Продукція > IRF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF 3710PBFIR09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF-3100 100 10%VishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF-46 22K 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF014NTR
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH101JVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH102JVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH102KVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH120KVishay DaleDescription: FIXED IND 12UH 350MA 800 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 800mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 12 µH
Current Rating (Amps): 350 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH121KVishay DaleDescription: FIXED IND 120UH 160MA 3.8 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.8Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 5.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 120 µH
Current Rating (Amps): 160 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 335MA 880 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 880mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 335 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH151JVishay DaleDescription: FIXED IND 150UH 150MA 4.4 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.4Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 150 µH
Current Rating (Amps): 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH181JVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R0JVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R0KVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R5JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 700MA 200MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 150MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 700 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R8JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH1R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH221JVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 270MA 1.35 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.35Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 270 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH271KVishay DaleDescription: FIXED IND 270UH 120MA 6.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 6.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.7MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 270 µH
Current Rating (Amps): 120 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH330JVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH330KVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 100MA 9.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 9.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 330 µH
Current Rating (Amps): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 575MA 300MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 300mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 90MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 575 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH3R9KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.9UH 555MA 320MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 80MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.9 µH
Current Rating (Amps): 555 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 205 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH4R7JVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH4R7KVishay / DaleRF inductors - Leaded 4.7uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH560KVishay DaleDescription: FIXED IND 56UH 195MA 2.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 18MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 56 µH
Current Rating (Amps): 195 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH561KVishay DaleDescription: FIXED IND 560UH 85MA 13 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 13Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 560 µH
Current Rating (Amps): 85 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 65MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 5.6 µH
Current Rating (Amps): 500 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH681JVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH681KVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 450mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 60MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 470 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH820JVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 425MA 550MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 425 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01BHR39MVishay DaleDescription: FIXED IND 390NH 1A 90 MOHM TH
Tolerance: ±20%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 90mOhm Max
Q @ Freq: 40 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 320MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 390 nH
Current Rating (Amps): 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 285mA 1.2Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB470KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-1 47 10% EB e2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EB470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER180KVishay / DaleRF inductors - Leaded 18uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 240mA 1.7Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 90mA 11.6Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ES101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ES2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ESR10KVishay DaleDescription: FIXED IND 100NH 1.35A 60 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01EV6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU180KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-1 18 10% R36
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01RU6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01SHR10KVishay DaleDescription: IRF-1 .1 10% RJ1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF01ST6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH101KVishay / DaleFixed Inductors 10% 100uH Axial Leaded
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH103J06VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 165MA 4.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.6Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 410mA 840mOhm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH2R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.7UH 720MA 300MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH330KVishay / DaleFixed Inductors 33uH 10% Axial Leaded
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH331JVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH332J02VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH390KVishay DaleDescription: FIXED IND 39UH 350MA 1.12 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH470JVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.22Ohm Max
