Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2211T1G
MUN2211T1G

MUN2211T1G ON Semiconductor

473703159066984dtc114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Інші пропозиції MUN2211T1G за ціною від 0.92 грн до 12.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.55 грн
9000+ 1.38 грн
24000+ 1.26 грн
45000+ 0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.63 грн
9000+ 1.45 грн
24000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.84 грн
6000+ 1.67 грн
9000+ 1.42 грн
30000+ 1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6250+1.87 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.56 грн
45000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 6250
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6225+1.88 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 6225
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6025+1.94 грн
6098+ 1.91 грн
6148+ 1.83 грн
6173+ 1.69 грн
15000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 6025
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.51 грн
200+ 1.75 грн
500+ 1.54 грн
625+ 1.33 грн
1675+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 150
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.01 грн
125+ 2.18 грн
500+ 1.85 грн
625+ 1.6 грн
1675+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 18840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
99+5.85 грн
158+ 3.67 грн
161+ 3.59 грн
317+ 1.76 грн
322+ 1.61 грн
500+ 1.52 грн
1000+ 1.48 грн
3000+ 1.44 грн
6000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 99
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 50299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.81 грн
39+ 7.21 грн
100+ 3.91 грн
500+ 2.89 грн
1000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10.88 грн
46+ 6.66 грн
100+ 3 грн
1000+ 2.06 грн
3000+ 1.47 грн
9000+ 1.33 грн
24000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 18840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+12.48 грн
98+ 7.69 грн
193+ 3.88 грн
500+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 818282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211T1G MUN2211T1G
Код товару: 103955 		dtc114e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній