на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.83 грн |
| 30000+ | 10.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS332P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDS332P за ціною від 4.73 грн до 51.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS332P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS332P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Case: SuperSOT-3 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A Gate charge: 5nC On-state resistance: 0.74Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS332P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC |
на замовлення 32761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS332P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 169451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC |
на замовлення 15051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDS332P | Виробник : Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |