Продукція > IRF

<
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF 3710PBFIR09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF-3100 100 10%VishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF-46 22K 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF014NTR
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF01BH100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товар відсутній
IRF01BH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товар відсутній
IRF01BH100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF01BH101JVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF01BH101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF01BH101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01BH102JVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товар відсутній
IRF01BH102KVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товар відсутній
IRF01BH102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01BH120KVishay DaleDescription: FIXED IND 12UH 350MA 800 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 800mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 12 µH
Current Rating (Amps): 350 mA
товар відсутній
IRF01BH121KVishay DaleDescription: FIXED IND 120UH 160MA 3.8 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.8Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 5.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 120 µH
Current Rating (Amps): 160 mA
товар відсутній
IRF01BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 335MA 880 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 880mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 335 mA
товар відсутній
IRF01BH151JVishay DaleDescription: FIXED IND 150UH 150MA 4.4 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.4Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 150 µH
Current Rating (Amps): 150 mA
товар відсутній
IRF01BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товар відсутній
IRF01BH181JVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товар відсутній
IRF01BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товар відсутній
IRF01BH1R0JVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товар відсутній
IRF01BH1R0KVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товар відсутній
IRF01BH1R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товар відсутній
IRF01BH1R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товар відсутній
IRF01BH1R5JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 700MA 200MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 150MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 700 mA
товар відсутній
IRF01BH1R8JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товар відсутній
IRF01BH1R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товар відсутній
IRF01BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товар відсутній
IRF01BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товар відсутній
IRF01BH221JVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товар відсутній
IRF01BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товар відсутній
IRF01BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 270MA 1.35 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.35Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 270 mA
товар відсутній
IRF01BH271KVishay DaleDescription: FIXED IND 270UH 120MA 6.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 6.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.7MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 270 µH
Current Rating (Amps): 120 mA
товар відсутній
IRF01BH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товар відсутній
IRF01BH2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товар відсутній
IRF01BH330JVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товар відсутній
IRF01BH330KVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товар відсутній
IRF01BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 100MA 9.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 9.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 330 µH
Current Rating (Amps): 100 mA
товар відсутній
IRF01BH3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 575MA 300MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 300mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 90MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 575 mA
товар відсутній
IRF01BH3R9KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.9UH 555MA 320MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 80MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.9 µH
Current Rating (Amps): 555 mA
товар відсутній
IRF01BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 205 mA
товар відсутній
IRF01BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товар відсутній
IRF01BH4R7JVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF01BH4R7KVishay / DaleRF inductors - Leaded 4.7uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF01BH4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF01BH560KVishay DaleDescription: FIXED IND 56UH 195MA 2.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 18MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 56 µH
Current Rating (Amps): 195 mA
товар відсутній
IRF01BH561KVishay DaleDescription: FIXED IND 560UH 85MA 13 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 13Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 560 µH
Current Rating (Amps): 85 mA
товар відсутній
IRF01BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 65MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 5.6 µH
Current Rating (Amps): 500 mA
товар відсутній
IRF01BH680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товар відсутній
IRF01BH680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товар відсутній
IRF01BH681JVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товар відсутній
IRF01BH681KVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товар відсутній
IRF01BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 450mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 60MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 470 mA
товар відсутній
IRF01BH820JVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товар відсутній
IRF01BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товар відсутній
IRF01BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 425MA 550MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 425 mA
товар відсутній
IRF01BHR39MVishay DaleDescription: FIXED IND 390NH 1A 90 MOHM TH
Tolerance: ±20%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 90mOhm Max
Q @ Freq: 40 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 320MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 390 nH
Current Rating (Amps): 1 A
товар відсутній
IRF01EB100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01EB101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товар відсутній
IRF01EB220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 285mA 1.2Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EB470KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-1 47 10% EB e2
товар відсутній
IRF01EB470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ER100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ER102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER180KVishay / DaleRF inductors - Leaded 18uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF01ER180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 240mA 1.7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товар відсутній
IRF01ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 90mA 11.6Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ES101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
товар відсутній
IRF01ES2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01ESR10KVishay DaleDescription: FIXED IND 100NH 1.35A 60 MOHM TH
товар відсутній
IRF01EV6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01RU180KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-1 18 10% R36
товар відсутній
IRF01RU220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01SH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01SHR10KVishay DaleDescription: IRF-1 .1 10% RJ1
товар відсутній
IRF01ST100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товар відсутній
IRF01ST2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01ST6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH101KVishay / DaleFixed Inductors 10% 100uH Axial Leaded
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товар відсутній
IRF03BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товар відсутній
IRF03BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 165MA 4.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.6Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF03BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товар відсутній
IRF03BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товар відсутній
IRF03BH220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 410mA 840mOhm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF03BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH2R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.7UH 720MA 300MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH330KVishay / DaleFixed Inductors 33uH 10% Axial Leaded
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH331JVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF03BH390KVishay DaleDescription: FIXED IND 39UH 350MA 1.12 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH470JVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.22Ohm Max
Q @ Freq: 45 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 340 mA
товар відсутній
IRF03BH470KVishay / DaleFixed Inductors 47uH 10% Axial Leaded
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH4R7KVishayRF Choke Wirewound 4.7uH 10% 7.9MHz 70Q-Factor Ferrite 620mA 390mOhm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF03BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 590MA 430MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH5R6KVishayFixed Inductors 5.6uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF03BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 550MA 480MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Q @ Freq: 75 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 68MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 550 mA
товар відсутній
IRF03BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.62Ohm Max
Q @ Freq: 35 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 10.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 290 mA
товар відсутній
IRF03BH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 530MA 520MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 520mOhm Max
Q @ Freq: 80 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 53MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF03BHR47KVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03BHR56KVishay DaleDescription: FIXED IND 560NH 1.1A 150 MOHM TH
товар відсутній
IRF03BHR82KVishay DaleDescription: FIXED IND 820NH 980MA 170MOHM TH
товар відсутній
IRF03EB100KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
товар відсутній
IRF03EB3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 670MA 340MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 340mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 94MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 670 mA
товар відсутній
IRF03EB471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03EB821KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03ER100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+18.35 грн
675+ 18.05 грн
685+ 17.77 грн
697+ 16.85 грн
708+ 15.35 грн
1000+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 664
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+17.31 грн
36+ 17.04 грн
50+ 16.17 грн
100+ 14.73 грн
250+ 13.91 грн
500+ 13.69 грн
1000+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRF03ER102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 100mA 14Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товар відсутній
IRF03ER221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 155 mA
товар відсутній
IRF03ER330KVishayRF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER391KVishayRF Choke Wirewound 390uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 133mA 7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 45Q-Factor Ferrite 340mA 1.22Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 126mA 7.7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER820KVishayRF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER821KVishayRF Choke Wirewound 820uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 105mA 10.5Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ERR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03EV100KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EV471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU100KVishayRF inductors - Leaded IRF-3 10 10% R36
товар відсутній
IRF03RU102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 100mA 14Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU1R5KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 830MA 230MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 750MA 280MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU330KVishayRF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU680KVishayRF Choke Wirewound 68uH 10% 2.5MHz 40Q-Factor Ferrite 305mA 1.47Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 305MA 1.47 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU820KVishayRF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03RUR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03SH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товар відсутній
