Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLS3036TRLPBF
IRLS3036TRLPBF

IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLS3036TRLPBF за ціною від 105.28 грн до 328.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+105.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+119.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+152.39 грн
109+113.06 грн
112+110.60 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+235.37 грн
250+213.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.81 грн
10+185.85 грн
100+131.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+296.27 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLS3036_DataSheet_v01_01_EN-3363608.pdf MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.50 грн
10+220.61 грн
25+171.36 грн
100+139.51 грн
250+135.72 грн
500+129.66 грн
800+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.47 грн
10+264.53 грн
50+259.43 грн
100+235.37 грн
250+213.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+328.38 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF13EC71480D5EA&compId=IRLS3036TRLPBF.pdf?ci_sign=e6def82b21e5fa93fe3943d78d0e0c9d31d46c3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF13EC71480D5EA&compId=IRLS3036TRLPBF.pdf?ci_sign=e6def82b21e5fa93fe3943d78d0e0c9d31d46c3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.