| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.13 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS332P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Інші пропозиції NDS332P за ціною від 4.74 грн до 53.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS332P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 73222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS332P | onsemi |
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC |
на замовлення 28907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NDS332P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 11694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NDS332P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 11694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDS332P | Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332pкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.14 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.36 грн |
| 6000+ | 10.90 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.29 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.29 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 15.77 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 898+ | 15.77 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 16.00 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2039+ | 17.35 грн |
| 10000+ | 15.47 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2039+ | 17.35 грн |
| 10000+ | 15.47 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 18.12 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 781+ | 18.12 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 741+ | 19.11 грн |
| 802+ | 17.64 грн |
| 803+ | 17.62 грн |
| 830+ | 16.45 грн |
| 1000+ | 14.72 грн |
| 3000+ | 13.65 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 23.10 грн |
| 37+ | 20.66 грн |
| 40+ | 19.11 грн |
| 100+ | 17.01 грн |
| 250+ | 15.73 грн |
| 500+ | 14.62 грн |
| 1000+ | 14.14 грн |
| 3000+ | 13.65 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 490+ | 28.87 грн |
| 1000+ | 20.54 грн |
| 3000+ | 19.05 грн |
| 6000+ | 17.60 грн |
| 9000+ | 16.27 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 51.48 грн |
| 15+ | 29.77 грн |
| 50+ | 20.21 грн |
| 100+ | 17.11 грн |
| 500+ | 11.74 грн |
| 1000+ | 11.66 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 73222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.30 грн |
| 10+ | 31.55 грн |
| 50+ | 23.04 грн |
| 100+ | 19.05 грн |
| 500+ | 14.50 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 28907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 11694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 11694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






