IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies


infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.64 грн
6000+30.18 грн
9000+29.05 грн
15000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 110W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції IRFR5305TRLPBF за ціною від 27.79 грн до 150.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.36 грн
6000+50.71 грн
9000+50.21 грн
15000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.36 грн
6000+50.71 грн
9000+50.21 грн
15000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.62 грн
6000+50.98 грн
9000+50.47 грн
15000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.72 грн
6000+51.07 грн
9000+50.57 грн
15000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+77.35 грн
1000+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.44 грн
137+103.39 грн
193+73.59 грн
250+70.26 грн
500+53.19 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
10+68.49 грн
20+61.27 грн
100+48.09 грн
200+43.53 грн
500+38.64 грн
1000+36.07 грн
3000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 19973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.19 грн
100+51.05 грн
500+37.79 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.31 грн
10+103.43 грн
100+72.12 грн
500+57.56 грн
1000+49.40 грн
3000+43.04 грн
6000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.04 грн
137+103.95 грн
196+72.48 грн
500+57.85 грн
1000+49.65 грн
3000+43.26 грн
6000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.52 грн
10+104.44 грн
25+103.39 грн
100+70.97 грн
250+65.05 грн
500+51.06 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 30948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.36 грн
6000+50.71 грн
9000+50.21 грн
15000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.36 грн
6000+50.71 грн
9000+50.21 грн
15000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.62 грн
6000+50.98 грн
9000+50.47 грн
15000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.72 грн
6000+51.07 грн
9000+50.57 грн
15000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+77.35 грн
1000+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.44 грн
137+103.39 грн
193+73.59 грн
250+70.26 грн
500+53.19 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.43 грн
10+68.49 грн
20+61.27 грн
100+48.09 грн
200+43.53 грн
500+38.64 грн
1000+36.07 грн
3000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 19973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.76 грн
10+76.19 грн
100+51.05 грн
500+37.79 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.31 грн
10+103.43 грн
100+72.12 грн
500+57.56 грн
1000+49.40 грн
3000+43.04 грн
6000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+148.04 грн
137+103.95 грн
196+72.48 грн
500+57.85 грн
1000+49.65 грн
3000+43.26 грн
6000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.52 грн
10+104.44 грн
25+103.39 грн
100+70.97 грн
250+65.05 грн
500+51.06 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 30948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.