NDT2955
Код товару: 60796
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NDT2955 за ціною від 15.91 грн до 82.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDT2955 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 404000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 404000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 7173 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V |
на замовлення 14886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | onsemi |
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE |
на замовлення 33952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NDT2955 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 8843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NDT2955 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 8843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NDT2955 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDT2955 | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 20.06 грн |
| 8000+ | 17.91 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.39 грн |
| 8000+ | 20.46 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.39 грн |
| 8000+ | 20.46 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.51 грн |
| 8000+ | 20.58 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.83 грн |
| 8000+ | 20.89 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1105+ | 31.95 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 264+ | 53.54 грн |
| 500+ | 30.14 грн |
| 4000+ | 29.27 грн |
| 8000+ | 28.14 грн |
| 12000+ | 23.96 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 76.58 грн |
| 10+ | 49.77 грн |
| 50+ | 34.11 грн |
| 100+ | 28.87 грн |
| 250+ | 23.45 грн |
| 500+ | 20.23 грн |
| 1000+ | 17.69 грн |
| 2000+ | 15.91 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 14886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.28 грн |
| 10+ | 49.90 грн |
| 50+ | 36.93 грн |
| 100+ | 30.72 грн |
| 500+ | 23.81 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 33952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 18.87 грн |








