Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5305TRLPBF
IRFR5305TRLPBF

IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.54 грн
9000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 110W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції IRFR5305TRLPBF за ціною від 27.79 грн до 147.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.34 грн
9000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.34 грн
9000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.19 грн
9000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.29 грн
9000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+61.09 грн
1000+56.34 грн
10000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+61.09 грн
1000+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.22 грн
186+75.95 грн
206+68.70 грн
250+66.23 грн
500+48.38 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.98 грн
10+69.92 грн
20+62.56 грн
100+49.10 грн
200+44.44 грн
500+39.45 грн
1000+36.82 грн
3000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 15175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.00 грн
10+75.96 грн
50+57.03 грн
100+47.77 грн
500+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.72 грн
10+97.22 грн
25+75.95 грн
100+66.24 грн
250+61.33 грн
500+46.45 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.70 грн
10+101.56 грн
50+79.16 грн
100+68.99 грн
500+49.33 грн
3000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.70 грн
139+101.56 грн
179+79.16 грн
198+68.99 грн
500+49.33 грн
3000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 23764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.34 грн
9000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.34 грн
9000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.19 грн
9000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.29 грн
9000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
578+61.09 грн
1000+56.34 грн
10000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
578+61.09 грн
1000+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
146+97.22 грн
186+75.95 грн
206+68.70 грн
250+66.23 грн
500+48.38 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.98 грн
10+69.92 грн
20+62.56 грн
100+49.10 грн
200+44.44 грн
500+39.45 грн
1000+36.82 грн
3000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 15175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.00 грн
10+75.96 грн
50+57.03 грн
100+47.77 грн
500+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+140.72 грн
10+97.22 грн
25+75.95 грн
100+66.24 грн
250+61.33 грн
500+46.45 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.70 грн
10+101.56 грн
50+79.16 грн
100+68.99 грн
500+49.33 грн
3000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+147.70 грн
139+101.56 грн
179+79.16 грн
198+68.99 грн
500+49.33 грн
3000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 23764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.