IXDN75N120 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2943.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXDN75N120 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 660W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXDN75N120 за ціною від 2310.79 грн до 3633.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXDN75N120 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 660 W Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDN75N120 | Виробник : IXYS | IGBTs 75 Amps 1200V |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDN75N120 Код товару: 22498 |
Виробник : IXYS |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IXDN75N120 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXDN75N120 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXDN75N120 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXDN75N120 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXDN75N120 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B Technology: NPT Collector current: 150A Power dissipation: 660W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 190A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXDN75N120 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B Technology: NPT Collector current: 150A Power dissipation: 660W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 190A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |