Продукція > IRF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF 3710PBFIR09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF-3100 100 10%VishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF-46 22K 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF014NTR
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH101JVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH102JVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH102KVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH120KVishay DaleDescription: FIXED IND 12UH 350MA 800 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 800mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 12 µH
Current Rating (Amps): 350 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH121KVishay DaleDescription: FIXED IND 120UH 160MA 3.8 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.8Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 5.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 120 µH
Current Rating (Amps): 160 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 335MA 880 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 880mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 335 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH151JVishay DaleDescription: FIXED IND 150UH 150MA 4.4 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.4Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 150 µH
Current Rating (Amps): 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH181JVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R0JVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R0KVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R5JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 700MA 200MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 150MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 700 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R8JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH221JVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 270MA 1.35 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.35Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 270 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH271KVishay DaleDescription: FIXED IND 270UH 120MA 6.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 6.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.7MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 270 µH
Current Rating (Amps): 120 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH330JVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH330KVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 100MA 9.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 9.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 330 µH
Current Rating (Amps): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 575MA 300MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 300mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 90MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 575 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH3R9KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.9UH 555MA 320MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 80MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.9 µH
Current Rating (Amps): 555 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 205 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH4R7JVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH4R7KVishay / DaleRF inductors - Leaded 4.7uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH560KVishay DaleDescription: FIXED IND 56UH 195MA 2.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 18MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 56 µH
Current Rating (Amps): 195 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH561KVishay DaleDescription: FIXED IND 560UH 85MA 13 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 13Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 560 µH
Current Rating (Amps): 85 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 65MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 5.6 µH
Current Rating (Amps): 500 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH681JVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH681KVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 450mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 60MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 470 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH820JVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 425MA 550MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 425 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BHR39MVishay DaleDescription: FIXED IND 390NH 1A 90 MOHM TH
Tolerance: ±20%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 90mOhm Max
Q @ Freq: 40 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 320MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 390 nH
Current Rating (Amps): 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 285mA 1.2Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB470KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-1 47 10% EB e2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER180KVishay / DaleRF inductors - Leaded 18uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 240mA 1.7Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 90mA 11.6Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ES101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ES2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ESR10KVishay DaleDescription: FIXED IND 100NH 1.35A 60 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EV6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU180KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-1 18 10% R36
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SHR10KVishay DaleDescription: IRF-1 .1 10% RJ1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH101KVishay / DaleFixed Inductors 10% 100uH Axial Leaded
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH103J06VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 165MA 4.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.6Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 410mA 840mOhm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH2R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.7UH 720MA 300MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH330KVishay / DaleFixed Inductors 33uH 10% Axial Leaded
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH331JVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH332J02VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH390KVishay DaleDescription: FIXED IND 39UH 350MA 1.12 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH470JVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.22Ohm Max
Q @ Freq: 45 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 340 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH470KVishay / DaleFixed Inductors 47uH 10% Axial Leaded
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH4R7KVishayRF Choke Wirewound 4.7uH 10% 7.9MHz 70Q-Factor Ferrite 620mA 390mOhm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH4R7K04VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 590MA 430MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 430mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 74MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 5.6 µH
Current Rating (Amps): 590 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH5R6KVishayFixed Inductors 5.6uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 550MA 480MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Q @ Freq: 75 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 68MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 550 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.62Ohm Max
Q @ Freq: 35 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 10.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 290 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 530MA 520MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 520mOhm Max
Q @ Freq: 80 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 53MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BHR47KVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BHR56KVishay DaleDescription: FIXED IND 560NH 1.1A 150 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BHR82KVishay DaleDescription: FIXED IND 820NH 980MA 170MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB100KVishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 670MA 340MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 340mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 94MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 670 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB821KVishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+18.35 грн
675+18.05 грн
685+17.77 грн
697+16.85 грн
708+15.35 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 664
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+17.31 грн
36+17.04 грн
50+16.17 грн
100+14.73 грн
250+13.91 грн
500+13.69 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 100mA 14Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 155 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER330KVishayRF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER391KVishayRF Choke Wirewound 390uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 133mA 7Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 45Q-Factor Ferrite 340mA 1.22Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 126mA 7.7Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER820KVishayRF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER821KVishayRF Choke Wirewound 820uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 105mA 10.5Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ERR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EV100KVishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EV471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03NF101K03VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU100KVishayRF inductors - Leaded IRF-3 10 10% R36
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 100mA 14Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU1R5KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 830MA 230MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 750MA 280MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU330KVishayRF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 305MA 1.47 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU680KVishayRF Choke Wirewound 68uH 10% 2.5MHz 40Q-Factor Ferrite 305mA 1.47Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU820KVishayRF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RUR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF044Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF044International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF044IRF045IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF044PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF054Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF054PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF0612HI2L3 Narda-MITEQDescription: MIXER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF06SDF2IOR2007
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 1 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 100 5%Vishay / DaleRF inductors - Leaded 100uH 5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 1K 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 2.2 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 22 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 4.7 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 47 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.64 грн
10+167.13 грн
100+112.79 грн
500+86.39 грн
1000+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201
Код товару: 172773
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.40 грн
8+122.32 грн
21+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+118.49 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.48 грн
8+152.43 грн
21+138.53 грн
2000+133.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.47 грн
10+141.05 грн
100+97.63 грн
500+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.28 грн
25+40.36 грн
100+37.79 грн
500+33.89 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.26 грн
10+146.01 грн
25+92.47 грн
100+77.79 грн
500+65.17 грн
1000+63.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.66 грн
50+93.15 грн
100+88.37 грн
500+66.97 грн
1000+61.85 грн
2000+57.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+46.02 грн
284+42.91 грн
293+41.68 грн
500+38.91 грн
1000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+67.72 грн
500+64.84 грн
1000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.38 грн
10+81.02 грн
100+54.46 грн
250+54.24 грн
500+47.63 грн
1000+46.75 грн
5000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+78.26 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+67.72 грн
500+64.84 грн
1000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202INFINEON TECHNOLOGIESIRF100B202 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.00 грн
15+73.39 грн
41+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+67.72 грн
500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.01 грн
10+98.80 грн
100+76.24 грн
500+60.47 грн
1000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202
Код товару: 167969
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+183.29 грн
10+102.65 грн
100+79.02 грн
250+71.80 грн
500+60.29 грн
1000+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+174.46 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.89 грн
10+74.00 грн
100+58.06 грн
500+49.52 грн
1000+48.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesIRF100DM116XTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesSP001511076
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218Infineon TechnologiesIRF100P218
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+665.38 грн
25+634.66 грн
50+609.12 грн
100+566.66 грн
250+508.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesSP005537804
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.44 грн
25+357.96 грн
100+301.30 грн
500+249.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.78 грн
5+563.13 грн
10+561.49 грн
50+350.14 грн
100+285.10 грн
250+279.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+411.52 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+587.48 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.68 грн
10+600.08 грн
25+387.50 грн
100+327.32 грн
400+299.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 555 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219Infineon TechnologiesIRF100P219
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+777.99 грн
25+742.07 грн
50+712.21 грн
100+662.56 грн
250+594.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+310.38 грн
41+303.15 грн
42+296.01 грн
100+278.48 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+431.91 грн
30+413.36 грн
50+397.61 грн
100+370.40 грн
250+332.56 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.42 грн
25+270.72 грн
100+270.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.21 грн
10+281.50 грн
25+274.87 грн
100+258.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+363.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.68 грн
10+491.21 грн
25+347.87 грн
100+293.56 грн
400+281.09 грн
1200+270.08 грн
2800+263.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.54 грн
5+358.96 грн
10+338.37 грн
50+275.22 грн
100+242.75 грн
250+231.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.18 грн
10+292.02 грн
100+204.76 грн
480+182.01 грн
1200+156.32 грн
2640+146.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201INFINEON TECHNOLOGIESIRF100S201 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+174.46 грн
500+167.36 грн
1000+158.23 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.98 грн
10+205.82 грн
100+159.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.68 грн
10+210.15 грн
25+175.40 грн
100+141.64 грн
800+119.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.62 грн
10+205.88 грн
100+153.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+174.46 грн
500+167.36 грн
1000+158.23 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF101018IORSO-223
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ELInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ELPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.59 грн
10+82.88 грн
24+46.79 грн
64+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+77.97 грн
500+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.14 грн
50+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.90 грн
10+68.36 грн
100+51.96 грн
500+46.09 грн
1000+43.59 грн
2000+41.83 грн
5000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+90.86 грн
141+86.79 грн
250+83.31 грн
500+77.43 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.27 грн
12+72.53 грн
100+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInternational Rectifier CorporationTO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.33 грн
10+66.51 грн
24+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.71 грн
50+57.58 грн
100+53.13 грн
500+43.03 грн
1000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF
Код товару: 72223
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 192 шт:
105 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.20 грн
10+86.39 грн
19+48.93 грн
51+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.04 грн
10+107.65 грн
19+58.71 грн
51+55.96 грн
3200+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.10 грн
10+111.41 грн
100+68.91 грн
250+68.47 грн
800+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.91 грн
10+81.19 грн
27+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
50+43.01 грн
100+42.64 грн
500+39.79 грн
1000+38.43 грн
2000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+79.28 грн
500+71.35 грн
1000+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.55 грн
10+99.62 грн
100+78.46 грн
500+61.69 грн
1000+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+79.28 грн
500+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.45 грн
25+52.92 грн
100+45.36 грн
500+44.99 грн
1000+43.96 грн
2000+42.49 грн
5000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.29 грн
10+101.17 грн
27+40.82 грн
73+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.22 грн
13+47.83 грн
100+45.05 грн
500+42.77 грн
1000+36.37 грн
3000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+51.15 грн
253+48.19 грн
500+47.44 грн
1000+42.01 грн
3000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 238
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
3+131.00 грн
10+107.19 грн
100+74.86 грн
250+72.36 грн
500+64.07 грн
800+52.77 грн
2400+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+95.18 грн
500+85.67 грн
1000+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NIRC07+;
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010N TO220
на замовлення 467 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NL
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NLPBFIR03+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.78 грн
2000+55.41 грн
5000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.13 грн
10+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.28 грн
10+81.02 грн
100+62.09 грн
250+60.03 грн
500+51.59 грн
1000+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.98 грн
2000+51.69 грн
5000+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF
Код товару: 26804
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності 266 шт:
212 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.00 грн
10+35.00 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.58 грн
10+96.22 грн
18+62.38 грн
48+58.71 грн
1000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.15 грн
10+77.21 грн
18+51.99 грн
48+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSMOSFET 55V 60A (290A pulse), N Channel DPAK
на замовлення 165 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+118.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NS-TO263TI10+
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBF
Код товару: 154257
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBF//IR
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.17 грн
10+82.63 грн
25+71.12 грн
100+62.75 грн
250+62.53 грн
800+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.79 грн
10+76.07 грн
100+63.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.25 грн
13+49.33 грн
25+48.84 грн
100+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF
Код товару: 196974
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.26 грн
10+87.27 грн
100+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZIRMOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V TO-220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+289.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRF1010Z TIRF1010z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.36 грн
10+126.79 грн
100+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInternational RectifierDescription: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
500+100.37 грн
1000+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
500+100.37 грн
1000+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.42 грн
10+77.73 грн
100+62.75 грн
250+62.68 грн
500+61.94 грн
1000+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+120.70 грн
500+108.53 грн
1000+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.80 грн
500+78.74 грн
1500+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+206.11 грн
105+116.85 грн
120+102.24 грн
200+89.20 грн
500+78.97 грн
1000+62.46 грн
2000+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.41 грн
10+128.66 грн
100+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.00 грн
50+125.96 грн
100+98.80 грн
500+78.74 грн
1500+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.48 грн
1600+62.99 грн
2400+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018E-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Equivalent: IRF1018E; SP001574502; IRF1018E-ML MOSLEADER TIRF1018e MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.45 грн
10+73.83 грн
100+48.83 грн
500+39.95 грн
1000+34.47 грн
3000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+45.42 грн
1000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 670
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF
Код товару: 98648
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності 28 шт:
4 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44.00 грн
10+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESIRF1018EPBF THT N channel transistors
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.97 грн
30+36.97 грн
80+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.18 грн
10+76.80 грн
100+46.97 грн
500+38.09 грн
1000+35.30 грн
2000+32.66 грн
5000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.12 грн
233+52.33 грн
500+44.39 грн
1000+39.90 грн
3000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.41 грн
10+73.34 грн
100+48.27 грн
500+39.42 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.94 грн
10+64.98 грн
100+46.76 грн
500+36.75 грн
1000+33.61 грн
2000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+45.42 грн
1000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 670
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.49 грн
11+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+78.99 грн
235+51.98 грн
500+44.03 грн
1000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+64.43 грн
240+50.72 грн
254+48.04 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ES
Код товару: 99459
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
товару немає в наявності
1+31.50 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ES-GURTInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+111.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1018ESPBF - IRF1018E - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+63.67 грн
500+60.96 грн
1000+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.52 грн
10+88.15 грн
100+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.56 грн
10+97.06 грн
100+60.03 грн
500+57.91 грн
800+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.52 грн
230+52.99 грн
263+46.45 грн
265+44.35 грн
500+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESIRF1018ESTRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.31 грн
20+54.22 грн
55+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+67.28 грн
500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.04 грн
13+49.70 грн
25+49.20 грн
100+41.60 грн
250+38.13 грн
500+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+49.66 грн
299+40.73 грн
311+39.19 грн
500+37.64 грн
1000+26.88 грн
2000+24.27 грн
3200+23.23 грн
6400+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.02 грн
10+91.39 грн
100+72.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059MSIOR2007
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059MSPBFIOR2007
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059TRPBFIOR2006
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104International RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.73 грн
10+86.09 грн
100+66.13 грн
250+66.05 грн
500+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.75 грн
10+134.33 грн
14+81.65 грн
37+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.02 грн
10+84.80 грн
100+73.52 грн
500+54.66 грн
1000+50.39 грн
5000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
500+100.56 грн
1000+92.74 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF
Код товару: 28062
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.96 грн
10+107.79 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+84.41 грн
Мінімальне замовлення: 883
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFIRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
500+100.56 грн
1000+92.74 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.92 грн
50+79.02 грн
100+71.14 грн
500+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF110JIR00+ TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF11N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF11N50APBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+152.33 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120CECCInternational RectifierDescription: MOSFET 100V 9.2A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF121IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF121-0001Harris CorporationDescription: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 312
В кошику  од. на суму  грн.
IRF122International RectifierDescription: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IRF122IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF123IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF123International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 442
В кошику  од. на суму  грн.
IRF12543G1IOR01+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1282IOR02+ SMD-8
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1282TRPBFIR09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF131IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310N
Код товару: 26596
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1310N; SP001553864; IRF1310N-ML MOSLEADER TIRF1310 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 686
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+76.44 грн
500+73.18 грн
1000+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.42 грн
10+110.32 грн
100+63.23 грн
500+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESIRF1310NPBF THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.52 грн
20+56.88 грн
53+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+97.37 грн
133+91.69 грн
212+57.45 грн
223+52.82 грн
500+46.01 грн
1000+43.12 грн
2000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.81 грн
10+109.72 грн
100+56.14 грн
250+55.34 грн
500+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності 166 шт:
106 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIR03+
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.52 грн
25+70.83 грн
100+52.74 грн
500+40.69 грн
1000+36.33 грн
2500+33.58 грн
5000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBF
Код товару: 150473
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+175.67 грн
10+155.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+102.36 грн
125+97.79 грн
250+93.87 грн
500+87.24 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.37 грн
25+52.86 грн
100+50.49 грн
250+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+57.47 грн
214+56.93 грн
216+56.39 грн
250+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESIRF1310NSTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+58.67 грн
209+58.50 грн
212+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.74 грн
250+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 259200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.71 грн
10+75.53 грн
100+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 259200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.55 грн
10+108.68 грн
50+97.15 грн
100+78.74 грн
250+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 13779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.59 грн
10+92.84 грн
100+67.08 грн
250+66.71 грн
500+66.64 грн
800+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310ZPBF
Код товару: 117648
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1311International Rectifier CorporationСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312International RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
44+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312L
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInfineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBF
Код товару: 40543
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SHRInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF132IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+152.14 грн
500+136.93 грн
1000+126.79 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 0.0012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.51 грн
10+132.55 грн
100+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.90 грн
9+140.04 грн
23+127.52 грн
50+126.60 грн
100+122.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+123.83 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+152.14 грн
500+136.93 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.61 грн
50+114.37 грн
100+107.41 грн
500+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF
Код товару: 94346
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 24 V
Idd,A: 249 A
Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+54.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+117.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.00 грн
10+135.88 грн
100+106.42 грн
250+104.95 грн
500+86.60 грн
1000+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.59 грн
9+112.38 грн
23+106.26 грн
50+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S
Код товару: 99460
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 24 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 0,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7700/180
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+66.00 грн
10+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBF
Код товару: 98274
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+109.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF133IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF133Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+143.02 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+61.32 грн
220+55.44 грн
221+55.28 грн
500+53.12 грн
1000+48.04 грн
2000+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.11 грн
25+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203INFINEON TECHNOLOGIESIRF135B203 THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.90 грн
9+126.60 грн
24+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.95 грн
50+107.79 грн
100+105.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+143.02 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.06 грн
25+52.49 грн
100+52.33 грн
500+50.29 грн
1000+45.48 грн
2000+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203
Код товару: 142696
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.54 грн
10+134.20 грн
100+107.85 грн
500+99.38 грн
1000+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+143.02 грн
500+136.93 грн
1000+129.83 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.45 грн
10+185.68 грн
100+118.89 грн
250+118.16 грн
500+102.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+282.99 грн
52+238.36 грн
55+224.16 грн
100+167.25 грн
500+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203INFINEON TECHNOLOGIESIRF135S203 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.82 грн
10+178.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+255.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+373.26 грн
100+358.05 грн
500+342.83 грн
1000+312.98 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.01 грн
10+588.26 грн
100+423.47 грн
500+369.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+373.26 грн
100+358.05 грн
500+342.83 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+701.90 грн
24+511.21 грн
50+453.39 грн
100+410.79 грн
200+358.63 грн
500+320.81 грн
800+303.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404Infineon / IRMOSFETs MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.41 грн
10+141.79 грн
100+111.55 грн
500+91.00 грн
1000+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.52 грн
50+118.89 грн
100+107.58 грн
500+82.36 грн
1000+76.38 грн
2000+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.70 грн
10+170.48 грн
12+81.04 грн
31+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.86 грн
10+219.00 грн
100+126.79 грн
500+95.56 грн
1000+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+292.43 грн
10+212.45 грн
12+97.24 грн
31+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.66 грн
500+106.50 грн
1000+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF
Код товару: 31360
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності 84 шт:
46 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 13 шт:
13 шт - очікується
1+48.00 грн
10+44.00 грн
100+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.48 грн
10+115.44 грн
13+73.39 грн
34+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.24 грн
10+158.07 грн
100+101.27 грн
500+72.63 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.66 грн
500+106.50 грн
1000+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.58 грн
10+143.85 грн
13+88.07 грн
34+83.48 грн
500+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
299+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 299
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.81 грн
10+163.74 грн
25+85.13 грн
100+74.86 грн
500+69.50 грн
1000+66.27 грн
2000+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 91072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.66 грн
500+106.50 грн
1000+98.02 грн
10000+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.63 грн
50+88.10 грн
100+82.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.66 грн
500+106.50 грн
1000+98.02 грн
10000+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.28 грн
100+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF-ELInternational RectifierDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPBInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.25 грн
10+154.33 грн
15+73.39 грн
41+68.80 грн
1600+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.51 грн
10+134.20 грн
100+91.00 грн
800+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.89 грн
10+116.58 грн
100+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+81.14 грн
151+80.82 грн
166+73.68 грн
500+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+136.93 грн
500+122.73 грн
1000+113.60 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.38 грн
500+87.92 грн
1000+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+136.93 грн
500+122.73 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF
Код товару: 169012
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.71 грн
10+123.85 грн
15+61.16 грн
41+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+99.68 грн
138+88.82 грн
139+87.93 грн
152+77.29 грн
250+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.56 грн
10+82.48 грн
25+81.65 грн
100+71.77 грн
250+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.94 грн
10+138.31 грн
100+105.38 грн
500+87.92 грн
1000+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+138.96 грн
500+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+138.96 грн
500+124.76 грн
1000+114.62 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+92.47 грн
138+88.52 грн
190+64.23 грн
250+59.93 грн
500+52.45 грн
1000+46.56 грн
2000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 157 шт:
115 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+53.50 грн
100+48.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+87.60 грн
500+78.84 грн
1000+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInternational Rectifier CorporationTO-220AB
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+87.60 грн
500+78.84 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.20 грн
10+83.64 грн
100+55.33 грн
500+47.91 грн
1000+44.39 грн
2000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.80 грн
13+49.28 грн
25+48.70 грн
100+42.69 грн
250+38.97 грн
500+36.66 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.08 грн
10+93.86 грн
100+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+48.77 грн
253+48.20 грн
278+43.82 грн
295+39.91 грн
1000+36.08 грн
2000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+87.60 грн
500+78.84 грн
1000+72.71 грн
10000+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 6272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.43 грн
10+87.78 грн
25+75.59 грн
100+53.80 грн
250+53.58 грн
500+49.98 грн
1000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.11 грн
10+99.08 грн
19+56.88 грн
52+54.13 грн
5000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.26 грн
10+79.51 грн
19+47.40 грн
52+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.04 грн
10+86.80 грн
25+83.09 грн
100+58.14 грн
250+52.08 грн
500+47.26 грн
1000+43.70 грн
2000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+695.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZS
Код товару: 99461
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 2,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/100
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.00 грн
10+38.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+62.12 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+87.10 грн
500+78.39 грн
1000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.81 грн
10+123.22 грн
100+77.79 грн
250+77.06 грн
500+59.45 грн
800+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+116.85 грн
124+98.18 грн
143+85.20 грн
500+79.81 грн
1000+56.73 грн
3200+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.21 грн
1600+57.63 грн
2400+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.80 грн
10+127.66 грн
13+88.99 грн
34+83.48 грн
250+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.74 грн
500+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.01 грн
1600+61.39 грн
2400+60.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.66 грн
10+102.44 грн
13+74.16 грн
34+69.57 грн
250+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.43 грн
10+105.58 грн
100+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.59 грн
50+142.43 грн
100+103.74 грн
500+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.46 грн
1600+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405IR2004 TO220
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1405; SP001574466; IRF1405-ML MOSLEADER TIRF1405 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+99.91 грн
127+95.86 грн
137+89.34 грн
500+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.71 грн
10+97.15 грн
100+94.68 грн
500+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+174.46 грн
141+86.82 грн
150+81.14 грн
200+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.19 грн
10+83.33 грн
15+61.16 грн
41+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+123.74 грн
1000+114.62 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+123.74 грн
1000+114.62 грн
10000+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF
Код товару: 27155
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 181 шт:
135 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+48.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.50 грн
10+97.90 грн
100+83.67 грн
500+72.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.01 грн
50+89.23 грн
100+83.17 грн
500+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.42 грн
10+103.84 грн
15+73.39 грн
41+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+123.74 грн
1000+114.62 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 12092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.63 грн
50+81.94 грн
100+80.90 грн
500+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF; 133A; 55V; 200W; 0.0053R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+126.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+148.09 грн
500+132.87 грн
1000+122.73 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.09 грн
500+75.23 грн
1000+66.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.82 грн
10+88.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.53 грн
10+78.17 грн
25+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.43 грн
10+95.50 грн
100+88.09 грн
500+75.23 грн
1000+66.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.87 грн
10+97.06 грн
25+82.93 грн
100+80.73 грн
800+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.40 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+151.13 грн
500+135.92 грн
1000+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZIR09+ SOP20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZLIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZL-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO263CA-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263CA-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZL-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(7+Tab) TO-263CA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.31 грн
50+122.79 грн
100+116.91 грн
500+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.60 грн
14+80.02 грн
39+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF
Код товару: 35347
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
Монтаж: THT
у наявності 5 шт:
5 шт - склад
