Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MUN2211T1G
MUN2211T1G

MUN2211T1G

dtc114e-d.pdf
Код товару: 103955
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MUN2211T1G за ціною від 1.03 грн до 14.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 159300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
100000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.36 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.36 грн
6049+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.49 грн
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29443+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 29443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+3.28 грн
9000+3.15 грн
27000+3.04 грн
51000+2.86 грн
102000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 27747 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.31 грн
100+4.24 грн
143+2.97 грн
169+2.52 грн
500+1.65 грн
1000+1.42 грн
3000+1.17 грн
6000+1.08 грн
9000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.05 грн
147+5.61 грн
500+3.79 грн
1500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+9.67 грн
132+5.74 грн
134+5.65 грн
212+3.44 грн
250+3.15 грн
500+2.22 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 44941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
40+7.79 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+13.65 грн
133+6.21 грн
172+4.79 грн
500+3.82 грн
1500+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 31563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.14 грн
40+8.19 грн
100+4.58 грн
500+3.24 грн
1000+2.89 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 159300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15874+2.23 грн
100000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.36 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6000+2.36 грн
6049+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.49 грн
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29443+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 29443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4311+3.28 грн
9000+3.15 грн
27000+3.04 грн
51000+2.86 грн
102000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211.PDF
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 27747 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
63+7.31 грн
100+4.24 грн
143+2.97 грн
169+2.52 грн
500+1.65 грн
1000+1.42 грн
3000+1.17 грн
6000+1.08 грн
9000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G 2255300.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.05 грн
147+5.61 грн
500+3.79 грн
1500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
78+9.67 грн
132+5.74 грн
134+5.65 грн
212+3.44 грн
250+3.15 грн
500+2.22 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 44941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.48 грн
40+7.79 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
61+13.65 грн
133+6.21 грн
172+4.79 грн
500+3.82 грн
1500+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 31563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+14.14 грн
40+8.19 грн
100+4.58 грн
500+3.24 грн
1000+2.89 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.