Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > NDT2955
NDT2955

NDT2955

ndt2955-d.pdf
Код товару: 60796
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NDT2955 за ціною від 13.53 грн до 81.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NDT2955 NDT2955 ONSEMI 2013365.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.05 грн
12000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ONSEMI 2299749.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.06 грн
250+26.90 грн
1000+20.27 грн
2000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 onsemi / Fairchild NDT2955-D.PDF MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+42.55 грн
100+25.27 грн
500+18.64 грн
1000+17.26 грн
2000+16.08 грн
4000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ONSEMI NDT2955-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.49 грн
8+54.84 грн
10+47.20 грн
50+31.41 грн
100+26.67 грн
250+22.27 грн
500+19.94 грн
1000+18.20 грн
2000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 ONSEMI 2299749.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.47 грн
50+39.06 грн
250+26.90 грн
1000+20.27 грн
2000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 onsemi ndt2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.19 грн
100+30.96 грн
500+22.49 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 onsemi ndt2955-d.pdf MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 71760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+45.81 грн
100+24.51 грн
500+20.37 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 onsemi ndt2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ON-Semiconductor ndt2955-d.pdf P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 2013365.pdf
NDT2955
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+20.05 грн
12000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 2299749.pdf
NDT2955
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+39.06 грн
250+26.90 грн
1000+20.27 грн
2000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955-D.PDF
NDT2955
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.90 грн
10+42.55 грн
100+25.27 грн
500+18.64 грн
1000+17.26 грн
2000+16.08 грн
4000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955-dte.pdf
NDT2955
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+72.49 грн
8+54.84 грн
10+47.20 грн
50+31.41 грн
100+26.67 грн
250+22.27 грн
500+19.94 грн
1000+18.20 грн
2000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 2299749.pdf
NDT2955
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+75.47 грн
50+39.06 грн
250+26.90 грн
1000+20.27 грн
2000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955-d.pdf
NDT2955
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+78.44 грн
10+47.19 грн
100+30.96 грн
500+22.49 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955-d.pdf
NDT2955
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 71760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.35 грн
10+45.81 грн
100+24.51 грн
500+20.37 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955-d.pdf
NDT2955
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 ndt2955-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.