF1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.44 грн
10+ 99.13 грн
100+ 78.9 грн
500+ 62.66 грн
1000+ 53.16 грн
2000+ 50.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.2 грн
100+ 54.84 грн
250+ 52.02 грн
500+ 46.48 грн
1000+ 43.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.29 грн
10+ 124.03 грн
25+ 111.84 грн
100+ 91.87 грн
500+ 69.44 грн
1000+ 65.75 грн
3000+ 61.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 298956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+42.91 грн
14+ 42.23 грн
100+ 41.22 грн
250+ 39.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF1404PBFInternational Rectifier CorporationTO-220
на замовлення 304 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+99.14 грн
10+ 87.23 грн
100+ 73.86 грн
250+ 68.12 грн
500+ 57.68 грн
1000+ 45.09 грн
2000+ 44.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 374 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+109.51 грн
10+ 93.47 грн
12+ 76.69 грн
32+ 72.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+115.73 грн
10+ 98.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.88 грн
10+ 77.89 грн
12+ 63.91 грн
32+ 60.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+60.61 грн
179+ 58.2 грн
190+ 54.84 грн
250+ 52.02 грн
500+ 46.48 грн
1000+ 43.44 грн
Мінімальне замовлення: 172
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+77.89 грн
141+ 74.27 грн
157+ 66.31 грн
200+ 61.47 грн
1000+ 52.89 грн
2000+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 134
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404PBF-ELInternational RectifierDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRF1404SInternational RectifierN-MOSFET 162A 40V 200W 0,004Ω Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404STRInternational RectifierN-MOSFET 162A 40V 200W 0,004Ω Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.18 грн
1600+ 74.03 грн
2400+ 73.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.17 грн
800+ 104.47 грн
1600+ 102.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.08 грн
10+ 128.88 грн
100+ 102.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.18 грн
10+ 126.41 грн
100+ 96.5 грн
250+ 92.03 грн
500+ 80.53 грн
800+ 68.38 грн
2400+ 67.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.63 грн
1600+ 69.49 грн
2400+ 69 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+152.04 грн
10+ 135.53 грн
25+ 134.17 грн
100+ 106.74 грн
250+ 92.27 грн
500+ 78.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404STRLPBF
Код товару: 169012		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.25 грн
10+ 177.08 грн
25+ 150.56 грн
100+ 115.17 грн
800+ 104.47 грн
1600+ 102.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+152.04 грн
77+ 135.53 грн
78+ 134.17 грн
100+ 106.74 грн
250+ 92.27 грн
500+ 78.64 грн
Мінімальне замовлення: 69
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.13 грн
1600+ 73.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404STRRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.56 грн
10+ 120.45 грн
100+ 96.07 грн
500+ 81.88 грн
1000+ 57.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+82.71 грн
155+ 67.3 грн
171+ 60.89 грн
500+ 53.33 грн
1000+ 46.03 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 100nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 237 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.06 грн
10+ 83.08 грн
13+ 67.9 грн
35+ 64.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+82.71 грн
10+ 67.3 грн
100+ 60.89 грн
500+ 53.33 грн
1000+ 46.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 11358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.88 грн
10+ 79.38 грн
100+ 58.92 грн
250+ 58.29 грн
500+ 51.32 грн
1000+ 46.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 228 шт:
187 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+55.35 грн
198+ 52.78 грн
199+ 52.51 грн
206+ 48.85 грн
1000+ 45.15 грн
2000+ 43.27 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 100nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.2 грн
5+ 77.89 грн
10+ 69.24 грн
13+ 56.59 грн
35+ 53.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.26 грн
10+ 71.14 грн
100+ 63.23 грн
500+ 54.59 грн
1000+ 46.67 грн
2000+ 36.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404ZPBFInternational RectifierDescription: IRF1404 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZPBFInternational Rectifier CorporationTO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+85.67 грн
156+ 66.78 грн
176+ 59.35 грн
500+ 51.25 грн
1000+ 43.81 грн
2000+ 34.09 грн
Мінімальне замовлення: 122
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.07 грн
10+ 98.66 грн
100+ 79.31 грн
500+ 61.15 грн
1000+ 50.67 грн
2000+ 47.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+640.08 грн
IRF1404ZSInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZS
Код товару: 99461		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 2,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/100
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC
товар відсутній
IRF1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInternational RectifierDescription: IRF1404 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.22 грн
800+ 64.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.2 грн
2400+ 58.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.89 грн
10+ 124.21 грн
100+ 86.28 грн
250+ 79.89 грн
500+ 71.58 грн
800+ 57.52 грн
2400+ 56.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.81 грн
10+ 116.57 грн
100+ 93.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.61 грн
10+ 131.2 грн
25+ 110.41 грн
100+ 83.22 грн
800+ 64.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.07 грн
2400+ 62.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.95 грн
1600+ 63.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405International RectifierN-MOSFET 169A 55V 330W 0.0053Ω IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1405IR2004 TO220
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товар відсутній
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.39 грн
10+ 162.43 грн
100+ 114.4 грн
250+ 109.92 грн
500+ 93.95 грн
1000+ 77.97 грн
2000+ 72.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1405PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 169 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5480 @ 25; Qg, нКл = 260 @ 10 В; Rds = 5,3 мОм @ 101 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 330; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB
товар відсутній
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+137.04 грн
84+ 124.66 грн
104+ 100.79 грн
200+ 91.22 грн
1000+ 74.99 грн
2000+ 67.22 грн
4000+ 65.47 грн
Мінімальне замовлення: 76
IRF1405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.52 грн
10+ 138.8 грн
100+ 110.47 грн
500+ 87.72 грн
1000+ 74.43 грн
2000+ 70.71 грн
5000+ 66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405PBF
Код товару: 27155		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 106 шт:
53 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
100+ 48.7 грн
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+128.48 грн
92+ 113.14 грн
109+ 96.09 грн
500+ 78.19 грн
1000+ 64.03 грн
3000+ 52.02 грн
5000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 81
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.88 грн
10+ 77.89 грн
12+ 63.91 грн
32+ 60.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1405PBFInternational Rectifier CorporationTO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+141.29 грн
100+ 125.58 грн
Мінімальне замовлення: 74
IRF1405PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 330W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+243.76 грн
10+ 195.01 грн
25+ 177.08 грн
100+ 147.79 грн
500+ 116.76 грн
1000+ 93.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+109.51 грн
10+ 93.47 грн
12+ 76.69 грн
32+ 72.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+136.87 грн
10+ 120.52 грн
100+ 102.37 грн
500+ 83.29 грн
1000+ 68.21 грн
3000+ 55.42 грн
5000+ 54.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1405PBF; 133A; 55V; 200W; 0.0053R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+116.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1405SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1405SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.85 грн
800+ 94.02 грн
1600+ 92.18 грн
3200+ 90.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+172.27 грн
71+ 146.83 грн
100+ 115.4 грн
250+ 102.69 грн
500+ 89.26 грн
Мінімальне замовлення: 61
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 14604 шт:
термін постачання 237-246 дні (днів)
2+181.93 грн
10+ 157.28 грн
100+ 109.92 грн
250+ 105.45 грн
500+ 89.47 грн
800+ 70.94 грн
4800+ 68.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.7 грн
4800+ 79.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.8 грн
10+ 159.16 грн
25+ 135.5 грн
100+ 103.85 грн
800+ 94.02 грн
1600+ 92.18 грн
3200+ 90.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.67 грн
4800+ 70.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.7 грн
4800+ 79.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+172.27 грн
10+ 148.32 грн
25+ 146.83 грн
100+ 115.4 грн
250+ 102.69 грн
500+ 89.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
10+ 133.15 грн
100+ 106 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.29 грн
4800+ 74.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
товар відсутній
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZIR09+ SOP20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)