IRFR5305TRLPBF

IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies


infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR5305TRLPBF за ціною від 21.13 грн до 123.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.75 грн
6000+32.12 грн
9000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
467+65.03 грн
519+58.52 грн
1000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 467
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
467+65.03 грн
519+58.52 грн
1000+53.98 грн
10000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 467
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.47 грн
500+48.01 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+71.80 грн
210+57.88 грн
216+56.34 грн
500+47.77 грн
1000+43.36 грн
3000+36.22 грн
6000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.18 грн
188+64.82 грн
221+55.10 грн
250+52.83 грн
500+41.12 грн
1000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+80.53 грн
10+79.76 грн
25+71.53 грн
100+56.45 грн
250+51.74 грн
500+42.34 грн
1000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.03 грн
10+43.11 грн
25+35.69 грн
35+27.16 грн
95+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.04 грн
10+53.72 грн
25+42.83 грн
35+32.59 грн
95+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 19201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.41 грн
10+72.64 грн
100+53.85 грн
500+40.00 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 12868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.27 грн
10+78.71 грн
100+49.19 грн
500+40.25 грн
1000+36.91 грн
3000+33.05 грн
6000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.29 грн
10+86.73 грн
100+64.71 грн
500+48.48 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.