Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2211T1G
MUN2211T1G

MUN2211T1G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN2211T1G за ціною від 1.02 грн до 14.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 73500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 186300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
100000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 459000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.51 грн
6000+2.35 грн
9000+2.07 грн
24000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.63 грн
6000+2.46 грн
9000+2.17 грн
24000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4762+2.71 грн
9000+2.50 грн
27000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 4762
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.76 грн
6000+2.37 грн
9000+2.22 грн
15000+1.93 грн
21000+1.84 грн
30000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.73 грн
1500+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2420+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 2420
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SC59
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Current gain: 35...60
на замовлення 17235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.23 грн
100+4.20 грн
143+2.94 грн
169+2.49 грн
500+1.64 грн
1000+1.40 грн
3000+1.16 грн
6000+1.07 грн
9000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G
Код товару: 103955
Додати до обраних Обраний товар
dtc114e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi DTC114E_D-1773690.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 17159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.88 грн
46+6.98 грн
100+4.18 грн
500+3.07 грн
1000+2.65 грн
3000+1.81 грн
6000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 52042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.12 грн
38+8.16 грн
100+5.04 грн
500+3.45 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+14.45 грн
89+8.35 грн
90+8.24 грн
128+5.56 грн
250+5.10 грн
500+3.76 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G MUN2211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+14.97 грн
92+8.87 грн
148+5.52 грн
500+3.73 грн
1500+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.