IRF03ST270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03ST820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03ST821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF044Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF044Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF044IRF045IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF044PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF054Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF054Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF054PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF0612HI2L3 Narda-MITEQDescription: MIXER
товар відсутній
IRF06SDF2IOR2007
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1 1 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 100 5%Vishay / DaleRF inductors - Leaded 100uH 5%
товар відсутній
IRF1 1K 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 2.2 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 22 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 4.7 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 47 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF100B201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.26 грн
10+ 203.17 грн
100+ 144.19 грн
500+ 111.63 грн
1000+ 105.6 грн
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.08 грн
8+ 121.1 грн
20+ 114.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+426.01 грн
48+ 258.65 грн
55+ 223.15 грн
100+ 186.81 грн
500+ 143.99 грн
1000+ 126.06 грн
2000+ 113.02 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRF100B201Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324 грн
10+ 232.72 грн
25+ 198.78 грн
100+ 143.52 грн
500+ 119.12 грн
1000+ 116.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+213.6 грн
10+ 188.59 грн
25+ 179.87 грн
100+ 139.95 грн
500+ 111.18 грн
1000+ 96.16 грн
2000+ 95.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+286.9 грн
8+ 150.9 грн
20+ 137.24 грн
2000+ 133.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.14 грн
10+ 222.18 грн
100+ 189.98 грн
500+ 156.98 грн
1000+ 123.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B201UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
товар відсутній
IRF100B201
Код товару: 172773		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+230.19 грн
60+ 203.23 грн
63+ 193.84 грн
100+ 150.82 грн
500+ 119.81 грн
1000+ 103.63 грн
2000+ 102.58 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF100B202INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+152.63 грн
10+ 90.36 грн
15+ 71.76 грн
40+ 68.17 грн
2000+ 65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B202INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.8 грн
10+ 94.18 грн
100+ 77.44 грн
500+ 64.14 грн
1000+ 57.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+69.7 грн
190+ 64.09 грн
500+ 60.7 грн
1000+ 55.12 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRF100B202Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.75 грн
10+ 114.74 грн
100+ 78.85 грн
500+ 59.56 грн
1000+ 54.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B202
Код товару: 167969		Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+78.61 грн
156+ 78.51 грн
200+ 74.14 грн
1000+ 68.56 грн
2000+ 65.64 грн
3000+ 65.55 грн
Мінімальне замовлення: 155
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF100B202INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+127.19 грн
10+ 72.51 грн
15+ 59.8 грн
40+ 56.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+80.57 грн
10+ 64.69 грн
100+ 59.46 грн
500+ 54.31 грн
1000+ 47.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF100B202Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.35 грн
10+ 120.49 грн
100+ 83.24 грн
250+ 76.78 грн
500+ 70.76 грн
1000+ 60.06 грн
2000+ 57.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesSP001511076
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesIRF100DM116XTMA1
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
IRF100P218Infineon TechnologiesIRF100P218
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+657.08 грн
25+ 626.74 грн
50+ 601.52 грн
100+ 559.59 грн
250+ 502.06 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF100P218Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+449.08 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.62 грн
10+ 427.2 грн
100+ 316.62 грн
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.39 грн
10+ 488.54 грн
100+ 315.03 грн
400+ 298.52 грн
IRF100P218AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+686.66 грн
5+ 596.5 грн
10+ 505.54 грн
50+ 445.51 грн
100+ 388.47 грн
250+ 314.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+751.6 грн
24+ 526.42 грн
50+ 516.28 грн
100+ 495.88 грн
200+ 458.25 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesSP005537804
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 555 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P218XKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 100V; 341A; Idm: 836A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 341A
Pulsed drain current: 836A
Power dissipation: 556W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P219Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+405.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товар відсутній
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+314.76 грн
Мінімальне замовлення: 39
IRF100P219AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+594.09 грн
5+ 514.4 грн
10+ 434.7 грн
50+ 382.72 грн
100+ 333.96 грн
250+ 300.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.13 грн
10+ 441.5 грн
25+ 380.33 грн
100+ 282.73 грн
400+ 282.02 грн
1200+ 274.84 грн
2800+ 261.92 грн
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.07 грн
10+ 385.64 грн
100+ 284.13 грн
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+329.5 грн
10+ 307.34 грн
25+ 303.73 грн
50+ 291.94 грн
100+ 265.6 грн
250+ 250.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товар відсутній
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.24 грн
10+ 210.1 грн
100+ 169.05 грн
500+ 127.08 грн
1000+ 115.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+143.25 грн
Мінімальне замовлення: 1600
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.14 грн
10+ 211.55 грн
25+ 207.7 грн
100+ 118.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.38 грн
10+ 200.18 грн
100+ 141.97 грн
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.05 грн
500+ 127.08 грн
1000+ 115.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF100S201Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.32 грн
10+ 226.12 грн
25+ 185.86 грн
100+ 141.37 грн
800+ 114.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100S201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+272.61 грн
54+ 227.82 грн
55+ 223.68 грн
100+ 127.35 грн
Мінімальне замовлення: 45
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010Infineon TechnologiesArray
товар відсутній
IRF101018IORSO-223
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010E
Код товару: 24949		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1010EJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010EJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010EInfineon / IRMOSFETs
товар відсутній
IRF1010EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010ELInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ELPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.39 грн
100+ 50.07 грн
500+ 43.79 грн
1000+ 41.11 грн
5000+ 35.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.03 грн
100+ 31.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF1010EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.11 грн
100+ 57.96 грн
500+ 45.75 грн
1000+ 42.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.53 грн
10+ 82.72 грн
23+ 45.75 грн
63+ 43.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+87.66 грн
146+ 83.74 грн
250+ 80.38 грн
500+ 74.72 грн
1000+ 66.92 грн
Мінімальне замовлення: 139
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.42 грн
10+ 79.8 грн
100+ 52.74 грн
500+ 43.77 грн
1000+ 41.05 грн
5000+ 40.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.43 грн
327+ 37.23 грн
328+ 37.12 грн
500+ 35.7 грн
Мінімальне замовлення: 326
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.11 грн
10+ 66.38 грн
23+ 38.12 грн
63+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EPBF
Код товару: 72223		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 69 шт:
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+54 грн
10+ 49 грн
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+66.15 грн
226+ 53.96 грн
500+ 47.19 грн
1000+ 44.3 грн
5000+ 37.79 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.71 грн
10+ 90 грн
100+ 61.09 грн
500+ 45.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1010EPBF - IRF1010E 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 432
IRF1010EPBFInternational Rectifier CorporationTO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+54.41 грн
257+ 47.38 грн
500+ 43.06 грн
1000+ 40.7 грн
Мінімальне замовлення: 224
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.52 грн
100+ 44 грн
500+ 39.98 грн
1000+ 37.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1010ESInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1010ESTRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.21 грн
10+ 98.2 грн
100+ 64.15 грн
250+ 64.01 грн
500+ 63.94 грн
800+ 48.37 грн
2400+ 47.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.99 грн
10+ 77.74 грн
19+ 47.84 грн
51+ 44.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.99 грн
10+ 96.88 грн
19+ 57.41 грн
51+ 53.82 грн
2400+ 52.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.69 грн
1600+ 48.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.75 грн
10+ 94.99 грн
100+ 73.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.03 грн
25+ 54.48 грн
100+ 42.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.56 грн
10+ 101.96 грн
100+ 69.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ESTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 257
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.48 грн
10+ 78.15 грн
27+ 39.65 грн
73+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.07 грн
134+ 91.49 грн
183+ 66.54 грн
200+ 62.31 грн
1000+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRF1010EZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.22 грн
10+ 99.02 грн
100+ 73.09 грн
500+ 54.04 грн
1000+ 43.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.63 грн
10+ 91.6 грн
100+ 54.68 грн
500+ 43.99 грн
1000+ 42.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.1 грн
183+ 66.62 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.06 грн
10+ 62.72 грн
27+ 33.04 грн
73+ 31.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.95 грн
10+ 90.16 грн
100+ 61.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.74 грн
10+ 81.93 грн
100+ 55.68 грн
500+ 41.69 грн
1000+ 38.28 грн
2000+ 38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.2 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1010EZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSPBF
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.88 грн
10+ 106.26 грн
50+ 94.99 грн
100+ 76.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
3+128.09 грн
10+ 104.81 грн
100+ 73.2 грн
250+ 70.76 грн
500+ 62.65 грн
800+ 51.6 грн
2400+ 49.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 3200
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010NIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NIRC07+;
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010NIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB
товар відсутній
IRF1010N TO220
на замовлення 467 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF1010NL
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NLPBFIR03+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.7 грн
50+ 71.98 грн
100+ 64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+109.54 грн
137+ 89.26 грн
181+ 67.55 грн
200+ 62.31 грн
Мінімальне замовлення: 112
IRF1010NPBF
Код товару: 26804		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності 201 шт:
193 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.29 грн
10+ 103.04 грн
100+ 73.9 грн
500+ 55.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.99 грн
10+ 75.5 грн
18+ 50.08 грн
48+ 47.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+94.98 грн
10+ 69.89 грн
100+ 60.53 грн
250+ 57.78 грн
500+ 47.44 грн
1000+ 39.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.88 грн
10+ 83.35 грн
100+ 64.87 грн
500+ 51.88 грн
1000+ 47.58 грн
2000+ 46.5 грн
5000+ 46.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+75.73 грн
186+ 65.59 грн
250+ 64.93 грн
500+ 55.52 грн
1000+ 44.44 грн
Мінімальне замовлення: 161
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.99 грн
10+ 94.08 грн
18+ 60.1 грн
48+ 57.41 грн
1000+ 56.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NSInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010NSтранзистор HEXFET Power MOSFET. N-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. D2PAK
на замовлення 165 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+118.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NS-TO263TI10+
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSPBFInfineon (IRF)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
товар відсутній
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSPBF
Код товару: 154257		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1010NSPBF//IR
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRLIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.5 грн
11+ 57.61 грн
25+ 57.03 грн
100+ 47.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 231
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.83 грн
1600+ 51.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.54 грн
10+ 110.93 грн
100+ 76.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1010NSTRLPBF
Код товару: 196974		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 9663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.14 грн
10+ 88.3 грн
100+ 58.13 грн
250+ 57.91 грн
500+ 57.84 грн
800+ 52.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.84 грн
1600+ 47.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.31 грн
10+ 91.77 грн
100+ 67.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRF1010Z TIRF1010z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ZIRMOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V TO-220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+289.8 грн
IRF1010ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZPBFInternational RectifierDescription: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 350
IRF1010ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.02 грн
10+ 123.16 грн
100+ 78.89 грн
200+ 60.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 249
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1010ZPBF - IRF1010 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+80.26 грн
Мінімальне замовлення: 309
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.55 грн
10+ 76 грн
100+ 61.35 грн
250+ 61.28 грн
500+ 60.57 грн
1000+ 60.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.1 грн
10+ 136.85 грн
50+ 108.68 грн
100+ 88.2 грн
250+ 71.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.94 грн
10+ 123.34 грн
100+ 85.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.54 грн
1600+ 60.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+171.42 грн
97+ 125.77 грн
115+ 106.5 грн
200+ 97.13 грн
500+ 89.75 грн
1000+ 71.81 грн
2000+ 68.33 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.2 грн
250+ 71.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1018EInfineon / IRMOSFETs
товар відсутній
IRF1018EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Substitute: IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IRF1018EPBF
Код товару: 98648		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності 35 шт:
4 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44 грн
10+ 39.6 грн
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.33 грн
13+ 47.08 грн
100+ 38.16 грн
500+ 33.63 грн
1000+ 27.94 грн
3000+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.98 грн
10+ 49.63 грн
29+ 30.12 грн
80+ 28.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+51.02 грн
295+ 41.35 грн
500+ 37.8 грн
1000+ 32.71 грн
3000+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 239
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.38 грн
10+ 61.85 грн
29+ 36.15 грн
80+ 34.18 грн
10000+ 32.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1018EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.89 грн
13+ 64.32 грн
100+ 48.06 грн
500+ 40.07 грн
1000+ 31.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.07 грн
10+ 59.75 грн
100+ 42.48 грн
500+ 36.53 грн
1000+ 32.08 грн
2000+ 31.93 грн
10000+ 31.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.87 грн
10+ 74.6 грн
100+ 50.16 грн
500+ 37.2 грн
1000+ 34.03 грн
2000+ 31.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+35.5 грн
427+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 343
IRF1018ESInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1018ES
Код товару: 99459		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
товар відсутній
IRF1018ES-GURTInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+111.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1018ESPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1018ESPBF - IRF1018E - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.82 грн
10+ 92.69 грн
100+ 62.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+60.17 грн
205+ 59.64 грн
226+ 54.01 грн
250+ 51.56 грн
500+ 37.73 грн
Мінімальне замовлення: 203
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.26 грн
500+ 46.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.37 грн
10+ 90.78 грн
100+ 65.09 грн
500+ 62.93 грн
800+ 44.92 грн
2400+ 43.41 грн
4800+ 42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.15 грн
1600+ 43.67 грн
2400+ 41.81 грн
4000+ 37.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+56.5 грн
226+ 53.86 грн
254+ 48.08 грн
264+ 44.51 грн
1000+ 39.49 грн
2000+ 36.26 грн
3200+ 36.08 грн
6400+ 35.56 грн
Мінімальне замовлення: 216
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.78 грн
10+ 93.15 грн
20+ 53.01 грн
55+ 50.14 грн
800+ 49.25 грн
2400+ 48.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.19 грн
10+ 93.38 грн
100+ 73.26 грн
500+ 46.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.82 грн
10+ 74.75 грн
20+ 44.18 грн
55+ 41.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.49 грн
11+ 55.87 грн
25+ 55.38 грн
100+ 48.36 грн
250+ 44.33 грн
500+ 33.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1059MSIOR2007
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1059MSPBFIOR2007
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1059TRPBFIOR2006
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1104International RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товар відсутній
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.01 грн
25+ 63.48 грн
100+ 58.15 грн
500+ 54.89 грн
1000+ 49.06 грн
2500+ 44.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.99 грн
10+ 93.29 грн
13+ 81.63 грн
36+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.84 грн
5+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 155
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+69.41 грн
177+ 68.84 грн
194+ 63.07 грн
500+ 59.52 грн
1000+ 53.2 грн
2500+ 48.75 грн
Мінімальне замовлення: 176
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.89 грн
25+ 59.65 грн
100+ 55.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1104PBFIRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF1104PBF
Код товару: 28062		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+64.5 грн
Мінімальне замовлення: 189
IRF1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 8402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.07 грн
10+ 84.39 грн
100+ 58.04 грн
500+ 51.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.58 грн
11+ 76.56 грн
100+ 63.51 грн
500+ 58.01 грн
1000+ 53.48 грн
2000+ 53.41 грн
5000+ 53.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.55 грн
10+ 71.63 грн
100+ 56.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1104PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRF1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF110JIR00+ TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF11N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF11N50APBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товар відсутній
