IRLR3636TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 33.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR3636TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLR3636TRPBF за ціною від 48.94 грн до 184.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR3636TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR3636TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 99A Power dissipation: 143W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC |
на замовлення 5615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 99A Power dissipation: 143W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
на замовлення 5749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |