Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

irlr3636pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3636TRPBF за ціною від 43.92 грн до 184.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.59 грн
4000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.41 грн
4000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+60.85 грн
4000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+68.08 грн
1000+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.35 грн
500+55.65 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+73.44 грн
1000+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+91.15 грн
500+82.04 грн
1000+75.65 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.23 грн
10+83.10 грн
25+72.54 грн
50+63.39 грн
100+55.23 грн
250+47.50 грн
500+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+111.49 грн
117+108.44 грн
162+78.08 грн
250+74.74 грн
500+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.48 грн
10+103.56 грн
25+87.04 грн
50+76.06 грн
100+66.28 грн
250+57.00 грн
500+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.79 грн
50+107.50 грн
100+68.35 грн
500+55.65 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 26431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.45 грн
10+104.15 грн
100+70.90 грн
500+53.18 грн
1000+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.02 грн
10+119.46 грн
25+116.19 грн
100+80.67 грн
250+74.14 грн
500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.47 грн
10+116.63 грн
100+69.40 грн
500+55.18 грн
1000+52.71 грн
2000+45.52 грн
4000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw (MFET,N-CH,60V,50A,DPAK)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3636pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.