Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+45.03 грн
6000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 143W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

Інші пропозиції IRLR3636TRPBF за ціною від 47.97 грн до 185.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+89.94 грн
500+80.95 грн
1000+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.67 грн
140+101.07 грн
155+91.72 грн
500+72.00 грн
2000+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 10715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+94.88 грн
50+71.69 грн
100+60.27 грн
500+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
5+122.78 грн
10+107.77 грн
25+88.06 грн
50+75.39 грн
100+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.47 грн
10+121.47 грн
25+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.25 грн
10+128.67 грн
50+101.07 грн
100+88.44 грн
500+66.67 грн
2000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1521+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
394+89.94 грн
500+80.95 грн
1000+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.67 грн
140+101.07 грн
155+91.72 грн
500+72.00 грн
2000+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 10715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.41 грн
10+94.88 грн
50+71.69 грн
100+60.27 грн
500+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.05 грн
5+122.78 грн
10+107.77 грн
25+88.06 грн
50+75.39 грн
100+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+175.47 грн
10+121.47 грн
25+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+185.25 грн
10+128.67 грн
50+101.07 грн
100+88.44 грн
500+66.67 грн
2000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.