NDS332P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.69 грн |
| 6000+ | 10.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS332P onsemi
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDS332P за ціною від 4.74 грн до 53.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 102012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDS332P | onsemi |
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC |
на замовлення 11984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
NDS332P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC |
на замовлення 32761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NDS332P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDS332P | Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.87 грн |
| 30000+ | 11.15 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 12.12 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.26 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.31 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.11 грн |
| 6000+ | 12.03 грн |
| 12000+ | 10.93 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2434+ | 14.53 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2434+ | 14.53 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.66 грн |
| 6000+ | 15.26 грн |
| 9000+ | 14.86 грн |
| 12000+ | 14.12 грн |
| 27000+ | 12.78 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 50.00 грн |
| 14+ | 31.59 грн |
| 50+ | 21.81 грн |
| 100+ | 18.66 грн |
| 500+ | 13.60 грн |
| 1000+ | 12.02 грн |
| 1500+ | 11.52 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 102012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.47 грн |
| 10+ | 31.94 грн |
| 100+ | 20.54 грн |
| 500+ | 14.68 грн |
| 1000+ | 13.19 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 11984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDS332P |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 32761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