Q @ Freq: 45 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 340 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH470KVishay / DaleFixed Inductors 47uH 10% Axial Leaded
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH4R7KVishayRF Choke Wirewound 4.7uH 10% 7.9MHz 70Q-Factor Ferrite 620mA 390mOhm DCR AXL Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH4R7K04VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 590MA 430MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 430mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 74MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 5.6 µH
Current Rating (Amps): 590 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH5R6KVishayFixed Inductors 5.6uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 550MA 480MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Q @ Freq: 75 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 68MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 550 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.62Ohm Max
Q @ Freq: 35 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 10.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 290 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 530MA 520MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 520mOhm Max
Q @ Freq: 80 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 53MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BHR47KVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BHR56KVishay DaleDescription: FIXED IND 560NH 1.1A 150 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03BHR82KVishay DaleDescription: FIXED IND 820NH 980MA 170MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB100KVishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 670MA 340MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 340mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 94MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 670 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EB821KVishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+18.35 грн
675+18.05 грн
685+17.77 грн
697+16.85 грн
708+15.35 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 664
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+19.97 грн
36+19.66 грн
50+18.65 грн
100+17.00 грн
250+16.05 грн
500+15.79 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 100mA 14Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 155 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER330KVishayRF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER391KVishayRF Choke Wirewound 390uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 133mA 7Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 45Q-Factor Ferrite 340mA 1.22Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 126mA 7.7Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER820KVishayRF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ER821KVishayRF Choke Wirewound 820uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 105mA 10.5Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ERR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EV100KVishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03EV471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03NF101K03VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU100KVishayRF inductors - Leaded IRF-3 10 10% R36
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 100mA 14Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU1R5KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 830MA 230MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 750MA 280MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU330KVishayRF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 305MA 1.47 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU680KVishayRF Choke Wirewound 68uH 10% 2.5MHz 40Q-Factor Ferrite 305mA 1.47Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU820KVishayRF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RU821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03RUR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03SH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF03ST821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF044International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF044Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF044IRF045IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF044PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF054Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF054PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF0612HI2L3 Narda-MITEQDescription: MIXER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF06SDF2IOR2007
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 1 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 100 5%Vishay / DaleRF inductors - Leaded 100uH 5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 1K 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 2.2 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 22 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 4.7 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1 47 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+119.33 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+295.19 грн
8+155.97 грн
21+141.75 грн
2000+137.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+41.04 грн
18+40.80 грн
25+39.04 грн
100+36.90 грн
500+33.61 грн
1000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: THT
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.99 грн
8+125.16 грн
21+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.07 грн
10+141.63 грн
25+90.12 грн
100+75.85 грн
500+63.23 грн
1000+61.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.35 грн
50+81.93 грн
100+72.68 грн
500+60.38 грн
1000+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.06 грн
10+141.53 грн
100+85.09 грн
500+67.28 грн
1000+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+38.07 грн
335+36.43 грн
341+35.70 грн
500+33.87 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201
Код товару: 172773
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.81 грн
10+62.96 грн
100+43.93 грн
500+43.56 грн
1000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+64.79 грн
227+53.72 грн
500+53.33 грн
1000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.84 грн
10+75.72 грн
100+59.41 грн
500+50.67 грн
1000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+88.07 грн
500+79.27 грн
1000+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.27 грн
13+66.47 грн
100+53.24 грн
500+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.73 грн
10+94.56 грн
15+75.10 грн
41+70.40 грн
2000+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+88.07 грн
500+79.27 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202
Код товару: 167969
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+123.99 грн
11+67.27 грн
100+55.77 грн
500+53.39 грн
1000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+152.55 грн
178+68.65 грн
185+65.81 грн
200+63.22 грн
1000+57.02 грн
2000+54.60 грн
3000+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+88.07 грн
500+79.27 грн
1000+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.11 грн
10+75.88 грн
15+62.58 грн
41+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesIRF100DM116XTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesSP001511076
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218Infineon TechnologiesIRF100P218
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+665.38 грн
25+634.66 грн
50+609.12 грн
100+566.66 грн
250+508.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesSP005537804
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+411.52 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.82 грн
25+366.29 грн
100+308.31 грн
500+255.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+587.48 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.92 грн
5+576.23 грн
10+574.55 грн
50+358.28 грн
100+291.73 грн
250+285.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.06 грн
10+614.04 грн
25+396.52 грн
100+334.94 грн
400+306.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 555 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219Infineon TechnologiesIRF100P219
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+777.99 грн
25+742.07 грн
50+712.21 грн
100+662.56 грн
250+594.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.04 грн
10+263.43 грн
25+253.00 грн
100+194.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+363.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.37 грн
5+367.30 грн
10+346.24 грн
50+281.62 грн
100+248.40 грн
250+236.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.43 грн
25+277.02 грн
100+276.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+248.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.42 грн
10+297.09 грн
25+217.78 грн
100+186.99 грн
400+154.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.69 грн
10+270.31 грн
100+190.00 грн
480+168.22 грн
1200+144.94 грн
2640+135.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.70 грн
10+210.61 грн
100+163.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+174.46 грн
500+167.36 грн
1000+158.23 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+174.46 грн
500+167.36 грн
1000+158.23 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.65 грн
10+215.04 грн
25+179.48 грн
100+144.94 грн
800+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201INFINEON TECHNOLOGIESIRF100S201 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.82 грн
10+210.66 грн
100+156.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF101018IORSO-223
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ELInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ELPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.41 грн
50+56.65 грн
100+53.51 грн
500+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+78.17 грн
500+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.61 грн
13+65.20 грн
100+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.37 грн
10+58.81 грн
100+47.54 грн
500+45.28 грн
1000+44.01 грн
2000+38.75 грн
5000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.49 грн
50+68.80 грн
100+62.15 грн
500+58.25 грн
1000+48.45 грн
2000+43.19 грн
5000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.88 грн
50+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInternational Rectifier CorporationTO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.61 грн
10+61.64 грн
23+39.90 грн
64+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+90.86 грн
141+86.79 грн
250+83.31 грн
500+77.43 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF
Код товару: 72223
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 177 шт:
97 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.93 грн
10+76.82 грн
23+47.87 грн
64+45.25 грн
500+44.03 грн
1000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES-VBVBsemi60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.52 грн
10+86.83 грн
19+50.07 грн
51+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.42 грн
10+108.21 грн
19+60.08 грн
51+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.10 грн
10+114.00 грн
100+70.52 грн
250+70.07 грн
800+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.09 грн
11+84.08 грн
100+52.99 грн
500+48.89 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.09 грн
10+85.78 грн
25+71.34 грн
27+41.30 грн
74+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 7255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
50+48.45 грн
100+47.66 грн
500+43.42 грн
1000+39.84 грн
2000+37.43 грн
5000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+79.47 грн
500+71.52 грн
1000+65.96 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.12 грн
10+50.44 грн
100+42.81 грн
500+41.45 грн
1000+38.90 грн
2000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+82.77 грн
158+77.41 грн
231+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.24 грн
10+68.84 грн
25+59.45 грн
27+34.42 грн
74+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+79.47 грн
500+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
3+134.05 грн
10+109.68 грн
100+76.60 грн
250+74.05 грн
500+65.56 грн
800+54.00 грн
2400+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+95.18 грн
500+85.67 грн
1000+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NIRC07+;
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010N TO220
на замовлення 467 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NL
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NLPBFIR03+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.29 грн
10+98.46 грн
18+63.83 грн
48+60.08 грн
1000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.56 грн
10+82.91 грн
100+63.53 грн
250+61.43 грн
500+52.79 грн
1000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.41 грн
10+79.01 грн
18+53.19 грн
48+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.75 грн
2000+61.36 грн
5000+61.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF
Код товару: 26804
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності 266 шт:
212 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.00 грн
10+35.00 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.69 грн
10+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.63 грн
2000+57.34 грн
5000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSMOSFET 55V 60A (290A pulse), N Channel DPAK
на замовлення 165 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+118.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NS-TO263TI10+
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBF
Код товару: 154257
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSPBF//IR
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.15 грн
11+82.73 грн
100+72.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.62 грн
10+75.05 грн
100+57.00 грн
500+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.80 грн
25+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF
Код товару: 196974
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.09 грн
10+83.84 грн
24+47.87 грн
64+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.42 грн
10+70.64 грн
100+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.24 грн
10+67.28 грн
24+39.90 грн
64+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRF1010Z TIRF1010z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
500+100.42 грн
1000+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInternational RectifierDescription: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
500+100.42 грн
1000+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.44 грн
10+129.74 грн
100+102.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.39 грн
10+79.54 грн
100+64.21 грн
250+64.13 грн
500+63.38 грн
1000+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
500+100.42 грн
1000+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.12 грн
1600+64.46 грн
2400+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+209.77 грн
10+128.05 грн
100+101.09 грн
500+89.18 грн
1000+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+120.70 грн
500+108.53 грн
1000+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.21 грн
10+131.66 грн
100+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.09 грн
500+89.18 грн
1000+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+210.16 грн
90+135.51 грн
100+125.77 грн
200+89.98 грн
1000+78.25 грн
2000+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018E-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Equivalent: IRF1018E; SP001574502; IRF1018E-ML MOSLEADER TIRF1018e MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+61.68 грн
549+55.51 грн
1000+51.19 грн
10000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 494
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.46 грн
6+65.40 грн
10+60.16 грн
32+29.57 грн
86+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF
Код товару: 98648
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності 28 шт:
4 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44.00 грн
10+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.36 грн
5+81.50 грн
10+72.19 грн
32+35.48 грн
86+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+60.99 грн
263+46.37 грн
500+40.80 грн
1000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.63 грн
12+76.07 грн
100+54.76 грн
500+43.49 грн
1000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+76.87 грн
231+52.87 грн
500+44.91 грн
1000+37.25 грн
2000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.02 грн
11+65.34 грн
100+49.68 грн
500+42.15 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.77 грн
10+65.72 грн
100+42.58 грн
500+36.87 грн
1000+33.94 грн
2000+31.62 грн
5000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+61.68 грн
549+55.51 грн
1000+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 494
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+120.98 грн
10+82.29 грн
100+56.60 грн
500+46.35 грн
1000+36.93 грн
2000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+58.59 грн
253+48.20 грн
298+40.98 грн
500+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.67 грн
10+64.46 грн
100+47.00 грн
500+36.20 грн
1000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+61.68 грн
549+55.51 грн
1000+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 494
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ES
Код товару: 99459
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
товару немає в наявності
1+31.50 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ES-GURTInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+111.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1018ESPBF - IRF1018E - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Pulsed drain current: 315A
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.39 грн
5+103.33 грн
10+90.12 грн
20+55.38 грн
55+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.79 грн
10+90.20 грн
100+65.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.52 грн
230+52.99 грн
263+46.45 грн
265+44.35 грн
500+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.94 грн
10+99.32 грн
100+61.43 грн
500+59.25 грн
800+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+67.28 грн
500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.16 грн
10+93.51 грн
100+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+80.82 грн
13+57.35 грн
25+56.77 грн
100+48.00 грн
250+44.00 грн
500+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Pulsed drain current: 315A
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.99 грн
5+82.92 грн
10+75.10 грн
20+46.15 грн
55+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+49.66 грн
299+40.73 грн
311+39.19 грн
500+37.64 грн
1000+26.88 грн
2000+24.27 грн
3200+23.23 грн
6400+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+63.67 грн
500+60.96 грн
1000+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059MSIOR2007
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059MSPBFIOR2007
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059TRPBFIOR2006
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104International RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.54 грн
10+88.09 грн
100+67.66 грн
250+67.59 грн
500+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.78 грн
50+80.86 грн
100+72.79 грн
500+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.72 грн
14+69.62 грн
37+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFIRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 883
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.52 грн
10+99.41 грн
100+81.80 грн
500+68.14 грн
1000+53.43 грн
5000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.06 грн
14+86.76 грн
37+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.57 грн
500+100.42 грн
1000+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF
Код товару: 28062
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF110JIR00+ TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF11N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF11N50APBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+155.88 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120CECCInternational RectifierDescription: MOSFET 100V 9.2A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF121IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF121-0001Harris CorporationDescription: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 312
В кошику  од. на суму  грн.
IRF122International RectifierDescription: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IRF122IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF123IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF123International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 442
В кошику  од. на суму  грн.
IRF12543G1IOR01+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1282IOR02+ SMD-8
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1282TRPBFIR09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF131IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310N
Код товару: 26596
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1310N; SP001553864; IRF1310N-ML MOSLEADER TIRF1310 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.58 грн
10+100.41 грн
20+56.32 грн
54+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+116.75 грн
10+90.75 грн
100+63.55 грн
500+57.26 грн
1000+50.39 грн
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 686
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+83.89 грн
208+58.74 грн
500+54.89 грн
1000+50.30 грн
2000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.47 грн
10+114.00 грн
100+57.45 грн
500+55.50 грн
1000+51.37 грн
2000+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+172.03 грн
103+119.28 грн
111+110.36 грн
200+65.49 грн
500+59.34 грн
1000+51.89 грн
2000+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.15 грн
10+80.57 грн
20+46.94 грн
54+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.39 грн
10+121.31 грн
100+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності 190 шт:
160 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIR03+
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.67 грн
25+81.72 грн
100+60.86 грн
500+46.95 грн
1000+41.92 грн
2500+38.75 грн
5000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.70 грн
10+179.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBF
Код товару: 150473
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+80.72 грн
10+76.17 грн
25+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.67 грн
10+72.67 грн
100+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.30 грн
250+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.26 грн
10+96.04 грн
50+87.61 грн
100+73.30 грн
250+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 282400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 282400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 10771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.62 грн
10+84.64 грн
100+66.54 грн
500+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310ZPBF
Код товару: 117648
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1311International Rectifier CorporationСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312International RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
44+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312L
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInfineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBF
Код товару: 40543
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SHRInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF132IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.96 грн
50+113.23 грн
100+102.37 грн
500+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.43 грн
9+114.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+152.14 грн
500+136.93 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.12 грн
9+142.32 грн
23+129.54 грн
50+128.60 грн
100+124.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+152.14 грн
500+136.93 грн
1000+126.79 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF
Код товару: 94346
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 24 V
Idd,A: 249 A
Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+54.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.26 грн
10+252.73 грн
100+123.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+236.94 грн
67+183.39 грн
100+136.32 грн
200+116.59 грн
500+105.78 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.23 грн
10+139.04 грн
100+108.89 грн
250+107.39 грн
500+88.62 грн
1000+82.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S
Код товару: 99460
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 24 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 0,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7700/180
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+66.00 грн
10+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+115.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBF
Код товару: 98274
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+109.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF133IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF133Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.67 грн
9+135.50 грн
24+122.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+143.02 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.00 грн
25+60.56 грн
100+60.38 грн
500+58.03 грн
1000+52.48 грн
2000+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203
Код товару: 142696
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.28 грн
10+137.32 грн
100+110.36 грн
500+101.69 грн
1000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+143.02 грн
500+136.93 грн
1000+129.83 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+85.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.34 грн
50+110.30 грн
100+108.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+205.56 грн
9+108.74 грн
24+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.97 грн
25+115.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+143.02 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+61.32 грн
220+55.44 грн
221+55.28 грн
500+53.12 грн
1000+48.04 грн
2000+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.20 грн
10+190.00 грн
100+121.66 грн
250+120.91 грн
500+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+282.99 грн
52+238.36 грн
55+224.16 грн
100+167.25 грн
500+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.25 грн
10+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203INFINEON TECHNOLOGIESIRF135S203 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+373.26 грн
100+358.05 грн
500+342.83 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+261.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+701.90 грн
24+511.21 грн
50+453.39 грн
100+410.79 грн
200+358.63 грн
500+320.81 грн
800+303.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+676.38 грн
10+601.95 грн
100+433.31 грн
500+377.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+373.26 грн
100+358.05 грн
500+342.83 грн
1000+312.98 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404Infineon / IRMOSFETs MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404JSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.36 грн
10+174.45 грн
12+82.92 грн
31+78.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+277.16 грн
10+224.09 грн
100+129.74 грн
500+97.78 грн
1000+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.00 грн
10+145.09 грн
100+114.15 грн
500+93.12 грн
1000+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.24 грн
10+217.39 грн
12+99.50 грн
31+93.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.87 грн
10+100.10 грн
100+93.91 грн
500+77.77 грн
1000+67.81 грн
3000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.72 грн
50+73.69 грн
100+71.98 грн
500+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.66 грн
500+105.49 грн
1000+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.87 грн
10+188.27 грн
25+75.85 грн
100+73.60 грн
500+66.54 грн
1000+61.50 грн
2000+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.32 грн
10+92.61 грн
17+65.71 грн
46+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.66 грн
500+105.49 грн
1000+97.66 грн
10000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+147.38 грн
