NDT2955 ON Semiconductor
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 13.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT2955 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NDT2955 за ціною від 13.06 грн до 56.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V |
на замовлення 15290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 36292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 |
на замовлення 8592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V |
на замовлення 17747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE |
на замовлення 45648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8592 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 36292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NDT2955 Код товару: 60796 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|