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+138.96 грн
500+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
970+86.95 грн
Мінімальне замовлення: 970
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.84 грн
14+64.22 грн
39+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+138.96 грн
500+131.86 грн
1000+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFIRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.69 грн
50+134.60 грн
100+122.07 грн
500+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+138.96 грн
500+131.86 грн
1000+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+159.25 грн
100+143.93 грн
500+111.33 грн
1000+105.82 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.92 грн
10+262.63 грн
100+143.25 грн
500+107.79 грн
1000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFIRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 952 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.54 грн
10+289.49 грн
25+140.18 грн
100+125.50 грн
500+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFAKSA1Infineon TechnologiesSP005729366
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZS-7P
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZS-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZS-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSPBFIR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 120nC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRL-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPB
Код товару: 196482
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInternational RectifierDescription: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+110.28 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1405ZSTRLPBF - IRF1405 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 151888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 151888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+154.17 грн
500+138.96 грн
1000+128.82 грн
10000+110.52 грн
100000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 75 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4780 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 4,9 мОм @ 75 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 230; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRRPBFInternational Rectifier CorporationN-CH 55V 75A D2PAK
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407-HXYHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407LIR08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407LPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.29 грн
10+183.59 грн
100+86.45 грн
500+69.57 грн
1000+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+119.69 грн
500+107.52 грн
1000+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.12 грн
10+172.43 грн
13+87.15 грн
34+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності 152 шт:
134 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 10953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.77 грн
50+81.74 грн
100+76.41 грн
500+63.96 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+119.69 грн
500+107.52 грн
1000+99.43 грн
10000+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+87.90 грн
143+85.44 грн
177+69.00 грн
183+64.40 грн
500+57.83 грн
1000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.48 грн
10+79.20 грн
25+63.96 грн
100+59.69 грн
500+53.60 грн
1000+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.63 грн
10+187.37 грн
25+84.40 грн
100+76.33 грн
500+66.57 грн
1000+65.02 грн
2000+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInternational RectifierDescription: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+85.85 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+119.69 грн
500+107.52 грн
1000+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+196.77 грн
10+138.37 грн
13+72.63 грн
34+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+695.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S
Код товару: 52433
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.80 грн
10+123.24 грн
100+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.70 грн
10+71.61 грн
25+70.89 грн
100+63.79 грн
250+58.66 грн
500+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.88 грн
1600+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.47 грн
10+142.43 грн
100+106.21 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+82.60 грн
158+77.12 грн
160+76.35 грн
171+68.69 грн
250+63.18 грн
500+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.51 грн
10+136.73 грн
100+89.54 грн
500+84.40 грн
800+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF141International RectifierDescription: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF142International RectifierDescription: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF142IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF143International RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+121.38 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503
Код товару: 124973
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+103.55 грн
10+103.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLHRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRPBF
Код товару: 125066
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesSP001511080
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.13 грн
500+125.38 грн
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+133.89 грн
500+126.79 грн
1000+119.69 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.63 грн
10+219.44 грн
100+135.77 грн
500+119.63 грн
1000+102.75 грн
4800+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.49 грн
10+215.70 грн
100+153.13 грн
500+125.38 грн
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150NIRDC9837 SOP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150NIRTO-3P 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220Infineon TechnologiesIRF150P220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1112.35 грн
25+1061.00 грн
50+1018.30 грн
100+947.32 грн
250+849.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+373.64 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 0.0023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.87 грн
5+750.85 грн
10+644.64 грн
50+499.21 грн
100+391.65 грн
250+383.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesSP005537809
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+835.78 грн
50+535.55 грн
100+429.57 грн
200+395.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+888.76 грн
25+549.44 грн
100+405.85 грн
400+387.50 грн
1200+386.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.85 грн
25+451.23 грн
100+383.36 грн
500+337.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221Infineon TechnologiesIRF150P221
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+778.86 грн
25+742.90 грн
50+713.00 грн
100+663.30 грн
250+595.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.68 грн
25+302.00 грн
100+267.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+507.96 грн
50+386.25 грн
200+370.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 69200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+242.87 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.