128+95.39 грн
143+85.33 грн
500+72.35 грн
1000+64.73 грн
3000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.66 грн
500+105.49 грн
1000+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+65.04 грн
100+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 91072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.66 грн
500+105.49 грн
1000+97.66 грн
10000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+60.88 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.94 грн
10+74.32 грн
17+54.76 грн
46+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF
Код товару: 31360
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності 852 шт:
788 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 803 шт:
800 шт - очікується 14.09.2025
3 шт - очікується
1+48.00 грн
10+44.00 грн
100+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.43 грн
10+159.22 грн
100+82.64 грн
500+70.17 грн
1000+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF-ELInternational RectifierDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPBInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.62 грн
500+86.83 грн
1000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+136.93 грн
500+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.91 грн
10+126.73 грн
15+75.10 грн
41+70.40 грн
2400+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+78.83 грн
10+77.57 грн
25+76.32 грн
100+72.38 грн
250+65.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+75.38 грн
163+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.43 грн
10+101.69 грн
15+62.58 грн
41+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF
Код товару: 169012
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.54 грн
10+128.05 грн
100+103.62 грн
500+86.83 грн
1000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.97 грн
10+112.41 грн
100+88.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+136.93 грн
500+123.74 грн
1000+113.60 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+136.93 грн
500+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.09 грн
10+119.18 грн
100+81.11 грн
500+79.60 грн
800+67.81 грн
2400+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.57 грн
169+72.40 грн
171+71.23 грн
174+67.56 грн
250+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+138.96 грн
500+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+138.96 грн
500+124.76 грн
1000+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 150 шт:
115 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+53.50 грн
100+48.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+87.83 грн
500+79.04 грн
1000+72.90 грн
10000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+87.83 грн
500+79.04 грн
1000+72.90 грн
10000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.78 грн
11+83.23 грн
100+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+88.91 грн
139+88.11 грн
194+63.02 грн
250+59.27 грн
500+52.67 грн
1000+44.44 грн
2000+43.60 грн
5000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.52 грн
10+76.52 грн
100+49.11 грн
500+47.09 грн
1000+44.08 грн
2000+43.71 грн
5000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.45 грн
14+53.48 грн
100+49.29 грн
500+46.94 грн
1000+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInternational Rectifier CorporationTO-220AB
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.09 грн
10+67.59 грн
19+48.42 грн
53+45.76 грн
1000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+87.83 грн
500+79.04 грн
1000+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.03 грн
10+90.38 грн
100+67.11 грн
500+62.10 грн
1000+51.82 грн
2000+49.05 грн
5000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+87.83 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.23 грн
10+72.67 грн
100+52.99 грн
500+49.17 грн
1000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+53.31 грн
246+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.31 грн
10+84.22 грн
19+58.11 грн
53+54.92 грн
1000+53.51 грн
2000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+121.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZS
Код товару: 99461
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 2,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/100
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.00 грн
10+38.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+87.10 грн
500+78.39 грн
1000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.83 грн
500+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.74 грн
10+103.26 грн
13+75.10 грн
34+71.19 грн
250+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.40 грн
50+148.27 грн
100+107.83 грн
500+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.84 грн
10+117.45 грн
100+74.27 грн
500+51.37 грн
800+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+205.29 грн
93+132.26 грн
100+129.83 грн
500+83.72 грн
1000+74.62 грн
2000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.89 грн
10+128.68 грн
13+90.12 грн
34+85.42 грн
250+82.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.16 грн
10+108.34 грн
100+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405IR2004 TO220
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1405; SP001574466; IRF1405-ML MOSLEADER TIRF1405 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.16 грн
15+77.99 грн
41+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.67 грн
10+106.81 грн
100+100.24 грн
500+82.67 грн
1000+71.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.87 грн
10+91.54 грн
100+78.10 грн
500+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF
Код товару: 27155
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 166 шт:
116 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+48.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 11919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.47 грн
50+83.41 грн
100+81.16 грн
500+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+123.74 грн
1000+114.62 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+186.63 грн
132+92.50 грн
141+86.82 грн
200+73.08 грн
1000+64.55 грн
2000+59.61 грн
4000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.29 грн
10+97.72 грн
100+96.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+123.74 грн
1000+114.62 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.80 грн
15+62.58 грн
41+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+99.15 грн
131+93.05 грн
500+79.58 грн
1000+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+123.74 грн
1000+114.62 грн
10000+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0053 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.26 грн
10+94.35 грн
100+90.98 грн
500+77.76 грн
1000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 10177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.64 грн
10+84.64 грн
500+72.32 грн
800+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.35 грн
20800+104.49 грн
31200+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+90.52 грн
10+82.51 грн
25+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+108.73 грн
113+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.73 грн
10+89.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0053 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.98 грн
500+77.76 грн
1000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+148.09 грн
500+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+148.09 грн
500+132.87 грн
1000+122.73 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+151.13 грн
500+135.92 грн
