Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

irlr3636pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3636TRPBF за ціною від 37.42 грн до 164.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+60.35 грн
1000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+65.33 грн
1000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.15 грн
500+57.57 грн
1000+49.12 грн
5000+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+87.76 грн
500+78.99 грн
1000+72.83 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+95.75 грн
134+90.88 грн
179+68.24 грн
200+62.13 грн
500+43.76 грн
1000+41.94 грн
2000+41.87 грн
4000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+104.21 грн
123+99.22 грн
164+74.26 грн
250+69.58 грн
500+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+111.24 грн
10+96.77 грн
25+92.14 грн
100+66.50 грн
250+59.82 грн
500+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 11945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.70 грн
10+97.32 грн
100+66.85 грн
500+50.68 грн
1000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN-3363622.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
на замовлення 11350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.87 грн
10+111.41 грн
25+90.27 грн
100+65.68 грн
250+65.54 грн
500+49.91 грн
1000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11D881CECD5EA&compId=IRLR3636TRPBF.pdf?ci_sign=b6220a740730b6ab7b23975b33855f69170c505b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.02 грн
10+116.08 грн
100+83.15 грн
500+57.57 грн
1000+49.12 грн
5000+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11D881CECD5EA&compId=IRLR3636TRPBF.pdf?ci_sign=b6220a740730b6ab7b23975b33855f69170c505b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.99 грн
10+123.09 грн
22+49.17 грн
61+46.51 грн
6000+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3636pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.