Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5305TRLPBF
IRFR5305TRLPBF

IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR5305TRLPBF за ціною від 22.11 грн до 140.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.74 грн
6000+33.01 грн
9000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.74 грн
6000+39.55 грн
9000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.02 грн
6000+39.83 грн
9000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.72 грн
6000+42.38 грн
9000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.01 грн
6000+42.66 грн
9000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+57.19 грн
224+56.91 грн
264+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.97 грн
500+50.87 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+71.38 грн
12+61.27 грн
25+60.97 грн
100+49.85 грн
250+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.72 грн
10+57.07 грн
20+49.80 грн
100+36.50 грн
200+32.54 грн
250+31.55 грн
500+28.74 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.26 грн
10+71.12 грн
20+59.76 грн
100+43.80 грн
200+39.05 грн
250+37.86 грн
500+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+110.92 грн
157+81.12 грн
200+80.35 грн
500+56.58 грн
1000+48.91 грн
3000+35.78 грн
6000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 5031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.57 грн
10+83.88 грн
100+52.65 грн
500+42.10 грн
1000+39.01 грн
3000+34.57 грн
6000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 25298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.79 грн
10+82.26 грн
100+55.34 грн
500+41.11 грн
1000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - MOSFET, P-KANAL, 55V, 31A, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+140.53 грн
10+93.39 грн
100+66.97 грн
500+50.87 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.