Купить MUN2211T1G - Транзисторы - Биполярные NPN

Наименование: MUN2211T1G

код товара: 103955
MUN2211T1G

DOWNLOAD DTC114E-D.PDF

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
MUN2211T1G MUN2211T1G
код товара: 103955		 Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Биполярные NPN
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59; Supplier Device Package : SC-59; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 230mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 35 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 10k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 10k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased под заказ 32263 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59; Supplier Device Package : SC-59; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 230mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 35 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 10k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 10k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased под заказ 31263 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59; Supplier Device Package : SC-59; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 230mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 35 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 10k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 10k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased под заказ 30000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MUN2211T1G ON SEMICONDUCTOR Manufacturer Part Number: MUN2211T1G NPN SMD Transistors под заказ 8834 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
45+ 1 грн
100+ 0.7 грн
140+ 0.45 грн
1955+ 0.43 грн
MUN2211T1G ONS SC-59 Цифровой биполярный транзистор, NPN, 338 мВт Китай под заказ 5640 шт
срок поставки 8-10 дней дня (дней)
MUN2211T1G под заказ 90000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN под заказ 36078 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
1+ 6.43 грн
10+ 5.63 грн
100+ 2.01 грн
1000+ 1.31 грн
3000+ 1 грн
MUN2211T1G ON 4ФВ8ИХ под заказ 6000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
MUN2211T1G ON 05+ SOT-23 под заказ 1580 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
MUN2211T1G ONS под заказ 102032 шт
срок поставки 24-31 дня (дней)
MUN2211T1G 'ONSEMI' 'Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R'
количество в упаковке: 3000 шт 		товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание MUN2211T1G

Цена MUN2211T1G

от 0.43 грн до 6.43 грн
Asers Shop ©