MUN2211T1G

MUN2211T1G ON Semiconductor


473703159066984dtc114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 149443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN2211T1G за ціною від 1.10 грн до 14.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 73500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 186300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.18 грн
9000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5191+2.35 грн
9000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 5191
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.80 грн
6000+2.40 грн
9000+2.26 грн
15000+1.96 грн
21000+1.87 грн
30000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.51 грн
1500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.23W
Current gain: 35...60
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.08 грн
72+5.36 грн
97+3.98 грн
107+3.59 грн
115+3.34 грн
500+1.79 грн
1372+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+10.66 грн
100+6.10 грн
101+6.02 грн
168+3.49 грн
250+3.20 грн
500+3.06 грн
1000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G
Код товару: 103955
Додати до обраних Обраний товар

dtc114e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.23W
Current gain: 35...60
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+10.89 грн
43+6.68 грн
58+4.78 грн
75+4.31 грн
100+4.01 грн
500+2.15 грн
1372+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+12.05 грн
123+6.75 грн
206+4.02 грн
500+3.51 грн
1500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 36591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.79 грн
45+7.53 грн
100+3.31 грн
1000+2.28 грн
3000+1.77 грн
9000+1.47 грн
48000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 52042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
38+8.28 грн
100+5.11 грн
500+3.50 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.