1000+125.77 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZIR09+ SOP20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZLIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZL-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO263CA-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263CA-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZL-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(7+Tab) TO-263CA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.72 грн
50+120.95 грн
100+115.16 грн
500+96.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.65 грн
14+65.71 грн
39+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.98 грн
50+155.64 грн
100+77.85 грн
500+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+145.26 грн
168+72.66 грн
500+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+130.84 грн
1000+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFIRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.48 грн
10+219.03 грн
100+145.74 грн
500+107.95 грн
1000+95.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+130.84 грн
1000+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.39 грн
10+296.22 грн
25+143.44 грн
100+128.42 грн
500+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+137.94 грн
500+130.84 грн
1000+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+129.83 грн
100+124.02 грн
250+119.05 грн
500+110.66 грн
1000+99.12 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFIRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 952 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF
Код товару: 35347
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
Монтаж: THT
у наявності 5 шт:
5 шт - склад
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+273.46 грн
51+241.81 грн
100+144.44 грн
500+125.98 грн
1000+87.66 грн
2000+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.18 грн
14+81.89 грн
39+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.51 грн
50+132.58 грн
100+120.24 грн
500+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBFAKSA1Infineon TechnologiesSP005729366
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZS-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZS-7P
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZS-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 120nC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSPBFIR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRL-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPB
Код товару: 196482
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1405ZSTRLPBF - IRF1405 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 151888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 75 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4780 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 4,9 мОм @ 75 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 230; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+154.17 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInternational RectifierDescription: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 151888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+154.17 грн
500+138.96 грн
1000+127.80 грн
10000+109.54 грн
100000+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRRPBFInternational Rectifier CorporationN-CH 55V 75A D2PAK
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407-HXYHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407LIR08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407LPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності 139 шт:
124 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInternational RectifierDescription: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.75 грн
10+87.23 грн
100+71.04 грн
500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+57.32 грн
216+56.49 грн
221+55.19 грн
500+50.68 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+119.69 грн
500+107.52 грн
1000+99.34 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.14 грн
10+187.86 грн
100+88.46 грн
500+71.19 грн
1000+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.24 грн
50+60.35 грн
100+58.96 грн
500+54.14 грн
1000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.60 грн
10+141.59 грн
13+74.32 грн
35+70.40 грн
100+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+119.69 грн
500+107.52 грн
1000+99.34 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.28 грн
50+76.98 грн
100+72.55 грн
500+54.97 грн
1000+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.32 грн
10+176.44 грн
13+89.18 грн
35+84.48 грн
100+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+119.69 грн
500+107.52 грн
1000+99.34 грн
10000+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+695.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S
Код товару: 52433
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.99 грн
1600+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+166.80 грн
10+125.52 грн
100+95.20 грн
500+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+92.50 грн
133+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.47 грн
10+117.45 грн
100+76.60 грн
500+62.71 грн
800+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 10593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.35 грн
10+112.72 грн
100+82.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF141International RectifierDescription: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF142IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF142International RectifierDescription: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF143International RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503
Код товару: 124973
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+119.37 грн
10+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+123.74 грн
500+116.64 грн
1000+110.56 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+111.17 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLHRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRPBF
Код товару: 125066
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesSP001511080
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.18 грн
10+213.31 грн
100+132.17 грн
500+116.40 грн
1000+99.13 грн
4800+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+133.89 грн
500+126.79 грн
1000+119.69 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.13 грн
10+220.72 грн
100+156.69 грн
500+128.29 грн
1000+91.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.69 грн
500+128.29 грн
1000+91.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150NIRTO-3P 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150NIRDC9837 SOP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220Infineon TechnologiesIRF150P220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1112.35 грн
25+1061.00 грн
50+1018.30 грн
100+947.32 грн
250+849.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+382.13 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.99 грн
25+459.94 грн
100+390.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1117.41 грн
25+700.30 грн
100+595.01 грн
400+548.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+827.67 грн
50+612.64 грн
100+522.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesSP005537809
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+487.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 0.0023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.82 грн
5+768.31 грн
10+659.63 грн
50+510.82 грн
100+400.76 грн
250+392.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.