NDS332P onsemi


NDS332P-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.43 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS332P onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NDS332P за ціною від 4.74 грн до 52.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDS332P NDS332P ONSEMI NDS332P-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.00 грн
14+31.59 грн
50+21.81 грн
100+18.66 грн
500+13.60 грн
1000+12.02 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 102617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.69 грн
10+31.19 грн
100+20.08 грн
500+14.35 грн
1000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 11984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P onsemi / Fairchild NDS332P-D.PDF MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 32761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P Fairchild NDS332P-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.00 грн
14+31.59 грн
50+21.81 грн
100+18.66 грн
500+13.60 грн
1000+12.02 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 102617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.69 грн
10+31.19 грн
100+20.08 грн
500+14.35 грн
1000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 11984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 32761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P NDS332P-D.PDF
Виробник: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.