NDT2955


ndt2955-d.pdf
Код товару: 60796
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NDT2955 за ціною від 15.91 грн до 82.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDT2955 NDT2955 onsemi ndt2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.06 грн
8000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.39 грн
8000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.39 грн
8000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.51 грн
8000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.83 грн
8000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1105+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 1105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+53.54 грн
500+30.14 грн
4000+29.27 грн
8000+28.14 грн
12000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ONSEMI NDT2955-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.58 грн
10+49.77 грн
50+34.11 грн
100+28.87 грн
250+23.45 грн
500+20.23 грн
1000+17.69 грн
2000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 onsemi ndt2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 14886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+49.90 грн
50+36.93 грн
100+30.72 грн
500+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 onsemi ndt2955-d.pdf MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 33952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ONSEMI 2299749.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ONSEMI 2299749.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ONSEMI ONSM-S-A0003584502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ON-Semiconductor ndt2955-d.pdf P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.06 грн
8000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.39 грн
8000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.39 грн
8000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.51 грн
8000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.83 грн
8000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1105+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 1105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+53.54 грн
500+30.14 грн
4000+29.27 грн
8000+28.14 грн
12000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955-dte.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.58 грн
10+49.77 грн
50+34.11 грн
100+28.87 грн
250+23.45 грн
500+20.23 грн
1000+17.69 грн
2000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 14886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.28 грн
10+49.90 грн
50+36.93 грн
100+30.72 грн
500+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 33952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 2299749.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 2299749.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ONSM-S-A0003584502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.