Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLS3036TRLPBF
IRLS3036TRLPBF

IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies

irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+111.86 грн
1600+100.70 грн
2400+97.13 грн
4000+89.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLS3036TRLPBF за ціною від 101.49 грн до 415.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.37 грн
250+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRLS3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.54 грн
10+200.21 грн
100+122.64 грн
500+116.30 грн
800+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.45 грн
10+195.40 грн
100+137.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.25 грн
10+225.31 грн
50+192.42 грн
100+147.37 грн
250+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.95 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.62 грн
36+397.76 грн
50+382.61 грн
100+356.43 грн
250+320.01 грн
500+298.86 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+138.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+147.37 грн
250+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF Infineon-IRLS3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+307.54 грн
10+200.21 грн
100+122.64 грн
500+116.30 грн
800+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+308.45 грн
10+195.40 грн
100+137.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+341.25 грн
10+225.31 грн
50+192.42 грн
100+147.37 грн
250+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+389.95 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+415.62 грн
36+397.76 грн
50+382.61 грн
100+356.43 грн
250+320.01 грн
500+298.86 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.