Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDT2955
NDT2955

NDT2955 ON Semiconductor

3351680229516535ndt2955.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT2955 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NDT2955 за ціною від 14.78 грн до 72.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor 3351680229516535ndt2955.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.23 грн
12000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.78 грн
8000+23.27 грн
12000+23.14 грн
28000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1221+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 1221
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.23 грн
376+32.57 грн
384+31.86 грн
500+25.35 грн
1000+20.25 грн
2000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ONSEMI 2299749.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 29304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.59 грн
250+33.27 грн
1000+22.01 грн
2000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BB9BE0F9CE6831BF&compId=NDT2955-dte.pdf?ci_sign=afb475842d4e018c930e6ec6d25ebfabe5de4455 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 5449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.56 грн
10+40.87 грн
50+31.60 грн
58+16.19 грн
157+15.33 грн
4000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : onsemi ndt2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.67 грн
10+43.63 грн
100+29.75 грн
500+21.80 грн
1000+19.74 грн
2000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955
Код товару: 60796
Додати до обраних Обраний товар

ndt2955-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : onsemi / Fairchild ndt2955-d.pdf MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.14 грн
10+47.82 грн
25+39.01 грн
100+28.15 грн
250+27.54 грн
500+22.64 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BB9BE0F9CE6831BF&compId=NDT2955-dte.pdf?ci_sign=afb475842d4e018c930e6ec6d25ebfabe5de4455 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5449 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.08 грн
10+50.94 грн
50+37.92 грн
58+19.43 грн
157+18.39 грн
4000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ONSEMI 2299749.pdf Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 29304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.41 грн
50+48.59 грн
250+33.27 грн
1000+22.01 грн
2000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.10 грн
14+51.87 грн
25+49.44 грн
100+33.59 грн
250+30.43 грн
500+24.10 грн
1000+20.79 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 Виробник : ON-Semicoductor ndt2955-d.pdf P-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : ON Semiconductor ndt2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955 NDT2955 Виробник : onsemi ndt2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.