NE3210S01 NEC
Виробник: NEC
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
на замовлення 673 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.63 грн |
10+ | 114.10 грн |
100+ | 104.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3210S01 NEC
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD, Packaging: Strip, Package / Case: 4-SMD, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.35dB, Supplier Device Package: SMD, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3210S01
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NE3210S01 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
NE3210S01 Код товару: 116994
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||
NE3210S01 | Виробник : California Eastern Labs |
![]() |
товару немає в наявності |
||
NE3210S01 | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.35dB Supplier Device Package: SMD Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |
||
NE3210S01 | Виробник : Renesas Electronics | Renesas Electronics |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NE3210S01 | Виробник : CEL |
![]() |
товару немає в наявності |