на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS332P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NDS332P за ціною від 4.53 грн до 43.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 91000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 92427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC |
на замовлення 24401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: - Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 600 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 12974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |