Продукція > NEC > NE3210S01

NE3210S01 NEC


Виробник: NEC
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
на замовлення 735 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.46 грн
10+ 98.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE3210S01 NEC

Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD, Packaging: Strip, Package / Case: 4-SMD, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.35dB, Supplier Device Package: SMD, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції NE3210S01

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NE3210S01
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NE3210S01
Код товару: 116994
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
NE3210S01 Виробник : California Eastern Labs 3567844420873174ne3210s01.pdf Trans JFET 4V 70mA AlGaAs 4-Pin Case S01
товар відсутній
NE3210S01 Виробник : CEL Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товар відсутній
NE3210S01 Виробник : Renesas Electronics Renesas Electronics
товар відсутній
NE3210S01 NE3210S01 Виробник : CEL ne3210s01-15287.pdf RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
товар відсутній