Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLS3036TRLPBF
IRLS3036TRLPBF

IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRLS3036TRLPBF за ціною від 109.88 грн до 392.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+115.57 грн
1600+ 114.41 грн
2400+ 113.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+124.1 грн
1600+ 122.87 грн
2400+ 121.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+146.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+160.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.48 грн
10+ 196.66 грн
100+ 159.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+247.69 грн
10+ 213 грн
25+ 202.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLS3036_DataSheet_v01_01_EN-3363608.pdf MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 10317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.05 грн
10+ 214.43 грн
25+ 177.14 грн
100+ 125.86 грн
800+ 109.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+291.8 грн
46+ 257.75 грн
50+ 245.11 грн
100+ 138.81 грн
200+ 127.66 грн
500+ 115.88 грн
3200+ 110.88 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+316 грн
10+ 259.97 грн
25+ 216.64 грн
100+ 160.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+368.72 грн
34+ 352.88 грн
50+ 339.43 грн
100+ 316.2 грн
250+ 283.9 грн
500+ 265.13 грн
Мінімальне замовлення: 32
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+392.13 грн
32+ 375.28 грн
50+ 360.98 грн
100+ 336.28 грн
250+ 301.92 грн
500+ 281.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3036TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3036TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній