Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

irlr3636pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3636TRPBF за ціною від 39.22 грн до 169.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+51.27 грн
1000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+82.37 грн
10+76.92 грн
25+73.44 грн
100+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.50 грн
500+61.23 грн
1000+52.24 грн
5000+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+88.18 грн
500+79.37 грн
1000+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+112.52 грн
127+97.03 грн
131+93.77 грн
200+63.76 грн
500+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN-3363622.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.85 грн
10+105.87 грн
25+89.04 грн
100+63.39 грн
500+50.63 грн
1000+47.92 грн
2000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 11945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.99 грн
10+100.06 грн
100+68.73 грн
500+52.11 грн
1000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11D881CECD5EA&compId=IRLR3636TRPBF.pdf?ci_sign=b6220a740730b6ab7b23975b33855f69170c505b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.37 грн
10+101.56 грн
23+41.50 грн
62+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.22 грн
10+119.36 грн
100+85.50 грн
500+61.23 грн
1000+52.24 грн
5000+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11D881CECD5EA&compId=IRLR3636TRPBF.pdf?ci_sign=b6220a740730b6ab7b23975b33855f69170c505b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.64 грн
10+126.56 грн
23+49.80 грн
62+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3636pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.