Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2096640-3
Price: 97480.00 UAH
Availability: InStock

IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V

на замовлення 23900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	48.74 грн
4000+	43.79 грн
6000+	42.18 грн
10000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3636TRPBF за ціною від 44.87 грн до 190.21 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	68.43 грн
4000+	67.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	68.43 грн
4000+	67.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	68.94 грн
4000+	68.25 грн
6000+	67.57 грн
10000+	64.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	69.41 грн
4000+	68.72 грн
6000+	68.03 грн
10000+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	70.90 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 20047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	81.20 грн
500+	56.99 грн
1000+	49.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
347+	101.97 грн
500+	91.78 грн
1000+	84.63 грн

Мінімальне замовлення: 347

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
112+	126.83 грн
114+	124.89 грн
157+	90.48 грн
250+	66.65 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 20047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	130.87 грн
50+	97.54 грн
100+	73.40 грн
500+	51.10 грн
1000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 735 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	147.22 грн
5+	109.19 грн
10+	96.03 грн
25+	80.34 грн
50+	70.45 грн
100+	62.14 грн
500+	48.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V

на замовлення 24010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	163.82 грн
10+	101.37 грн
100+	68.98 грн
500+	51.74 грн
1000+	47.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
78+	182.22 грн
112+	127.34 грн
113+	126.07 грн
114+	119.90 грн
156+	80.99 грн
250+	58.43 грн

Мінімальне замовлення: 78

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	183.24 грн
10+	126.83 грн
25+	124.89 грн
100+	87.25 грн
250+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC

на замовлення 5217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	190.21 грн
10+	120.18 грн
100+	70.37 грн
500+	59.92 грн
1000+	53.44 грн
2000+	50.58 грн
4000+	48.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 A, Ptot, Вт = 143, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3779 @ 50, Qg, нКл = 49 @ 4,5 В, Rds = 6,8 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 @ 100 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим:
кількість в упаковці: 2000 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.