MUN2211T1G

MUN2211T1G ON Semiconductor


473703159066984dtc114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 26432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN2211T1G за ціною від 1.02 грн до 12.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.87 грн
6000+ 1.71 грн
9000+ 1.45 грн
30000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.92 грн
9000+ 1.47 грн
24000+ 1.25 грн
48000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5770+2.06 грн
9000+ 1.59 грн
24000+ 1.35 грн
48000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 5770
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.56 грн
200+ 1.78 грн
500+ 1.57 грн
625+ 1.36 грн
1675+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 150
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.07 грн
125+ 2.22 грн
500+ 1.89 грн
625+ 1.63 грн
1675+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+9.94 грн
90+ 6.58 грн
91+ 6.51 грн
176+ 3.24 грн
250+ 2.96 грн
500+ 2.81 грн
1000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 41047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.02 грн
39+ 7.36 грн
100+ 3.99 грн
500+ 2.94 грн
1000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 36591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.81 грн
45+ 6.95 грн
100+ 3.06 грн
1000+ 2.11 грн
3000+ 1.63 грн
9000+ 1.36 грн
48000+ 1.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+12.73 грн
98+ 7.85 грн
193+ 3.96 грн
500+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 698282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211T1G MUN2211T1G
Код товару: 103955
dtc114e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній