Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 93936-7
Price: 17890.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	35.78 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3636TRPBF за ціною від 42.60 грн до 166.72 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	48.00 грн
4000+	44.39 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	54.83 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	55.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	65.90 грн
1000+	64.03 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 22012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	66.29 грн
500+	53.97 грн
1000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	71.30 грн
1000+	69.28 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
347+	89.45 грн
500+	80.51 грн
1000+	74.24 грн

Мінімальне замовлення: 347

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	98.18 грн
10+	80.60 грн
25+	70.35 грн
50+	61.48 грн
100+	53.57 грн
250+	46.07 грн
500+	42.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	117.81 грн
10+	100.43 грн
25+	84.42 грн
50+	73.77 грн
100+	64.28 грн
250+	55.28 грн
500+	51.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
103+	121.59 грн
125+	99.25 грн
200+	98.43 грн
500+	59.90 грн
1000+	54.50 грн
2000+	43.53 грн

Мінімальне замовлення: 103

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 22012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	126.85 грн
50+	104.26 грн
100+	66.29 грн
500+	53.97 грн
1000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V

на замовлення 16509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	166.72 грн
10+	102.94 грн
100+	70.04 грн
500+	52.53 грн
1000+	50.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

(MFET,N-CH,60V,50A,DPAK)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.