NDT2955
Код товару: 60796
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NDT2955 за ціною від 17.35 грн до 73.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 176000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 176000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT2955 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDT2955 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Drain current: -2.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT223 On-state resistance: 0.3Ω |
на замовлення 3195 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDT2955 | onsemi |
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE |
на замовлення 52079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
NDT2955 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 6168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
NDT2955 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 6168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
NDT2955 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT2955 | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NDT2955 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.39 грн |
| 8000+ | 20.46 грн |
| NDT2955 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.39 грн |
| 8000+ | 20.46 грн |
| NDT2955 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.84 грн |
| 8000+ | 20.90 грн |
| NDT2955 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.90 грн |
| 8000+ | 20.95 грн |
| NDT2955 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1160+ | 30.43 грн |
| NDT2955 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 227+ | 62.20 грн |
| 504+ | 28.03 грн |
| 4000+ | 27.22 грн |
| 8000+ | 25.20 грн |
| 12000+ | 22.50 грн |
| NDT2955 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 73.84 грн |
| 8+ | 55.87 грн |
| 10+ | 48.08 грн |
| 50+ | 32.00 грн |
| 100+ | 27.17 грн |
| 250+ | 22.69 грн |
| 500+ | 20.32 грн |
| 1000+ | 18.54 грн |
| 2000+ | 17.35 грн |
| NDT2955 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 52079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDT2955 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT2955 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT2955 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)