IRF120Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF120Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF120IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF120CECCInternational RectifierDescription: MOSFET 100V 9.2A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRF120PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF121IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF121-0001Harris CorporationDescription: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF122International RectifierDescription: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+63.06 грн
Мінімальне замовлення: 341
IRF122IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF123International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 442
IRF123IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF12543G1IOR01+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1282IOR02+ SMD-8
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1282TRPBFIR09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF130SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF130Infineon / IRMOSFETs
товар відсутній
IRF130Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF130INTERNATIONAL RECTIFIERCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; 79W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Power: 79W
Case: TO3
товар відсутній
IRF130IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1302HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1302PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1302SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1302SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF130PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товар відсутній
IRF131IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1310N
Код товару: 26596		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1310NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+104.47 грн
126+ 96.97 грн
162+ 75.46 грн
200+ 68.75 грн
1000+ 61.94 грн
2000+ 59.29 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRF1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.14 грн
10+ 115.12 грн
100+ 58.85 грн
500+ 52.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+68.67 грн
208+ 58.63 грн
500+ 55.64 грн
1000+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 178
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.54 грн
10+ 110.63 грн
100+ 75.77 грн
500+ 57.09 грн
1000+ 52.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.09 грн
10+ 87.46 грн
17+ 53.07 грн
45+ 50.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+95.81 грн
10+ 63.84 грн
100+ 54.5 грн
500+ 49.88 грн
1000+ 44.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.63 грн
10+ 74.93 грн
100+ 53.17 грн
500+ 51.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.31 грн
10+ 108.99 грн
17+ 63.69 грн
45+ 61 грн
1000+ 58.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності 211 шт:
155 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 36.9 грн
IRF1310NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSIR03+
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.52 грн
25+ 70.83 грн
100+ 52.74 грн
500+ 40.69 грн
1000+ 36.33 грн
2500+ 33.58 грн
5000+ 32.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NSPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+175.67 грн
10+ 155.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1310NSPBF
Код товару: 150473		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+84.07 грн
10+ 79.06 грн
25+ 78.73 грн
100+ 68.48 грн
250+ 61.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.6 грн
1600+ 60.37 грн
2400+ 58.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.47 грн
250+ 76.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+85.14 грн
144+ 84.79 грн
160+ 76.48 грн
250+ 71.4 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+77.19 грн
200+ 73.36 грн
500+ 67.83 грн
Мінімальне замовлення: 158
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.54 грн
10+ 115.92 грн
50+ 103.84 грн
100+ 84.47 грн
250+ 76.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.08 грн
2400+ 62.82 грн
4800+ 61.34 грн
9600+ 57.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.72 грн
10+ 123.71 грн
100+ 85.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.31 грн
2400+ 67.65 грн
4800+ 66.06 грн
9600+ 62.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 15071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.49 грн
10+ 118.83 грн
100+ 82.52 грн
500+ 80.37 грн
800+ 59.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF1310NSTRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310ZPBF
Код товару: 117648		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1311International Rectifier CorporationСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1312International RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
44+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 44
IRF1312HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312L
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1312PBFInfineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC
товар відсутній
IRF1312PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1312PBF
Код товару: 40543		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1312SIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1312SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SHRInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
IRF1312SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312SPbFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1312STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1312STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF132IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1324Infineon TechnologiesMOSFETs
товар відсутній
IRF1324International RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 353A 300W 0,0015Ω IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+82.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF1324LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 1.5mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Gate charge: 160nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.52 грн
9+ 136 грн
10+ 121.99 грн
50+ 119.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+132.61 грн
110+ 111.14 грн
119+ 102.69 грн
500+ 92 грн
Мінімальне замовлення: 92
IRF1324PBF
Код товару: 94346		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 24 V
Idd,A: 249 A
Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.89 грн
10+ 103.84 грн
100+ 95.94 грн
500+ 85.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1324PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.2 грн
10+ 147.78 грн
100+ 102.98 грн
500+ 78.64 грн
1000+ 72.85 грн
2000+ 69.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 1.5mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Gate charge: 160nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.1 грн
