на замовлення 4937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 17.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9014PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFR9014PBF за ціною від 23.17 грн до 77.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9014PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 4275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR9014PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A On-state resistance: 0.5Ω |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR9014PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 60V 5.1A P-CH MOSFET |
на замовлення 16342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR9014PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR9014PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A On-state resistance: 0.5Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR9014PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |