IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.37 грн |
| 6000+ | 17.9 грн |
| 9000+ | 17.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR5305TRLPBF за ціною від 18.57 грн до 104.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR5305TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR5305TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 43743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR5305TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC |
на замовлення 19170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|