9+ 109.14 грн
10+ 101.66 грн
50+ 99.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1324PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.95 грн
10+ 124.61 грн
100+ 96.16 грн
500+ 88.26 грн
1000+ 80.37 грн
2000+ 78.94 грн
5000+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1324PBF - IRF1324 - 195A, 24V, 0.0015OHM, N-CHANEL
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+109.48 грн
Мінімальне замовлення: 226
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+123.74 грн
104+ 117.66 грн
115+ 106.5 грн
200+ 98.79 грн
500+ 90.56 грн
Мінімальне замовлення: 99
IRF1324SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+109.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1324S
Код товару: 99460		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 24 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 0,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7700/180
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1324S-7PInfineon / IRMOSFETs
товар відсутній
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1324S-7PPBF
Код товару: 98274		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF133IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF133Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+170.4 грн
86+ 143.02 грн
100+ 134.9 грн
200+ 129.11 грн
500+ 108.68 грн
1000+ 98.24 грн
2000+ 96.5 грн
3000+ 93.03 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRF135B203Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.25 грн
10+ 142.77 грн
25+ 109.79 грн
100+ 93.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF135B203
Код товару: 142696		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+174.05 грн
10+ 167.82 грн
25+ 148.19 грн
100+ 125.36 грн
250+ 111.37 грн
500+ 100.45 грн
1000+ 87.43 грн
2000+ 84.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF135B203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.39 грн
10+ 124.53 грн
100+ 90.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135B203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+196.42 грн
9+ 103.16 грн
24+ 97.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+184.99 грн
70+ 175.14 грн
77+ 158.63 грн
100+ 134.18 грн
250+ 119.22 грн
500+ 105.15 грн
1000+ 91.55 грн
2000+ 85.77 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRF135B203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.67 грн
10+ 177.9 грн
100+ 146.51 грн
500+ 118.1 грн
1000+ 94.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+215.61 грн
10+ 206.29 грн
25+ 174.84 грн
100+ 142.35 грн
250+ 125.4 грн
500+ 111.47 грн
1000+ 93.8 грн
2000+ 90.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF135B203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.7 грн
9+ 128.55 грн
24+ 116.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+229.88 грн
57+ 214.41 грн
65+ 188.29 грн
100+ 153.3 грн
250+ 135.05 грн
500+ 116.65 грн
1000+ 98.29 грн
2000+ 90.89 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+184.6 грн
79+ 155.19 грн
100+ 147.07 грн
200+ 140.84 грн
500+ 117.73 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRF135S203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.08 грн
10+ 188.59 грн
100+ 132.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135S203Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.49 грн
10+ 203.01 грн
25+ 171.51 грн
100+ 125.58 грн
800+ 99.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.09 грн
10+ 198.03 грн
100+ 160.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF135S203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF135SA204Infineon
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF135SA204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+292.51 грн
1600+ 253.51 грн
2400+ 237.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135SA204Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+646.32 грн
10+ 575.19 грн
100+ 414.06 грн
500+ 360.95 грн
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.52 грн
10+ 433.09 грн
100+ 388.82 грн
500+ 255.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135SA204ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF135SA204 - IRF135S 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+317.98 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+678.57 грн
25+ 494.98 грн
50+ 439.19 грн
100+ 397.1 грн
200+ 346.85 грн
500+ 310.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+388.82 грн
500+ 255.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF140Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF140SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF140IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF140Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
товар відсутній
IRF140International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF1404Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404Infineon / IRMOSFETs MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
товар відсутній
IRF1404International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.21 грн
10+ 174.95 грн
100+ 108.36 грн
500+ 88.26 грн
1000+ 81.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.67 грн
10+ 169.05 грн
100+ 139.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+156.63 грн
10+ 133.64 грн
100+ 105.35 грн
500+ 86.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.07 грн
10+ 154.88 грн
100+ 108.21 грн
500+ 82.8 грн
1000+ 76.77 грн
2000+ 74.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.56 грн
9+ 97.92 грн
25+ 91.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+169.73 грн
85+ 144.82 грн
107+ 114.15 грн
500+ 93.84 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.08 грн
9+ 122.03 грн
25+ 110.33 грн
1000+ 107.64 грн
2000+ 106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.5 грн
10+ 67.95 грн
100+ 60.14 грн
250+ 57.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.43 грн
10+ 76.99 грн
13+ 71.76 грн
34+ 68.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+105.29 грн
139+ 87.64 грн
166+ 73.49 грн
250+ 70.75 грн
500+ 63.21 грн
1000+ 58.08 грн
Мінімальне замовлення: 116
IRF1404PBFInternational Rectifier CorporationTO-220
на замовлення 169 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.75 грн
10+ 90.16 грн
100+ 71 грн
500+ 61.22 грн
1000+ 56.44 грн
2000+ 56.37 грн
5000+ 56.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+82.39 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+93.28 грн
161+ 75.6 грн
Мінімальне замовлення: 131
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 287688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+69.89 грн
214+ 56.91 грн
215+ 56.7 грн
500+ 54.48 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.72 грн
10+ 95.94 грн
13+ 86.11 грн
34+ 81.63 грн
100+ 78.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.21 грн
10+ 92.43 грн
100+ 62.5 грн
500+ 62.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404PBF - IRF1404 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 40V 202
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 107772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 279
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 287688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+48.1 грн
Мінімальне замовлення: 254
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.49 грн
10+ 86.62 грн
100+ 70.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBF
Код товару: 31360		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності 263 шт:
249 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 23 шт:
23 шт - очікується
1+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
IRF1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.94 грн
10+ 91.05 грн
100+ 62.89 грн
500+ 56.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+97.17 грн
10+ 80.89 грн
100+ 67.82 грн
250+ 65.3 грн
500+ 58.34 грн
1000+ 53.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF-ELInternational RectifierDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404STRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 6 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.53 грн
10+ 125.44 грн
100+ 88.26 грн
250+ 82.52 грн
500+ 79.65 грн
800+ 73.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.44 грн
10+ 142.77 грн
100+ 99.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.24 грн
10+ 91.95 грн
25+ 91.04 грн
100+ 82.39 грн
250+ 62.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404STRLPBF
Код товару: 169012		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.72 грн
500+ 97.18 грн
1000+ 79.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+91.8 грн
135+ 90.18 грн
200+ 86.76 грн
500+ 80.15 грн
Мінімальне замовлення: 133
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+106.87 грн
123+ 99.03 грн
125+ 98.04 грн
133+ 88.73 грн
250+ 67.29 грн
Мінімальне замовлення: 114
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.46 грн
10+ 132.02 грн
100+ 116.72 грн
500+ 97.18 грн
1000+ 79.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1404STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404STRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1404ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.3 грн
10+ 74.04 грн
100+ 61.6 грн
250+ 58.96 грн
500+ 48.05 грн
1000+ 42.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.36 грн
100+ 45.96 грн
250+ 44.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF1404ZPBFInternational Rectifier CorporationTO-220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+92.81 грн
139+ 87.84 грн
166+ 73.54 грн
200+ 67.39 грн
500+ 52.71 грн
1000+ 48.43 грн
2000+ 48.16 грн
Мінімальне замовлення: 132
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+80.24 грн
183+ 66.76 грн
250+ 66.26 грн
500+ 56.23 грн
1000+ 47.55 грн
Мінімальне замовлення: 152
IRF1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.01 грн
10+ 100.99 грн
100+ 68.9 грн
500+ 51.76 грн
1000+ 47.6 грн
2000+ 44.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+51.01 грн
246+ 49.5 грн
250+ 49.3 грн
Мінімальне замовлення: 239
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.09 грн
10+ 90.36 грн
14+ 76.24 грн
38+ 71.76 грн
500+ 69.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.18 грн
10+ 89.95 грн
100+ 59.56 грн
250+ 59.06 грн
500+ 50.59 грн
1000+ 47.43 грн
2000+ 46.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.58 грн
10+ 72.51 грн
14+ 63.54 грн
38+ 59.8 грн
500+ 58.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 118 шт:
83 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+695.52 грн
IRF1404ZSInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+117.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZS
Код товару: 99461		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 2,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/100
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1404ZSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+62.63 грн
Мінімальне замовлення: 395
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+50.9 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.18 грн
250+ 87.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.43 грн
1600+ 66.98 грн
2400+ 65.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.5 грн
10+ 124.53 грн
100+ 85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+187.65 грн
79+ 154.17 грн
100+ 145.04 грн
500+ 125.19 грн
1000+ 105.05 грн
2000+ 86.42 грн
3200+ 68.86 грн
Мінімальне замовлення: 65
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.52 грн
10+ 132.82 грн
50+ 119.14 грн
100+ 97.18 грн
250+ 87.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.4 грн
1600+ 72.58 грн
2400+ 71.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.93 грн
10+ 135.34 грн
100+ 86.11 грн
800+ 61.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.28 грн
1600+ 61.02 грн
2400+ 59.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1405Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товар відсутній
IRF1405IR2004 TO220
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.14 грн
10+ 80.73 грн
15+ 59.8 грн
41+ 56.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1405PBF
Код товару: 27155		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 57 шт:
15 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+117.05 грн
10+ 98.74 грн
100+ 77.2 грн
500+ 73.87 грн
1000+ 68.15 грн
3000+ 55.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.99 грн
10+ 90.8 грн
100+ 72.59 грн
500+ 69.33 грн
1000+ 63.81 грн
3000+ 48.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+98.35 грн
155+ 78.63 грн
500+ 77.87 грн
1000+ 74.65 грн
3000+ 54.82 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRF1405PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
товар відсутній
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+77.8 грн
158+ 77.09 грн
200+ 75.67 грн
2000+ 72.28 грн
4000+ 61.76 грн
Мінімальне замовлення: 157
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.97 грн
10+ 100.6 грн
15+ 71.76 грн
41+ 67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+126.05 грн
115+ 106.33 грн
147+ 83.14 грн
500+ 79.55 грн
1000+ 73.39 грн
3000+ 59.24 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRF1405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 12980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.34 грн
10+ 103.68 грн
100+ 72.12 грн
500+ 67.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.14 грн
10+ 111.9 грн
100+ 88.55 грн
500+ 79.98 грн
1000+ 73.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1405PBF; 133A; 55V; 200W; 0.0053R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+126.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1405SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1405SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405SIRTO-263