Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MUN2211T1G за ціною від 1.01 грн до 14.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 159300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2211T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 29443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2211T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 |
на замовлення 27747 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2211T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 44941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2211T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 31563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |